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기판;상기 기판 상의 제1 멤브레인;상기 제1 멤브레인 상의 발열 구조체;상기 발열 구조체 상의 제2 멤브레인;상기 제2 멤브레인 상의 감지 전극; 및상기 감지 전극 상의 감지 소재 구조체; 를 포함하되,상기 기판은 상기 기판의 상면 일부가 상기 제1 멤브레인의 하면으로부터 밑으로 이격된 함입면에 의해 정의되는 격리 공간을 제공하고,상기 제1 멤브레인은 상기 제1 멤브레인의 상면 및 하면을 연결하도록 상하로 연장되어 상기 격리 공간과 연결되는 제1 멤브레인 식각 구멍을 제공하되,상기 제1 멤브레인 식각 구멍의 직경은 3μm 내지 20μm인 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 발열 구조체는 평면적 관점에서 상기 제1 멤브레인 식각 구멍과 중첩되지 아니하는 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 제2 멤브레인 상의 보상 전극; 및상기 보상 전극 상의 보상 소재 구조체; 를 더 포함하는 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 제1 멤브레인 식각 구멍은 4개가 제공되는 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 제1 멤브레인 식각 구멍의 직경은 5μm인 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 제2 멤브레인은 상기 제2 멤브레인의 상면 및 하면을 연결하도록 상하로 연장되어 상기 제1 멤브레인 식각 구멍과 연결되는 제2 멤브레인 식각 구멍을 제공하는 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 상기 격리 공간에 둘러싸여 있는 복수 개의 기둥을 포함하되,상기 복수 개의 기둥의 각각은 상하로 연장되어 상기 제1 멤브레인의 하면과 상기 함입면을 연결하는 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 마그네슘(MgO), 석영(quartz), 갈륨-질소(GaN), 갈륨-비소(GaAs), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 또는 폴리이미드(PI)를 포함하고,상기 제1 멤브레인과 상기 제2 멤브레인의 각각은 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 가스 센서
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기판 상에 제1 멤브레인을 적층하는 것;상기 제1 멤브레인 상에 발열 구조체를 형성하는 것;상기 제1 멤브레인 및 상기 발열 구조체 상에 제2 멤브레인을 적층하는 것;상기 제2 멤브레인을 패터닝하여 제2 멤브레인 식각 구멍을 형성하는 것;상기 제2 멤브레인 상에 감지 전극을 형성하는 것;상기 제2 멤브레인 식각 구멍을 통해 상기 제1 멤브레인에 제1 멤브레인 식각 구멍을 형성하는 것; 및상기 제1 멤브레인 식각 구멍 및 상기 제2 멤브레인 식각 구멍을 통해 상기 기판의 일부를 식각하는 것; 을 포함하되,상기 기판의 일부를 식각하는 것은 상기 기판의 상면 일부가 밑으로 함입되어 격리 공간을 형성하는 것을 포함하며,상기 제1 멤브레인 식각 구멍의 직경은 3μm 내지 20μm인 가스 센서 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 발열 구조체는 평면적 관점에서 상기 제1 멤브레인 식각 구멍과 중첩되지 아니하는 가스 센서 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 기판의 일부를 식각하는 것은 상기 격리 공간에 둘러싸인 복수 개의 기둥을 남겨두는 것을 포함하되,상기 복수 개의 기둥의 각각은 상하로 연장되어 상기 제1 멤브레인의 하면과 상기 함입면을 연결하는 가스 센서 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 기판 상에 상기 제1 멤브레인을 적층하는 것 및 상기 제1 멤브레인 및 상기 발열 구조체 상에 상기 제2 멤브레인을 적층하는 것의 각각은, 열산화 증착법, 스퍼터링 증착법 또는 화학 기상 증착법을 이용해 진행되는 가스 센서 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제1 멤브레인 식각 구멍은 4개가 제공되는 가스 센서 제조 방법
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