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기판에 소스 및 드레인 영역과 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 및 드레인 영역 상에 터븀(Tb) 층을 적층시키는 단계; 상기 터븀 층 상에 금속 층을 적층시키는 단계; 및상기 터븀 층과 상기 금속 층이 적층된 상기 기판을 열처리 하는 단계;를 포함하되,상기 소스 및 드레인 영역은 게르마늄층으로 구성되고,상기 터븀 층 상에 금속 층을 적층시키는 단계는, 상기 터븀 층 상에 니켈(Ni) 층을 적층시키는 단계; 및상기 니켈 층 상에 타이타늄 나이트라이드(TiN) 층을 적층시키는 단계; 를 포함하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 터븀 층은 스퍼터링 방식 또는 전자빔 방식을 이용하여 적층되는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 영역 상에 터븀(Tb) 층을 적층시키는 단계에서,상기 터븀 층은 1 내지 10nm의 두께로 적층되는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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반도체 소자의 콘택 형성 방법에 있어서, 게르마늄(Ge)층이 형성된 기판을 제공하고;상기 게르마늄층 상에 터븀층을 형성하고;상기 터븀층 상에 금속층을 형성하고;상기 터븀층과 상기 금속층이 형성된 기판을 열처리함을 포함하되,상기 금속층을 형성함은, 상기 터븀층 상에 니켈층을 형성하고;상기 니켈층 상에 타이타늄 나이트라이드층을 형성함을 포함하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제4항에 있어서, 상기 게르마늄층이 형성된 기판을 제공함은, 실리콘 기판 상에 게르마늄층을 에피택시 성장하고;상기 게르마늄층에 n-형 또는 p-형 불순물 이온을 주입함을 포함하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제4에 있어서, 상기 터븀층과 상기 금속층이 형성된 기판에 대한 상기 열처리는, 상기 터븀층의 터븀, 상기 금속층의 금속, 상기 게르마늄층의 게르마늄이 합금을 형성하도록 처리되는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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