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입력전압(Vdd)의 차단 시 자동으로 비휘발성 메모리의 임시 전력을 공급하는 자동 저장(Auto-Store) 회로에 있어서,입력전압(Vdd)이 인가되는 입력단에서 3개의 결선 경로가 형성되되, 제1 결선 경로에 마련된 다이오드(D1);게이트 단이 상기 입력단에 연결되고, 일단은 그라운드를 형성하며, 타단이 하기 제1, 2 커패시터(C1, C2) 사이에 분기점을 형성하도록 연결된 제2 결선 경로에 마련된 제1 반도체 스위치(M1);제3 결선 경로에 마련된 제2, 3 반도체 스위치(M2, M3); 상기 제1 결선 경로에 출력 노드를 형성하는 제1 커패시터(C1); 및일단이 그라운드를 형성하고, 타단이 상기 제2, 3 반도체 스위치(M2, M3)와 연결된 제2 커패시터(C2);를 포함하며, 상기 제2 반도체 스위치(M2)는, 게이트 단이 상기 입력단에 연결되고, 일단은 상기 제3 반도체 스위치(M3)의 게이트 단과 연결되며, 타단은 상기 제2 커패시터(C2)와 상기 제3 반도체 스위치(M3) 사이에 분기점을 형성하고,상기 제3 반도체 스위치(M3)는, 양 단이 상기 제1 커패시터(C1) 및 상기 제2 커패시터(C2)와 각각 연결되며,상기 제1, 2 반도체 스위치(M1, M2)는 NMOS 소자이며, 상기 제3 반도체 스위치(M3)는 PMOS 소자로서, 입력전압(Vdd)의 온(on) 상태 시 상기 제1 결선 경로와 상기 제3 결선 경로가 상기 제1, 2 커패시터(C1, C2)의 충전 경로가 되고, 입력전압(Vdd)의 오프(off) 상태 시 상기 제1 결선 경로에서 출력전압(Vout)이 형성되는 것을 특징으로 하는 자동 저장(Auto-Store) 회로
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