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복합 전해질 필름을 포함하는 전고체 이차전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022004818
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 전고체 이차 전지의 제조 방법은 복합 전해질 필름을 형성하는 것, 및 상기 복합 전해질 필름의 양면 상에 각각 양극 및 음극을 형성하는 것을 포함한다. 상기 복합 전해질 필름을 형성하는 것은 이온 저항층으로 코팅된 무기계 이온 전도체 분말을 준비하는 것, 상기 이온 저항층을 제거하여 무기계 이온 전도체 분말의 표면을 노출시키는 것, 상기 무기 이온 전도체 분말을 유기계 이온 전도체 및 용매와 혼합하여 복합 전해질 용액을 제조하는 것, 및 상기 복합 전해질 용액에서 상기 용매를 제거하는 것을 포함한다.
Int. CL H01M 10/056 (2010.01.01) H01M 10/058 (2010.01.01)
CPC H01M 10/056(2013.01) H01M 10/058(2013.01) H01M 2300/0091(2013.01) H01M 2300/0094(2013.01) H01M 2300/0071(2013.01)
출원번호/일자 1020200140286 (2020.10.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0056285 (2022.05.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.09.03)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신동옥 세종특별자치시 갈매
2 이영기 대전광역시 유성구
3 이명주 대전광역시 유성구
4 강석훈 대전광역시 유성구
5 김광만 대전광역시 유성구
6 김주미 대전광역시 중구
7 김주영 세종특별자치시 남세
8 오지민 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-1140783-77
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2021.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2021-1020895-35
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번호 청구항
1 1
복합 전해질 필름을 형성하는 것; 및상기 복합 전해질 필름의 양면 상에 각각 양극 및 음극을 형성하는 것을 포함하고,상기 복합 전해질 필름을 형성하는 것은:이온 저항층으로 코팅된 무기계 이온 전도체 분말을 준비하는 것;상기 이온 저항층을 제거하여 무기계 이온 전도체 분말의 표면을 노출시키는 것;상기 무기계 이온 전도체 분말을 유기계 이온 전도체 및 용매와 혼합하여 복합 전해질 용액을 제조하는 것; 및상기 복합 전해질 용액에서 상기 용매를 제거하는 것을 포함하는 전고체 이차 전지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 무기계 이온 전도체 분말의 탄소 농도는 상기 이온 저항층의 탄소 농도보다 작은 전고체 이차 전지의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 이온 저항층의 유전 상수는 상기 무기계 이온 전도체 분말의 유전 상수보다 작은 전고체 이차 전지의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 이온 저항층을 제거하는 것은:등방성 식각 공정을 포함하는 전고체 이차 전지의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 등방성 식각 공정은:건식 식각 공정 및 습식 식각 공정 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전고체 이차 전지의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 건식 식각 공정은 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 공정 및 기상 식각 공정 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전고체 이차전지의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 무기계 이온 전도체 분말을 상기 유기계 이온 전도체 및 상기 용매와 혼합하기 전에,상기 무기계 이온 전도체 분말을 비활성 기체 분위기의 용기에 보관하는 것을 더 포함하는 전고체 이차전지의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 무기계 이온 전도체 분말은 상기 유기계 이온 전도체와 접촉하는 전고체 이차전지의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 복합 전해질 필름은:상기 무기계 이온 전도체 분말을 0w% 초과 내지 80w%의 비율로 포함하는 전고체 이차 전지의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 무기계 이온 전도체 분말은 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(lithium lanthanum zirconium oxide, LLZO)를 포함하고,상기 이온 저항층은 탄산리튬(Li2CO3)을 포함하는 전고체 이차 전지의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 복합 전해질 필름의 두께는 50~200μm 인 전고체 이차 전지의 제조 방법
12 12
제1항에 있어서,상기 무기계 이온 전도체 분말은 구 형상을 가지고, 상기 무기계 이온 전도체 분말의 직경은 50 nm~ 50 μm 이고,상기 이온 저항층의 두께는 10nm 이상 내지 100nm인 전고체 이차 전지의 제조 방법
13 13
제1 항에 있어서,상기 이온 저항층으로 코팅된 무기계 이온 전도체 분말을 준비하는 것은:대기 중에서 무기계 이온 전도체 분말을 형성하는 것을 포함하고,상기 이온 저항층은 상기 대기의 수분, 산소 및 이산화탄소 중 적어도 어느 하나와 상기 무기계 이온 전도체 분말이 반응하여 형성되는 전고체 이차 전지의 제조 방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 무기계 이온 전도체 분말을 형성하는 것은 열처리 공정을 포함하고,상기 이온 저항층은 상기 열처리 공정 중 또는 상기 열처리 공정 이후에 형성되는 전고체 이차 전지의 제조 방법
15 15
제1항에 있어서,상기 무기계 이온 전도체 분말의 유전 상수는 40 내지 60이고,상기 이온 저항층의 유전상수는 4 내지 6인 전고체 이차 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원(ETRI) 기후변화대응기술개발사업 나노입자의 차원 제어를 통한 흑연/고체전해질 복합체 기반의 3차원 구조 음극 설계 및 조성 최적화