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마스터 패턴이 형성된 마스터 기판 상에 연성 물질을 제공하는 단계;상기 연성 물질을 상기 마스터 기판으로부터 분리하여 상기 마스터 패턴의 역상을 갖는 베이스 패턴을 포함하는 베이스 기판을 형성하는 단계;상기 베이스 패턴 상에 금속산화물의 목표 물질을 증착하는 단계; 및상기 목표 물질이 도포된 상기 베이스 기판을 타깃 기판과 접촉시켜, 상기 목표 물질을 동시에 상기 타깃 기판 상에 전사하여 나노선(nanowire)을 제조하는 단계를 포함하는 비-화학량론적 비결정질 금속산화물 나노구조체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 목표 물질의 비-화학량론적 산소 비율을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 비-화학량론적 비결정질 금속산화물 나노구조체 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 목표 물질의 비-화학량론적 산소 비율을 조절하는 단계는금속산화물의 상기 목표 물질이 상기 베이스 패턴 상에 증착될 때 비결정질 산소 비율을 조절하는, 비-화학량론적 비결정질 금속산화물 나노구조체 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 목표 물질의 비-화학량론적 산소 비율을 조절하는 단계는상기 목표 물질의 산화도 및 상태 변화, 그리고 증착 환경 압력 및 산소양 조절을 통해 비결정질의 산소비율을 조절하는 것을 특징으로 하는, 비-화학량론적 비결정질 금속산화물 나노구조체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 나노선을 안정화하는 단계를 더 포함하며,상기 나노선을 안정화하는 단계는노출된 공기 분위기에서 상기 나노선을 열처리하는, 비-화학량론적 비결정질 금속산화물 나노구조체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속산화물의 목표 물질을 증착하는 단계는상기 베이스 기판의 일면에 산화주석(SnO2), 니켈산화물(NiO), 산화아연(ZnO) 및 이리듐산화물(IrO2)로 이루어진 군에서 하나 또는 2개 이상으로 선택된 금속산화물을 증착하는, 비-화학량론적 비결정질 금속산화물 나노구조체 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 금속산화물의 목표 물질을 증착하는 단계는전자빔 증착법(E-beam evaporation), 열 증착법(thermal evaporation)또는 스퍼터링 증착법(RF or DC sputtering)에 의해 진공 분위기에서 상기 베이스 패턴 상에 상기 목표 물질을 증착하는, 비-화학량론적 비결정질 금속산화물 나노구조체 제조 방법
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제1항 내지 제7항 중 적어도 어느 한 항의 방법을 수행하여 제조되는 나노선(nanowire)의 나노물질로 형성된 비-화학량론적 비결정질 금속산화물 나노구조체
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