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불휘발성 메모리 장치 및 메모리 제어기를 포함하는 스토리지 장치의 동작 방법에 있어서:상기 메모리 제어기가 제1 읽기 명령 및 제1 오프셋 정보를 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계;상기 제1 읽기 명령 및 상기 제1 오프셋 정보에 기반하여, 상기 불휘발성 메모리 장치가 제1 읽기 동작들을 수행하는 단계;상기 불휘발성 메모리 장치가 상기 제1 읽기 동작들의 결과를 제1 데이터로서 상기 메모리 제어기로 전송하는 단계;상기 메모리 제어기가 제2 읽기 명령, 읽기 레벨 정보, 그리고 제2 오프셋 정보를 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계;상기 제2 읽기 명령, 상기 읽기 레벨 정보, 그리고 상기 제2 오프셋 정보에 기반하여, 상기 불휘발성 메모리 장치가 제2 읽기 동작들을 수행하는 단계; 그리고상기 불휘발성 메모리 장치가 상기 제2 읽기 동작들의 결과들을 제2 데이터로서 상기 메모리 제어기로 전송하는 단계를 포함하는 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 읽기 동작들을 수행하는 단계는:제1 읽기 레벨을 이용하여 읽기 동작을 수행하는 단계;상기 제1 읽기 레벨보다 상기 제1 오프셋 정보만큼 높은 제2 읽기 레벨을 이용하여 읽기 동작을 수행하는 단계; 그리고상기 제1 읽기 레벨보다 상기 제1 오프셋 정보만큼 낮은 제3 읽기 레벨을 이용하여 읽기 동작을 수행하는 단계를 포함하는 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 읽기 동작들을 수행하는 단계는:상기 읽기 레벨 정보에 대응하는 제1 읽기 레벨을 이용하여 읽기 동작을 수행하는 단계;상기 제1 읽기 레벨보다 상기 제2 오프셋 정보만큼 높은 제2 읽기 레벨을 이용하여 읽기 동작을 수행하는 단계; 그리고상기 제1 읽기 레벨보다 상기 제2 오프셋 정보만큼 낮은 제3 읽기 레벨을 이용하여 읽기 동작을 수행하는 단계를 포함하는 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 메모리 제어기가 제3 읽기 명령을 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계;상기 제3 읽기 명령에 응답하여, 상기 불휘발성 메모리 장치가 제3 읽기 동작을 수행하는 단계; 그리고상기 불휘발성 메모리 장치가 상기 제3 읽기 동작의 결과를 제3 데이터로서 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계를 더 포함하는 동작 방법
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제4항에 있어서,상기 제3 데이터에 대해 에러 정정 디코딩을 수행하는 단계를 더 포함하고,상기 메모리 제어기가 제1 읽기 명령 및 제1 오프셋 정보를 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계, 상기 제1 읽기 명령 및 상기 제1 오프셋 정보에 기반하여, 상기 불휘발성 메모리 장치가 제1 읽기 동작들을 수행하는 단계, 상기 불휘발성 메모리 장치가 상기 제1 읽기 동작들의 결과를 제1 데이터로서 상기 메모리 제어기로 전송하는 단계, 상기 메모리 제어기가 제2 읽기 명령, 읽기 레벨 정보, 그리고 제2 오프셋 정보를 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계, 상기 제2 읽기 명령, 상기 읽기 레벨 정보, 그리고 상기 제2 오프셋 정보에 기반하여, 상기 불휘발성 메모리 장치가 제2 읽기 동작들을 수행하는 단계, 그리고 상기 불휘발성 메모리 장치가 상기 제2 읽기 동작들의 결과들을 제2 데이터로서 상기 메모리 제어기로 전송하는 단계는 상기 에러 정정 디코딩이 페일되는 것에 응답하여 수행되는 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 메모리 제어기가 제3 읽기 명령 및 상기 읽기 레벨 정보를 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계;상기 제3 읽기 명령 및 상기 읽기 레벨 정보에 응답하여, 상기 불휘발성 메모리 장치가 제3 읽기 동작을 수행하는 단계; 그리고상기 불휘발성 메모리 장치가 상기 제3 읽기 동작의 결과를 제3 데이터로서 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계를 더 포함하는 동작 방법
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제6항에 있어서,상기 제3 데이터에 대해 에러 정정 디코딩을 수행하는 단계를 더 포함하고,상기 메모리 제어기가 제2 읽기 명령, 읽기 레벨 정보, 그리고 제2 오프셋 정보를 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하는 단계, 상기 제2 읽기 명령, 상기 읽기 레벨 정보, 그리고 상기 제2 오프셋 정보에 기반하여, 상기 불휘발성 메모리 장치가 제2 읽기 동작들을 수행하는 단계, 그리고 상기 불휘발성 메모리 장치가 상기 제2 읽기 동작들의 결과들을 제2 데이터로서 상기 메모리 제어기로 전송하는 단계는 상기 에러 정정 디코딩이 페일되는 것에 응답하여 수행되는 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 데이터에 대해 에러 정정 디코딩을 수행하는 단계를 더 포함하고,상기 에러 정정 디코딩은 저밀도 패리티 검사(LDPC)(Low Density Parity Check)에 기반하는 동작 방법
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복수의 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치; 그리고제1 읽기 명령 및 제1 오프셋 정보를 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하고, 상기 제1 읽기 명령 및 상기 제1 오프셋 정보에 응답하여 상기 불휘발성 메모리 장치로부터 제1 데이터를 수신하고, 상기 제1 데이터에 기반하여 읽기 레벨 정보를 생성하고, 제2 읽기 명령, 상기 읽기 레벨 정보 및 제2 오프셋 정보를 상기 불휘발성 메모리 장치로 전송하고, 그리고 상기 제2 읽기 명령, 상기 읽기 레벨 정보 및 상기 제2 오프셋 정보에 응답하여 상기 불휘발성 메모리 장치로부터 제2 데이터를 수신하는 메모리 제어기를 포함하는 스토리지 장치
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복수의 불휘발성 메모리 장치들을 포함하는 전자 장치의 동작 방법에 있어서:상기 복수의 불휘발성 메모리 장치들에 대해 읽기 동작들을 수행하여, 메모리 셀들의 문턱 전압들의 분포 상태를 검출하는 단계;강한 에러 비율(SER)(String Error Ratio)의 값 그리고/또는 강한 정확함 비율(SCR)(Strong Correct Ration)의 값을 선택하는 단계;상기 메모리 셀들의 문턱 전압들의 분포 상태로부터 상기 SER의 값 그리고/또는 상기 SCR의 값에 대응하는 오프셋 값들을 획득하는 단계; 그리고상기 복수의 불휘발성 메모리 장치들의 특성들, 상기 읽기 동작들의 주소들 및 상기 오프셋 값들에 기반하여 기계 학습을 수행하여 오프셋 예측 모듈을 생성하는 단계를 포함하는 동작 방법
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