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기판; 및 상기 기판 상에 형성된 반도체 물질층을 포함하는 디바이스로서,상기 반도체 물질층 표면, 상기 기판 및 상기 반도체 물질층 사이, 또는 상기 둘 모두에 염소화 패시베이션층을 포함하는,디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 염소화 패시베이션층은 상기 기판, 상기 반도체 물질층의 표면 또는 상기 둘 모두에 존재하는 결함(defects)을 치유 및 보호하는 것인, 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 물질층 표면과 상기 기판의 표면은 오존 분위기에서 UV가 조사되어 표면 결함이 치유된 것인, 디바이스
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 물질은 내부에 염소화 패시베이션 물질을 추가 포함하는, 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 물질층은 SnO2, TiO2, ZnO, WO3, RuO2, LaxSr1-xCoO3, LaxSr1-xMnO3, BaSnO3 및 LaNiO3 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고,0 003c# x ≤ 0
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 ITO 또는 FTO를 포함하는 것인, 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 디바이스는 메모리소자(memory device), 태양광소자(solar cell) 또는 광전소자(optoelectronic device)를 포함하는 것인, 디바이스
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기판에 반도체 물질층 원료를 코팅하는 단계;코팅된 반도체 물질층에 오존 분위기 하에서 UV를 조사하여 표면 처리하는 단계; 및표면 처리된 반도체 물질층 상에 염소화 패시베이션 전구체를 스핀코팅하는 단계를 포함하는, 제 1 항에 따른 디바이스의 제조방법
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기판에 염소화 패시베이션 전구체를 스핀코팅하는 단계; 및형성된 염소화 패시베이션층에 반도체 물질층 원료를 코팅하는 단계를 포함하는, 제 1 항에 따른 디바이스의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 기판 또는 코팅된 반도체 물질층에 오존 분위기 하에서 UV를 조사하여 표면 처리하는 단계를 추가 포함하는, 디바이스의 제조방법
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제 9 항에 있어서,코팅된 반도체 물질층 상에 염소화 패시베이션 전구체를 스핀코팅하는 단계를 추가 포함하는, 디바이스의 제조방법
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기판에 오존 분위기 하에서 UV를 조사하여 표면 처리하는 단계;반도체 물질층 원료에 염소화 패시베이션 전구체를 혼합하는 단계; 및상기 기판에 상기 혼합된 반도체 물질층 원료를 코팅하는 단계 를 포함하는, 제 1 항에 따른 디바이스의 제조방법
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제 8 항, 제 9 항 및 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 염소화 패시베이션 전구체의 스핀코팅에서의 열처리 온도는 50℃ 내지 150℃인 것인, 디바이스의 제조방법
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