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헤테로고리 화합물, 이를 포함한 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

  • 기술번호 : KST2022005121
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하기 화학식 1로 표시된 헤테로고리 화합물, 이를 포함한 발광 소자 및 상기 발광 소자를 포함한 전자 장치가 개시된다: 003c#화학식 1003e# 상기 화학식 1에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
Int. CL C07F 7/08 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01)
CPC C07F 7/0805(2013.01) H01L 51/0094(2013.01) C09K 11/06(2013.01) H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5096(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5092(2013.01) H01L 51/5262(2013.01) H01L 27/32(2013.01) C09K 2211/1018(2013.01)
출원번호/일자 1020200142519 (2020.10.29)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 경상국립대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0058715 (2022.05.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 경상국립대학교산학협력단 대한민국 경상남도 진주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 엄현아 경기도 용인시 기흥구
2 김윤희 경상남도 진주시 가좌안골길**번길
3 권순기 경상남도 진주시 가좌안골길**번길
4 안희춘 경기도 용인시 기흥구
5 박지현 경상남도 통영시 용남면 대곡길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-1155353-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2021.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2021-5079964-11
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1474474-08
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는, 헤테로고리 화합물:003c#화학식 1003e#003c#화학식 2003e#상기 화학식 1 중EW1은 C3-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고, EW11은 -CN이고,d1은 0 또는 1이고,단, EW1이 π 전자 결핍성 함질소 C1-C60시클릭 그룹(π electron-depleted nitrogen-containing C1-C60 cyclic group)이거나 d1은 1이고,T1은 상기 화학식 2로 표시된 그룹이고,b1은 1 내지 5의 정수 중 하나이고, 상기 화학식 2 중 X1은 O 또는 S이고, L1은 단일 결합, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C4-C60카보시클릭 그룹 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,a1은 0 내지 5의 정수 중 하나이고,Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 π 전자 과잉 C3-C60시클릭 그룹(π electron-rich C3-C60 cyclic group)이고,상기 화학식 1 및 2 중 R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C3-C60카보시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), 또는 -C(=O)(Q1)이고,c1 및 c2는 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수 중 하나이고, 상기 R10a는,중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 또는 니트로기;중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11), -P(=O)(Q11)(Q12), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, 또는 C1-C60알콕시기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21), -P(=O)(Q21)(Q22), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, 또는 C6-C60아릴티오기; 또는-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31), 또는 -P(=O)(Q31)(Q32);이고,상기 Q1 내지 Q3, Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; 히드록실기; 시아노기; 니트로기; C1-C60알킬기; C2-C60알케닐기; C2-C60알키닐기; C1-C60알콕시기; 또는 중수소, -F, 시아노기, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹;이고,상기 화학식 2 중 *는 상기 화학식 1 중 EW1과의 결합 사이트이다
2 2
제1항에 있어서,상기 EW1은, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 피리미딘 그룹, 인다졸 그룹, 푸린 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 벤조이소퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 벤조퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 시놀린 그룹, 페난트리딘 그룹, 아크리딘 그룹, 페난트롤린 그룹, 페나진 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 이소벤조티아졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 티아디아졸 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 아크리딘 그룹 또는 피리도피라진 그룹인, 헤테로고리 화합물
3 3
제1항에 있어서,상기 화학식 1 중 EW1은,벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 또는 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌(1,2,3,4-tetrahydronaphthalene) 그룹이고,상기 d1은 1인, 헤테로고리 화합물
4 4
제1항에 있어서,상기 화학식 1 중 EW1은 하기 화학식 1(a) 또는 1(b)인, 헤테로고리 화합물:003c#화학식 1(a)003e# 003c#화학식 1(b)003e#상기 화학식 1(a) 및 1(b) 중,X11은 N 또는 C(R11)이고,X12은 N 또는 C(R12)이고,X13은 N 또는 C(R13)이고,X11 내지 X13 중 적어도 하나는 N 또는 C(CN)이고,R11 내지 R15에 대한 설명은 상기 R1에 대한 설명을 참조하고,T11 및 T12에 대한 설명은 상기 T1에 대한 설명을 참조한다
5 5
제4항에 있어서,상기 X11 내지 X13 중 적어도 2개는 N인, 헤테로고리 화합물
6 6
제4항에 있어서,상기 X11은 C(R11)이고,상기 X12은 C(R12)이고,상기 X13은 C(R13)이고,X11 내지 X13 중 적어도 하나는 C(CN)인, 헤테로고리 화합물
7 7
제1항에 있어서,상기 화학식 1 중 b1은, 1 또는 2인, 헤테로고리 화합물
8 8
제1항에 있어서,상기 화학식 2는, 하기 화학식 2-1 내지 2-4로 표시된 그룹 하나로 표시되는, 헤테로고리 화합물:상기 화학식 2-1 내지 2-4 중,X1, L1, a1, Ar1, Ar2, R2 및 c2는 각각 제1항에 기재된 바를 참조하고,*는 상기 화학식 1 중 EW1과의 결합 사이트이다
9 9
제1항에 있어서,상기 L1은 단일 결합; 또는 적어도 하나의 상기 R10a로 치환 또는 비치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 또는 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌(1,2,3,4-tetrahydronaphthalene) 그룹;인, 헤테로고리 화합물
10 10
제1항에 있어서,상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 상기 R10a로 치환 또는 비치환된, 벤젠 그룹, 헵탈렌 그룹, 인덴 그룹, 나프탈렌 그룹, 아줄렌 그룹, 인다센 그룹, 아세나프틸렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-바이플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타센 그룹, 헥사센 그룹, 펜타펜 그룹, 루비센 그룹, 코로넨 그룹, 오발렌 그룹, 피롤 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 이소인돌 그룹, 인돌 그룹, 인덴 그룹, 벤조퓨란 그룹, 벤조티오펜 그룹, 벤조실롤 그룹, 나프토피롤 그룹, 나프토퓨란 그룹, 나프토티오펜 그룹, 나프토실롤 그룹, 벤조카바졸 그룹, 디벤조카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조실롤 그룹, 인데노카바졸 그룹, 인돌로카바졸 그룹, 벤조퓨로카바졸 그룹, 벤조티에노카바졸 그룹, 벤조실롤로카바졸 그룹, 트라이인돌로벤젠 그룹, 피롤로페난트렌 그룹, 퓨라노페난트렌 그룹, 티에노페난트렌 그룹, 벤조나프토퓨란 그룹, 벤조나프토티오펜 그룹, (인돌로)페난트렌 그룹, (벤조퓨라노)페난트렌 그룹, 또는 (벤조티에노)페난트렌 그룹인, 헤테로고리 화합물
11 11
제1항에 있어서,하기 화합물 1 내지 96 중에서 선택된, 헤테로고리 화합물:
12 12
제1항에 있어서,400nm 이상 및 465nm 이하의 최대 발광 파장을 갖는 청색광을 방출하고,0
13 13
제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치되고, 발광층을 포함한 중간층;을 포함하고, 상기 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 헤테로고리 화합물을 포함한, 발광 소자
14 14
제13항에 있어서,상기 제1전극이 애노드이고, 상기 제2전극이 캐소드이고, 상기 중간층은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 수송 영역 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 배치된 전자 수송 영역을 더 포함하고,상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 보조층, 전자 저지층 또는 이의 임의의 조합을 포함하고,상기 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 발광 소자
15 15
제14항에 있어서, 상기 발광층 또는 전자 수송 영역 중 적어도 하나에 상기 헤테로고리 화합물이 포함되어 있는, 발광 소자
16 16
제13항에 있어서, 상기 헤테로고리 화합물은 호스트의 역할을 하는, 발광 소자
17 17
제14항에 있어서,상기 제1전극의 외측에 배치되고, 상기 화학식 1로 표시된 헤테로고리 화합물을 포함한 제1캡핑층;상기 제2전극의 외측에 배치되고, 상기 화학식 1로 표시된 헤테로고리 화합물을 포함한 제2캡핑층; 또는상기 제1캡핑층 및 상기 제2캡핑층;을 포함한, 발광 소자
18 18
제14항의 발광 소자를 포함한, 전자 장치
19 19
제18항에 있어서, 박막 트랜지스터를 더 포함하고,상기 박막 트랜지스터는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 발광 소자의 제1전극이 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 하나와 전기적으로 연결된, 전자 장치
20 20
제18항에 있어서,컬러 필터, 색변환층, 터치스크린층, 편광층, 또는 이의 임의의 조합을 더 포함한, 전자 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.