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ReRAM 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022005129
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ReRAM 제조 방법에 관한 것으로서, N형으로 헤비하게 도핑된 규소 재질로 구성되어 하부 전극 기능을 포함하는 기판을 제작하는 단계, 상기 기판 상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층 상에 비정질 산화물 박막으로 이루어지는 산화물층을 형성하는 단계 및 상기 산화물층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 산화물 층에 IGZO(Indium-Gallium-Zinc oxide)를 사용한 ReRAM를 제작함으로써, 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1633(2013.01) H01L 45/145(2013.01) H01L 45/1253(2013.01)
출원번호/일자 1020200141229 (2020.10.28)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0056545 (2022.05.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성진 경기도 안양시 만안구
2 이재윤 충청북도 청주시 서원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신명빌딩)(한맥국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-1147419-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.06.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.08.09 수리 (Accepted) 4-1-2021-5213510-18
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0214180-40
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0935550-28
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0110581-59
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0110580-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
N형으로 헤비하게 도핑된 규소 재질로 구성되어 하부 전극 기능을 포함하는 기판을 제작하는 단계; 상기 기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 비정질 산화물 박막으로 이루어지는 산화물층을 형성하는 단계; 및상기 산화물층 상에 상부 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 ReRAM 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 산화물층은 IGZO(Indium-Gallium-Zinc oxide) 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 ReRAM 제조 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 상부 전극은 MoW(Molybdenum tungsten)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 ReRAM 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 절연층은 TiO2(Titanium dioxide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 ReRAM 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 충북대학교 산학협력단 정보통신방송혁신인재양성(R＆D) Grand ICT 연구센터(충북대)
2 교육부 충북대학교 산학협력단 사회맞춤형 산학협력 선도대학(LINC+) 육성사업 사회맞춤형 산학협력 선도대학(LINC+) 육성사업(4차)
3 과학기술정보통신부 충북대학교 산학협력단 정보통신방송혁신인재양성(R＆D) 홀로그램 융합기술 연구개발