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비정질 산화물 박막을 갖는 저항 변화형 메모리

  • 기술번호 : KST2022005131
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항 변화형 메모리에 관한 것으로서, N형으로 헤비하게 도핑된 규소 재질로 구성되어 하부 전극 기능을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 절연층, 상기 절연층 상에 형성되는 산화물층 및 상기 산화물층 상에 형성되는 상부 전극을 포함한다. 여기서, 상기 산화물층은 비정질 산화물 박막으로 이루어진다. 본 발명에 의하면 산화물 층에 IGZO(Indium-Gallium-Zinc oxide)를 사용한 저항 변화형 메모리를 제작함으로써, 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1233(2013.01) H01L 45/145(2013.01) H01L 45/1253(2013.01)
출원번호/일자 1020200141228 (2020.10.28)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0056544 (2022.05.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성진 경기도 안양시 만안구
2 이재윤 충청북도 청주시 서원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신명빌딩)(한맥국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-1147418-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.06.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.08.09 수리 (Accepted) 4-1-2021-5213510-18
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0214120-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0935549-82
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0110578-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0110579-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
N형으로 헤비하게 도핑된 규소 재질로 구성되어 하부 전극 기능을 포함하는 기판;상기 기판 상에 형성되는 절연층;상기 절연층 상에 형성되는 산화물층; 및상기 산화물층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하되, 상기 산화물층은 비정질 산화물 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 변화형 메모리
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 산화물층은 IGZO(Indium-Gallium-Zinc oxide) 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 변화형 메모리
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 상부 전극은 MoW(Molybdenum tungsten)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 변화형 메모리
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 절연층은 TiO2(Titanium dioxide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 변화형 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 충북대학교 산학협력단 정보통신방송혁신인재양성(R＆D) Grand ICT 연구센터(충북대)
2 교육부 충북대학교 산학협력단 사회맞춤형 산학협력 선도대학(LINC+) 육성사업 사회맞춤형 산학협력 선도대학(LINC+) 육성사업(4차)
3 과학기술정보통신부 충북대학교 산학협력단 정보통신방송혁신인재양성(R＆D) 홀로그램 융합기술 연구개발