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(a) 탄소 복합재를 준비하는 단계;(b) 화학기상 반응(Chemical Vapor Reaction) 방법으로 상기 탄소 복합재의 표면에 탄화규소를 1차 코팅하는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계를 통해 탄화규소가 1차 코팅된 탄소 복합재 위에 화학기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 탄화규소를 2차 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 코팅이 적용된 내산화성 탄소 복합재 제조방법
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제1항에 있어서,상기 화학기상 반응(Chemical Vapor Reaction) 방법과 상기 화학기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 방법의 수행 온도는 500℃ 내지 1,400℃ 차이가 나는 것을 특징으로 하는 다층 코팅이 적용된 내산화성 탄소 복합재 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 탄소 복합재와 실리콘(Si) 소재를 반응 챔버 내에 장입하고, 불활성가스 분위기에서 2,000℃ 내지 2,500℃ 온도 조건으로 상기 화학기상 반응(Chemical Vapor Reaction) 방법을 수행하는 것을 특징으로 하는 다층 코팅이 적용된 내산화성 탄소 복합재 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계는,상기 (b) 단계를 통해 탄화규소(SiC)가 1차 코팅된 탄소 복합재를 반응 챔버에 넣고 실리콘 전구체 가스 및 수소의 혼합 가스 분위기에서 1,100℃ 내지 1,500℃ 온도 조건으로 상기 화학기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 방법을 수행하는 것을 특징으로 하는 다층 코팅이 적용된 내산화성 탄소 복합재 제조방법
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탄소 소재를 포함하여 이루어진 탄소 복합재; 및상기 탄소 복합재의 표면에 화학기상 반응(Chemical Vapor Reaction) 방법으로 탄화규소(SiC)를 1차 코팅하고, 화학기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 탄화규소(SiC)를 2차 코팅하여 형성된 내산화성 탄화규소 코팅층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 내산화성 탄소 복합재
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제5항에 있어서,상기 화학기상 반응 방법(Chemical Vapor Reaction)과 상기 화학기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 방법의 수행 온도는 500℃ 내지 1,400℃ 차이가 나도록 탄화규소(SiC)를 코팅하여 내산화성 탄화규소 코팅층을 형성된 것을 특징으로 하는 내산화성 탄소 복합재
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제5항에 있어서,상기 내산화성 탄화규소 코팅층은 두께가 20 ㎛ 내지 400 ㎛인 것을 특징으로 하는 내산화성 탄소 복합재
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