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차동 구동을 위한 두 개의 위상천이기를 포함하고 있는 GSG(Ground Signal Ground) 전극 배열의 광변조기 칩;상기 두 개의 위상천이기 각각에 연결된 GSG 전극에서 두 개의 그라운드 메탈 전극을 서로 연결시키기 위한 주기적 패턴의 메탈 전극을 포함하는 서브 기판; 및상기 광변조기 칩의 그라운드 메탈 전극과 상기 서브 기판의 주기적 패턴의 메탈 전극을 연결하기 위하여 상기 서브 기판의 메탈 전극과 동일한 주기적 패턴을 가지는 솔더 범프(Solder Bump)를 포함하는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제1항에 있어서,상기 서브 기판에 포함된 메탈 전극은,외부에서 입력되는 전기신호의 중심 파장 보다 짧은 주기에 대응하는 길이에 따라 형성되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제1항에 있어서,상기 서브 기판은,상기 광변조기 칩에서 발생되는 열을 방출하기 위해 실리콘 재질로 제작되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제1항에 있어서,상기 광변조기 칩과 서브 기판 사이는,언더필(Underfill) 물질, 고저항 물질 또는 공기로 채워지는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제1항에 있어서,상기 광변조기 칩과 서브 기판은,플립-칩 본딩을 위한 정렬점(Alignment Point, AP)을 포함하는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제1항에 있어서,상기 광변조기 칩에 포함된 두 개의 위상천이기는,SOI 웨이퍼 또는 국부적으로 SOI가 형성된 실리콘 웨이퍼에 구현되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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차동 구동을 위한 두 개의 위상천이기를 포함하고 있는 GSG(Ground Signal Ground) 전극 배열의 광변조기 칩;상기 두 개의 위상천이기 각각에 연결된 GSG 전극에서 두 개의 그라운드 메탈 전극을 서로 연결시키기 위한 주기적 패턴의 메탈 전극을 포함하는 서브 기판; 및상기 광변조기 칩의 그라운드 메탈 전극과 상기 서브 기판의 주기적 패턴의 메탈 전극을 연결하기 위하여 상기 서브 기판의 메탈 전극과 동일한 주기적 패턴을 가지는 솔더 범프(Solder Bump)를 포함하고,상기 서브 기판에 포함된 주기적 패턴의 메탈 전극은,서로 연결되거나 하나의 메탈 층으로 형성되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제7항에 있어서,상기 서브 기판에 포함된 메탈 전극은,외부에서 입력되는 전기신호의 중심 파장 보다 짧은 주기에 대응하는 길이에 따라 형성되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제7항에 있어서,상기 서브 기판은,상기 광변조기 칩에서 발생되는 열을 방출하기 위해 실리콘 재질로 제작되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제7항에 있어서,상기 광변조기 칩과 서브 기판 사이는,언더필(Underfill) 물질, 고저항 물질 또는 공기로 채워지는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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11
제7항에 있어서,상기 광변조기 칩과 서브 기판은,플립-칩 본딩을 위한 정렬점(Alignment Point, AP)을 포함하는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제7항에 있어서,상기 광변조기 칩에 포함된 두 개의 위상천이기는,SOI 웨이퍼 또는 국부적으로 SOI가 형성된 실리콘 웨이퍼에 구현되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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차동 구동을 위한 두 개의 위상천이기를 포함하고 있는 GSG(Ground Signal Ground) 전극 배열의 광변조기 칩;상기 두 개의 위상천이기 각각에 연결된 GSG 전극에서 두 개의 그라운드 메탈 전극을 서로 연결시키기 위한 주기적 패턴의 메탈 전극을 포함하는 서브 기판; 및상기 광변조기 칩의 그라운드 메탈 전극과 상기 서브 기판의 주기적 패턴의 메탈 전극을 연결하기 위하여 상기 서브 기판의 메탈 전극과 동일한 주기적 패턴을 가지는 솔더 범프(Solder Bump)를 포함하고,상기 광변조기 칩의 GSG 전극 중 그라운드 메탈 전극은,상기 서브 기판에 포함된 메탈 전극과 동일한 주기적 패턴에 따라 옥사이드 오픈 영역이 형성되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제13항에 있어서,상기 광변조기 칩의 GSG 전극을 구성하는 입력부 패드 영역은,상기 서브 기판의 전기신호 입력부 메탈 전극과 솔더 범프를 통해 연결됨으로써 전기신호가 상기 서브 기판으로부터 광변조기 칩으로 입력되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제13항에 있어서,상기 서브 기판에 포함된 메탈 전극은,외부에서 입력되는 전기신호의 중심 파장 보다 짧은 주기에 대응하는 길이에 따라 형성되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제13항에 있어서,상기 서브 기판은,상기 광변조기 칩에서 발생되는 열을 방출하기 위해 실리콘 재질로 제작되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제13항에 있어서,상기 광변조기 칩과 서브 기판 사이는,언더필(Underfill) 물질, 고저항 물질 또는 공기로 채워지는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제13항에 있어서,상기 광변조기 칩과 서브 기판은,플립-칩 본딩을 위한 정렬점(Alignment Point, AP)을 포함하는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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제13항에 있어서,상기 광변조기 칩에 포함된 두 개의 위상천이기는,SOI 웨이퍼 또는 국부적으로 SOI가 형성된 실리콘 웨이퍼에 구현되는 실리콘 포토닉스 기반 광송신기
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