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하기 화학식 1로 표시되는 보론 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 니트릴기, 할로겐기, 치환, 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환, 또는 비치환된 실릴기, 치환, 또는 비치환된 아민기, 치환, 또는 비치환된 아릴기, 치환, 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환, 또는 비치환된 디아릴아미노기, 치환, 또는 비치환된 디헤테로아릴아미노기, 또는 치환, 또는 비치환된 아릴헤테로아릴아미노기이고,X1은 단일 결합, 산소, 또는 황이고,X2 및 X3은 각각 독립적으로 수소이거나, 상호 결합하여 고리를 형성하고,L은 단일 결합, 또는 아릴렌기이고,Y1 내지 Y4는 질소, 또는 CR6이고,Y1 내지 Y4 중 적어도 하나는 질소이고,R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 니트릴기, 할로겐기, 치환, 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환, 또는 비치환된 실릴기, 치환, 또는 비치환된 아민기, 치환, 또는 비치환된 아릴기, 치환, 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환, 또는 비치환된 디아릴아미노기, 치환, 또는 비치환된 디헤테로아릴아미노기, 치환, 또는 비치환된 알콕시기, 또는 치환, 또는 비치환된 아릴옥시기이거나, 복수의 R5, 또는 R6가 각각 상호 결합하여 형성하는 고리 구조이고,n은 0 내지 4의 정수이다
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제7항에 있어서,상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이고,상기 유기물층은,제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 보론 화합물을 1종 이상 포함하는 발광층;상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되고, 정공주입층, 정공수송층 및 전자저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공수송영역; 및상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함하는 전자수송영역;을 포함하는, 유기 발광 소자
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