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투명 기재(10);상기 투명 기재(10) 상에 증착 형성되는 단결정 구리 박막 버퍼층(20); 및상기 단결정 구리 버퍼층(20) 상에 증착 형성되는 단결정 은 박막층(30);을 포함하며, 단결정 구리 박막 버퍼층(20)을 이용한 것에 특징이 있는 단결정 은 박막 구조체
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제 1항에 있어서, 상기 투명 기재(10)는 단결정을 가지는 사파이어 기재인 것을 특징으로 하는 단결정 은 박막 구조체
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제 1항에 있어서, 상기 단결정 구리 박막 버퍼층(20); 및 단결정 은 박막층(30);은 상호 독립적으로 동일한 결정축을 가지는 것을 특징으로 하는 단결정 은 박막 구조체
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제 3항에 있어서, 상기 단결정 구리 박막 버퍼층(20); 및 단결정 은 박막층(30);은 그 결정축을 a축, b축, c축으로 표현할 때, a축, b축, c축을 따라 동일한 간격으로 성장한 것을 특징으로 하는 단결정 은 박막 구조체
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제 1항에 있어서, 상기 단결정 은 박막 구조체는 하기 식 1으로 표현되는 반사도가 98% 이상인 것을 특징으로 하는 단결정 은 박막 구조체
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단결정 구리 잉곳 타겟에 플라즈마를 가하여 투명 기재(10) 상에 단결정 구리 박막 버퍼층(20)을 증착하는 단결정 구리 박막 버퍼층 형성단계(S100); 및 단결정 은 잉곳 타겟에 플라즈마를 가하여 상기 단결정 구리 박막 버퍼층(20) 상에 단결정 은 박막층(30)을 증착하는 단결정 은 박막층 형성단계(S200);을 포함하며, 단결정 구리 박막 버퍼층(20)을 이용한 것에 특징이 있는 단결정 은 박막 구조체 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 단결정 구리 박막 버퍼층 형성단계(S100);는 스퍼터링 방법을 이용하여 상기 투명 기재(10) 상에 단결정 구리 박막 버퍼층(20)을 증착하는 것을 특징으로 하는 단결정 은 박막 구조체 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 스퍼터링 방법은 150℃ 내지 250℃에서 20 내지 40W으로 수행하는 것을 특징으로 하는 단결정 은 박막 구조체 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 단결정 은 박막층 형성단계(S200);는 스퍼터링 방법을 이용하여 상기 단결정 구리 박막 버퍼층(20) 상에 단결정 은 박막층(30)을 증착하는 것을 특징으로 하는 단결정 은 박막 구조체 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 스퍼터링 방법은 100℃ 내지 250℃에서 5 내지 20W으로 수행하는 것을 특징으로 하는 단결정 은 박막 구조체 제조방법
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