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중심 부분에 개방부가 형성된 지지층; 및상기 개방부를 덮도록 상기 지지층 위에 형성되며, ZrBx(2003c#x003c#16)를 포함하여 90% 이상의 극자외선 투과율을 갖는 펠리클층;을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클
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제1항에 있어서,상기 지지층은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,코어층; 및상기 코어층의 양면에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 코어층 및 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 ZrBx(2003c#x003c#16)를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제3항에 있어서,상기 코어층은 ZrSix(x≤2), ZrCx(0
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제3항에 있어서,상기 캡핑층은 B, C, Zr, SiOx, SiNx, ZrOx, ZrSix(x≤2), ZrCx(0
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제3항에 있어서,상기 코어층은 ZrBx(2003c#x003c#16)으로 형성되고,상기 펠리클층의 두께는 40nm 이하되, 상기 코어층의 두께가 30nm 이상이고 상기 캡핑층의 두께가 10nm 이하인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,제1 면과, 상기 제1 면에 반대되는 제2 면을 갖는 코어층;상기 제1 면에 형성되는 제1 버퍼층;상기 제2 면에 형성되는 제2 버퍼층;상기 제1 버퍼층 위에 형성되는 제1 캡핑층; 및상기 제2 버퍼층 위에 형성되는 제2 캡핑층;을 포함하며,상기 코어층, 상기 제1 버퍼층, 상기 제2 버퍼층, 상기 제1 캡핑층 및 상기 제2 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 ZrBx(2003c#x003c#16)를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제7항에 있어서,상기 코어층은 ZrSix(x≤2), ZrCx(0
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제7항에 있어서,상기 제1 및 제2 버퍼층은 각각,B, C, Zr, ZrSix(x≤2), ZrCx(0
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제7항에 있어서,상기 제1 및 제2 캡핑층은 각각,B, C, Zr, SiOx, SiNx, ZrOx, ZrSix(x≤2), ZrCx(0
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제7항에 있어서,상기 펠리클층의 두께는 40nm 이하되, 상기 제1 및 제2 버퍼층의 두께가 3nm 이하이고, 상기 제1 및 제2 캡핑층의 두께가 5nm 이하인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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중심 부분에 개방부가 형성된 지지층; 및상기 개방부를 덮도록 상기 지지층 위에 형성되며, ZrBx(2003c#x003c#16)를 포함하거나 Zr, B, Si 및 Mo에서 선택된 3성분계 이상의 소재를 포함하여 90% 이상의 극자외선 투과율을 갖는 펠리클층;을 포함하고,상기 펠리클층은,ZrBx(2003c#x003c#16)으로 형성되는 코어층; 및상기 코어층의 양면에 형성되는 캡핑층;을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클
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제12항에 있어서,상기 캡핑층은 상기 ZrBx(2003c#x003c#16)를 포함하거나 Zr, B, Si 및 Mo에서 선택된 3성분계 이상의 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제12항에 있어서, 상기 펠리클층은,제1 면과, 상기 제1 면에 반대되는 제2 면을 갖는 상기 코어층;상기 제1 면에 형성되는 제1 버퍼층;상기 제2 면에 형성되는 제2 버퍼층;상기 제1 버퍼층 위에 형성되는 제1 캡핑층; 및상기 제2 버퍼층 위에 형성되는 제2 캡핑층;을 포함하며,상기 제1 버퍼층, 상기 제2 버퍼층, 상기 제1 캡핑층 및 상기 제2 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 ZrBx(2003c#x003c#16)를 포함하거나 Zr, B, Si 및 Mo에서 선택된 3성분계 이상의 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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