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하부 전극;상기 하부 전극 상에 위치하며 정공추출물질을 포함하고 단파장 적외선에 반응하여 저항이 바뀌는 정공추출층;상기 정공추출층 상에 위치하며 단파장 적외선에 반응하여 전자-정공 쌍을 형성하는 양자점을 포함하는 광활성층;상기 광활성층 상에 위치하여 전자추출물질을 포함하고 단파장 적외선에 반응하여 저항이 바뀌는 전자추출층; 및상기 전자추출층 상에 위치하는 상부 전극;을 포함하고,상기 정공추출층 및 상기 전자추출층의 저항 변화로 출력 전류가 증폭되어 감도가 개선되며, 상기 정공추출물질은 Poly(3-hexylthiophene)(P3HT)을 포함하고,상기 양자점은 황화납(PbS) 또는 셀레늄화납(PbSe) 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 전자추출물질은 산화아연(ZnO) 나노입자를 포함하고,상기 정공추출층 내에서 상기Poly(3-hexylthiophene)(P3HT)의 농도는 10mg/ml내지 30mg/ml인 것을 포함하는 감도가 개선된 단파장 적외선 감지 센서
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제1항에 있어서 상기 정공추출층의 두께는 40nm내지 60nm인 것을 포함하는 감도가 개선된 단파장 적외선 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 광활성층 내에서 상기 황화납(PbS)의 농도는 20mg/ml내지 40mg/ml인 것을 포함하는 감도가 개선된 단파장 적외선 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 전자추출층 내에서 상기 산화아연(ZnO) 나노입자의 농도는 20mg/ml내지 40mg/ml인 것을 포함하는 감도가 개선된 단파장 적외선 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 전자추출층의 두께는 10nm내지 30nm인 것을 포함하는 감도가 개선된 단파장 적외선 감지 센서
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하부 전극 상에 정공추출물질을 포함하고 단파장 적외선에 반응하여 저항이 바뀌는 정공추출층을 형성하는 단계;상기 정공추출층 상에 단파장 적외선에 반응하여 전자-정공 쌍을 형성하는 양자점을 포함하는 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층 상에 전자추출물질을 포함하고 단파장 적외선에 반응하여 저항이 바뀌는 전자추출층을 형성하는 단계; 및상기 전자추출층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 정공추출물질은 Poly(3-hexylthiophene)(P3HT)을 포함하고, 상기 양자점은 황화납(PbS) 또는 셀레늄화납(PbSe) 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 전자추출물질은 산화아연(ZnO) 나노입자를 포함하고,상기 정공추출층 내에서 상기Poly(3-hexylthiophene)(P3HT)의 농도는 10mg/ml내지 30mg/ml인 것을 포함하는, 감도가 개선된 단파장 적외선 감지 센서 제조방법
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제10항에 있어서,상기 정공추출층의 두께는 40nm내지 60nm인 것을 포함하는 감도가 개선된 단파장 적외선 감지 센서 제조방법
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제10항에 있어서,상기 황화납(PbS)의 농도는 20mg/ml내지 40mg/ml인 것을 포함하는 감도가 개선된 단파장 적외선 감지 센서 제조방법
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제10항에 있어서,상기 전자추출층 내에서 상기 산화아연(ZnO) 나노입자의 농도는 20mg/ml내지 40mg/ml인 것을 포함하는 감도가 개선된 단파장 적외선 감지 센서 제조방법
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제10항에 있어서,상기 전자추출층의 두께는 10nm내지 30nm인 것을 포함하는 감도가 개선된 단파장 적외선 감지 센서 제조방법
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제1항에 따른 감도가 개선된 단파장 적외선 감지 센서를 포함하는 자동차
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