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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 금속산화물 층을 증착하는 단계;실리콘 (Si), 알루미늄 (Al), 이트륨 (Y), 지르코늄 (Zr), 가돌리늄 (Gd), 스트론튬 (Sr), 마그네슘 (Mg), 바륨 (Ba), 어븀 (Er), 네오디뮴 (Nd), 사마륨 (Sm) 및 란타늄 (La)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 도펀트를 상기 금속산화물 층에 도핑하여 상기 금속산화물 층 상에 도핑 층을 형성하는 단계; 및상기 금속산화물 층을 어닐링하는 단계;를 포함하고,상기 어닐링하는 단계는, 400 ℃ 이하의 온도 및 10 atm 내지 15 atm의 압력에서 수행되는 것이고,상기 금속산화물 층 및 상기 도핑 층은, 교대로 적층되어 형성되는 것이고,상기 금속산화물 층 및 상기 도핑 층의 두께는, 각각, 1 ㎚ 내지 5 ㎚인 것인,강유전체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은, 유리, 플렉서블 기판, 폴리이미드, 전극 또는 반도체를 포함하는 것인,강유전체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속산화물은, 하프니아(HfO2)를 포함하는 것인,강유전체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 강유전체 박막은, 플루오라이트 구조를 포함하는 것인,강유전체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 강유전체 박막의 두께는, 5 ㎚ 내지 20 ㎚인 것인,강유전체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 강유전체 박막은, XRD 분석의 X선 회절에 의해 발생하는 (111) 면의 회절 피크값 대비 (200) 면의 회절 피크값의 비가 0
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기판;상기 기판 상에 증착된 강유전체 박막; 및상기 강유전체 박막 상에 형성된 전극;을 포함하고,상기 강유전체 박막은, 제1항에 따른 강유전체 박막의 제조방법에 따라 제조되는 것인,강유전체 박막을 포함하는 커패시터
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