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어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는 이미지 센서 기판; 및상기 이미지 센서 기판 상에 페이스트 형태로 직접 적층 건조되어 상기 이미지 센서 기판과 일체형으로 형성되고, 방사선에 의해 가시광으로 변환하기 위한 섬광체 구조물을 포함하고,상기 섬광체 구조물의 전면 또는 후면을 향하여 조사된 상기 방사선이 상기 이미지 센서를 투과함에 따라, 상기 섬광체 구조물의 섬광물질에서 가시광을 발생하고, 상기 이미지 센서는 각 픽셀에서의 상기 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 섬광체 구조물의 직접 적층의 방식은, 섬광체 분말과 바인더를 혼합한 섬광체 페이스트에 의한 스크린 프린팅 또는 스프레이 코팅 방식을 포함하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 섬광체 구조물의 직접 적층의 방식은, 섬광체 분말과 바인더 혼합한 후 침전시켜서 획득한 섬광체 페이스트에 의한 스크린 프린팅 또는 스프레이 코팅 방식을 포함하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 섬광체 구조물은, 평균적 섬광체 입자크기가 균일한 단일 섬광체층을 포함하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 섬광체 구조물은, 평균적 섬광체 입자크기가 서로 다른 이중 섬광체층을 포함하는 방사선 디텍터
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제5항에 있어서,상기 이중 섬광체층은 상기 이미지 센서 측의 상기 입자크기가 그 반대측의 상기 입자크기 보다 더 크게 한 방사선 디텍터
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제5항에 있어서,상기 이중 섬광체층은 상기 이미지 센서 측의 상기 입자크기가 그 반대측의 상기 입자크기 보다 더 작게 한 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 이미지 센서 기판은, 평면형, 곡면형 또는 유연한 기판 상에 상기 복수의 픽셀 센서가 형성된 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 이미지 센서 기판은, 상기 복수의 픽셀 센서를 가지는 유리 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 카본 기판, 알루미늄 기판 또는 광섬유 기판을 포함하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 이미지 센서 기판은, 소정의 기판 상에, 비정질 실리콘 기반의 PD(photodiode)-TFT(thin film transistor) 어레이, 또는 결정질 실리콘 기반의 CMOS(complementary metal oxide semiconductor)나 CCD(Charge Coupled Device) 어레이를 포함하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 이미지 센서 기판은, 상기 소정의 기판 상에 상기 어레이가 형성된 후, 상기 소정의 기판의 뒷면을 식각하거나 연마하여 곡면형 또는 유연하게 만들어진 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 이미지 센서 기판 상에 페이스트 형태로 직접 적층 건조된 광흡수체 또는 광반사체를 더 포함하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 섬광체 구조물상에 페이스트 형태로 직접 적층 건조된 광흡수체 또는 광반사체를 더 포함하는 방사선 디텍터
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