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하기 화학식 1로 표시되는, 보론 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,Y1 내지 Y4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환, 또는 비치환된 실릴기, 치환, 또는 비치환된 아민기, 치환, 또는 비치환된 아릴기, 치환, 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환, 또는 비치환된 디아릴아미노기, 치환, 또는 비치환된 디헤테로아릴아미노기, 또는 치환, 또는 비치환된 아릴헤테로아릴아미노기이고,X1 내지 X4는 각각 독립적으로 수소이거나, 상호 결합하여 고리를 형성하고, R1 내지 R3은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 니트릴기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 디아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴헤테로아릴아미노기이거나, R1과 R2 또는 R2와 R3가 상호 결합하여 형성한 고리 구조이다
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제1항에 있어서,R1 내지 R3 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 내지 3 중 어느 하나로 표시되는, 보론 화합물:[화학식 2][화학식 3]상기 화학식 2 또는 3에서,X5 내지 X6은 각각 독립적으로 수소이거나, 상호 결합하여 고리를 형성하고,R4 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 방향족 고리, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 디아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴헤테로아릴아미노기이고,Y는 황, 산소, 하나 이상의 알킬기 또는 아릴기가 연결된 탄소이고,m, n, o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다
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제1항에 있어서,하기 화학식 1-1~1-132 중 어느 하나로 표시되는, 보론 화합물:
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제1항에 있어서,발광 스펙트럼이 450~600 nm에서 피크를 가지는, 보론 화합물
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제1항에 있어서,발광 스펙트럼의 반치폭이 40 nm 이하인, 보론 화합물
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6
제1항에 있어서,광발광양자수율이 0
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7
제1 전극;상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 1층 이상의 유기물층;을 포함하고,상기 유기물층 중 1층 이상은 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 보론 화합물을 1종 이상 포함하는, 유기 발광 소자
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제7항에 있어서,상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이고,상기 유기물층은,제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 보론 화합물을 1종 이상 포함하는 발광층;상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되고, 정공주입층, 정공수송층 및 전자저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공수송영역; 및상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함하는 전자수송영역;을 포함하는, 유기 발광 소자
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제7항에 있어서,상기 유기물 층은,1종 이상의 호스트 화합물;지연 형광 화합물 또는 인광 화합물; 및제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 보론 화합물을 1종 이상 포함하는 발광층을 포함하는, 유기 발광 소자
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