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LUMO 에너지 준위가 EL1이고, 지연 형광 도펀트인 제1 화합물; 및 LUMO 에너지 준위가 EL2이고, 호스트인 제2 화합물;을 포함하고,|EL1| - |EL2| ≤ 0
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제1항에 있어서,상기 제1 화합물은 하기 화학식 1의 구조로 표시되는, 유기 발광 소자:[화학식 1]상기 화학식 1에서 상기 D1은 하기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되고,[화학식 2][화학식 3][화학식 4]상기 식에서,A1 내지 A7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5~C60의 카보사이클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C2~C60의 헤테로사이클릭 그룹 중에서 선택되는 고리 구조이고,L1은 단일결합 또는 C6~C60 아릴렌이고,X1, X2는 각각 수소이거나 상호 결합하여 고리를 형성하고,X3는 O, N-R26, S 또는 C-(R27)2이고,X4, X5는 각각 독립적으로 O, N-R28, S 또는 C-(R29)2이고,R1 내지 R9은 각각 독립적으로 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C60 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C60 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3~C10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C10 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3~C10 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C10 헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,R26 내지 R29은 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C60 알킬기, C3~C10 시클로알킬기, C6~C60 아릴기 또는 C1~C60 헤테로아릴기 중에서 선택된다
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제1항에 있어서,상기 제2 화합물은 하기 화학식 5 및 화학식 6에서 선택된 하나의 구조로 표시되는, 유기 발광 소자:[화학식 5] [화학식 6] 상기 식에서,A8 내지 A9는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5~C60의 카보사이클릭 그룹 또는 C2~C60의 헤테로사이클릭 그룹 중에서 선택되는 고리 구조이고,X6는 N 또는 C-H이고,X7 내지 X9는 각각 독립적으로 N 또는 C-H에서 선택되고 적어도 하나는 N이며,Y1 내지 Y2는 각각 독립적으로 N-R30, O 또는 S에서 선택되고,R10 내지 R14는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 실릴, 시아노기, C1~C60 알킬기, C3~C10 시클로알킬기, C6~C60 아릴기, C1~C60 헤테로아릴기, C6~C30 디아릴아미노기, C2~C40 디헤테로아릴아미노기, C10~C40 아릴헤테로아릴아미노기 중에서 선택되고,R15 내지 R16은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 실릴, 시아노기, C1~C60 알킬기, C3~C10 시클로알킬기, C6~C60 아릴기, C1~C60 헤테로아릴기, C6~C30 디아릴아미노기, C2~C40 디헤테로아릴아미노기, C10~C40 아릴헤테로아릴아미노기 중에서 선택되고,R30은 수소, 중수소, C1~C60 알킬기, C3~C10 시클로알킬기, C6~C60 아릴기 또는 C1~C60 헤테로아릴기 중에서 선택되고,n은 1 또는 2이고,상기 화학식 5 또는 화학식 6의 화합물은 적어도 하나의 질소 함유 벤젠 또는 시아노기가 결합된 벤젠을 포함한다
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제1항에 있어서,상기 발광층은 하기 화학식 7 및 화학식 8에서 선택된 하나의 구조로 표시되고, 형광 또는 지연 형광 특성을 갖는 제3 화합물을 더 포함하고,지연 형광 감광형 초형광 소자인, 유기 발광 소자:[화학식 7] [화학식 8]상기 식에서,X10 내지 X11은 각각 독립적으로 수소이거나, 상호 결합하여 고리를 형성하고,R17 내지 R21은 각각 독립적으로 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C60 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C60 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3~C10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C10 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3~C10 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C10 헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,R22 내지 R25는 각각 독립적으로 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C60 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C60 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3~C10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C10 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3~C10 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C10 헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다
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제1항에 있어서,상기 제1 화합물은 하기 화합물 T-1 내지 T-82 중 하나의 구조를 가지는, 유기 발광 소자:
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제1항에 있어서,상기 제2 화합물은 하기 화합물 H-1 내지 H-35 중 하나의 구조를 가지는, 유기 발광 소자:
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제4항에 있어서,상기 제3 화합물은 하기 화합물 F-1 내지 F-51 중 하나의 구조를 가지는, 유기 발광 소자:
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,서로 마주하는 제1 전극 및 제2 전극; 및상기 제1 전극 및 제2 전극의 사이에 위치하는 층상 구조를 포함하고,상기 발광층은 상기 층상 구조에 포함된, 유기 발광 소자
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제8항에 있어서,상기 층상 구조는 정공주입층, 정공수송층, 엑시톤블로킹층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함하는, 유기 발광 소자
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제8항에 있어서,1,000 nits에서의 LT90 수명이 10시간 이상인, 유기 발광 소자
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