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기판을 제공하는 단계,상기 기판 위에 광반사 거울부를 제공하는 단계,상기 광반사 거울부 위에 광 검출부를 제공하는 단계,상기 광반사 거울부 위에 제공되어 상기 광 검출부를 덮는 반사 방지부를 제공하는 단계,상기 광반사 거울부의 제1 외주부 및 상기 반사 방지부의 제2 외주부를 각각 제거하는 단계, 및상기 제거된 제1 외주부에 대응 형성되어 상기 기판 위에 위치하고, 상기 광반사 거울부와 이격되어 상기 광반사 거울부를 둘러싸는 하드 마스크를 제공하는 단계를 포함하는 광 검출 소자의 제조 방법
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제1항에서,상기 하드 마스크를 제공하는 단계는,상기 광반사 거울부의 가장자리와 상기 기판의 표면에서 이격 형성되는 기설정 영역을 제외한 부분을 덮는 전자빔리지스트층을 제공하여 상기 기설정 영역에 대응하는 기판이 외부 노출되는 단계,상기 기설정 영역과 상기 전자빔리지스트층을 덮는 마스크층을 증착하는 단계,상기 전자빔리지스트층과 상기 전자빔리지스트층 위에 형성된 상기 마스크층을 제거하여 상기 기설정 영역에 잔존 마스크층을 제공하는 단계,상기 잔존 마스크층을 부분적으로 덮는 포토리지스트층을 상기 잔존 마스크층에 의해 정렬하면서 형성하고 상기 잔존 마스크층의 제3 외주부를 외부 노출시키는 단계,상기 제3 외주부 외측으로 노출된 상기 기판의 일부를 제거하는 단계, 및상기 포토리지스트층을 제거하여 상기 하드 마스크를 제공하는 단계를 포함하는 광 검출 소자의 제조 방법
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제2항에서,상기 제3 외주부 외측으로 노출된 상기 기판의 일부를 제거하는 단계에서 상기 제3 외주부의 상부가 식각되어 상기 제3 외주부의 높이가 상기 잔존 마스크층의 평균 높이보다 작아지는 광 검출 소자의 제조 방법
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제1항에서,상기 기판을 제공하는 단계에서,상기 기판은,원형부 및 상기 원형부의 일측에 연결되어 길게 뻗은 홀더부를 포함하고,상기 하드 마스크를 제공하는 단계에서, 상기 하드 마스크는 상기 원형부의 외주에 제공되는 광 검출 소자의 제조 방법
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제1항에서,상기 광반사 거울부의 제1 외주부 및 상기 반사 방지부의 제2 외주부를 각각 제거하는 단계는,상기 반사 방지부 위에 포토리지스트층을 형성하는 단계,습식 에칭에 의해 상기 제1 외주부 및 상기 제2 외주부를 각각 제거하는 단계, 및상기 포토리지스트층을 제거하는 단계를 포함하고,상기 반사 방지부와 상기 포토리지스트층의 공유 영역이 상기 반사 방지부와 상기 포토리지스트층의 비공유 영역에 의해 둘러싸이고, 상기 비공유 영역에 상기 제1 외주부 및 상기 제2 외주부가 위치하는 광 검출 소자의 제조 방법
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기판, 상기 기판 위에 위치하는 광반사 거울부,상기 광반사 거울부 위에 위치하는 광 검출부,상기 광반사 거울부 위에 위치하고 상기 광 검출부를 덮는 반사 방지부, 및상기 기판 위에 위치하고 상기 광반사 거울부와 이격되어 상기 광반사 거울부를 둘러싸는 하드 마스크를 포함하는 광 검출 소자
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제6항에서,상기 기판은,원형부 및 상기 원형부의 일측에 연결되어 길게 뻗은 홀더부를 포함하고,상기 하드 마스크는 상기 원형부의 외주에 위치하는 광 검출 소자
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제6항에서,상기 하드 마스크의 폭은 10㎛ 내지 20㎛이고,상기 하드 마스크는,상기 광반사 거울부와 이격되어 상기 광반사 거울부를 마주하면서 둘러싸는 내면부, 및상기 내면부와 접하여 상기 내면부의 외측을 둘러싸는 외주부를 포함하고,상기 내면부의 높이는 상기 외주부의 높이보다 큰 인 광 검출 소자
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제6항에서,상기 하드 마스크는 크롬, 알루미늄 또는 산화실리콘으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 광 검출 소자
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제6항에서,상기 하드 마스크와 상기 광반사 거울부의 이격 거리는 10㎛ 내지 1000㎛인 광 검출 소자
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제6항에서,상기 기판의 측면과 상기 하드 마스크의 측면은 상호 얼라인되어 수직으로 연속 연결된 광 검출 소자
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