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(a) 구리 박막을 하드 마스크로 패터닝하고 식각하여 마스킹하는 단계;(b) 에틸렌디아민((NH2)2C2H4), 아세트산(CH3COOH) 및 불활성 가스를 포함하는 혼합가스를 플라즈마화하는 단계; (c) 상기 (b) 단계에서 생성된 플라즈마를 이용하여 상기 (a) 단계에서 마스킹된 하드마스크를 이용하여 구리 박막을 식각하는 단계;를 포함하는 구리 박막의 식각방법
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제5항에 있어서,상기 (a) 단계의 하드 마스크는 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), TiO2, Ti, TiN, Ta, W 또는 비정질 카본(amorphous carbon) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 에틸렌디아민과 아세트산의 부피비는 9:1 내지 6:4의 범위인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서의 상기 혼합가스내 에틸렌디아민과 아세트산의 부피의 합은 전체 혼합가스에 대하여 50 내지 100vol%의 범위인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서의 공정 온도는 10℃ 내지 25℃인 것을 특징으로 하는 구리박막의 식각방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서의 플라즈마화는 0
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서의 플라즈마화는 300 내지 900W의 코일 고주파 전력 (ICP rf power)을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 구리박막의 식각방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서의 플라즈마화는 200 내지 400V의 dc-bias 전압을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 구리박막의 식각방법
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조되며, 76˚ 이상의 식각경사를 가지는 구리박막
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