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플라즈마 식각 방법

  • 기술번호 : KST2022005790
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마 식각 방법이 개시된다. 플라즈마 식각 방법은 액상의 헵타플루오로프로필메틸에테르(HFE-347mcc3) 및 펜타플루오로프로판올(PFP)을 증기화시키는 제1 단계 상기 증기화된 HFE-347mcc3, PFP 및 아르곤 가스를 포함하는 방전가스를 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 공급하는 제2 단계 및 상기 방전가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 이를 이용하여 상기 식각 대상을 플라즈마 식각하는 제3 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01) H01J 37/32 (2006.01.01)
CPC H01L 21/31116(2013.01) H01L 21/0217(2013.01) H01L 21/76802(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) H01J 37/32174(2013.01)
출원번호/일자 1020200151781 (2020.11.13)
출원인 아주대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0065365 (2022.05.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창구 서울특별시 송파구
2 김준현 경기도 용인시 기흥구
3 유상현 경기도 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-1217245-19
2 보정요구서
Request for Amendment		 2020.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0171572-25
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-1234923-00
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.04.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
액상의 헵타플루오로프로필메틸에테르(HFE-347mcc3) 및 펜타플루오로프로판올(PFP)을 증기화시키는 제1 단계; 상기 증기화된 HFE-347mcc3와 PFP 그리고 아르곤 가스를 포함하는 방전가스를 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 공급하는 제2 단계; 및상기 방전가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 이를 이용하여 상기 식각 대상을 플라즈마 식각하는 제3 단계를 포함하는,플라즈마 식각 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 액상의 HFE-347mcc3 및 PFP를 증기화한 후 상기 플라즈마 챔버에 제공하기 위해, 상기 액상의 HFE-347mcc3을을 수용하는 제1 용기를 상기 HFE-347mcc3의 끓는점 이상의 제1 온도로 가열하고, 상기 제1 용기와 상기 플라즈마 챔버를 연결하는 제1 연결배관을 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 가열하고, 상기 액상의 PFP를 수용하는 제2 용기를 상기 PFP의 끓는점 이상의 제3 온도로 가열하고, 상기 제2 용기와 상기 플라즈마 챔버를 연결하는 제2 연결배관을 상기 제3 온도보다 높은 제4 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는,플라즈마 식각 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 방전가스에서 HFE-347mcc3 및 PFP의 합산 유량에 대한 HFE-347mcc3의 유량 비율은 37
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제3항에 있어서,상기 HFE-347mcc3 및 상기 PFP의 합산 유량과 상기 아르곤 가스의 유량 비율은 1:1 내지 1:3인 것을 특징으로 하는,플라즈마 식각 방법
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제1항에 있어서, 상기 식각 대상은 폴리실리콘 기판 상에 형성된 실리콘 질화막이고,상기 방전가스에서 상기 HFE-347mcc3 및 상기 PFP의 합산 유량에 대한 상기 HFE-347mcc3의 유량 비율은 37
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 아주대학교산학협력단 에너지수요관리핵심기술개발(에특)(R＆D) PFC 가스 대체용 Fluoro-ether 및 Fluoro-alcohol 계열 Precursor를 이용한 식각공정 기술 개발(GRRC아주2020B03 경기도지역협력연구센터)
2 과학기술정보통신부 아주대학교 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 콘택홀 직경 조절과 고종횡비 비등방성 식각의 동시 구현이 가능한 다중순환 플라즈마 식각