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기판의 일측 부분에 배치된 소스;상기 기판의 타측 부분에 배치된 드레인;상기 소스 및 상기 드레인 사이의 상기 기판 상에 배치된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극의 양측 가장자리들 및 측벽들 상에 배치된 스페이서들;상기 게이트 전극과, 상기 게이트 절연막 사이에 배치되고, 상기 스페이서들 및 상기 게이트 절연막 사이에 배치되어 상기 게이트 절연막을 상기 스페이서로들부터 분리시키는 강유전체 박막; 상기 스페이서들 사이의 상기 게이트 전극 상에 배치된 제 1 비아 전극; 그리고상기 스페이서들, 상기 강유전체 박막, 및 상기 게이트 절연막의 양측 측벽들로부터 노출되는 상기 소스 및 상기 드레인 상에 배치된 제 2 비아 전극들을 포함하는 강유전체 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 소스 및 상기 드레인은 제 1 거리를 갖고,상기 게이트 절연막 및 상기 강유전체 박막의 각각은 상기 제 1 거리보다 큰 제 1 폭을 갖는 강유전체 트랜지스터
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제 2 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 제 1 거리보다 크고 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 강유전체 트랜지스터
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 비아 전극들은 상기 제 1 폭에 대응되는 제 2 거리를 갖는 강유전체 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 강유전체 박막 및 상기 게이트 절연막의 각각은 상기 제 2 비아 전극들의 내측 측벽에 접촉하는 강유전체 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 강유전체 박막은 리튬 니오븀 산화물(LiNbO3), 또는 리튬 탄탈륨 산화물(LiTaO3)을 포함하는 강유전체 트랜지스터
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제 6 항에 있어서,상기 강유전체 박막은 납-지르코늄-티타늄 복합산화물(PZT(Pb(zr,Ti)03)), 페로브스카이트 층상 구조(Perovskite layer structure), 바륨-스트론튬-티타늄 복합산화물(BST((Ba,Sr)Ti03)), 나트륨-칼륨-니오븀 복합산화물(NkN((Na,K)Nb03)), 비스무스 타이타네이트(Bismuth titanate), 폴리불화비닐라덴(poly vinyl idene fluoride; PVDF), 또는 하프늄 산화물(HfO2)을 더 포함하는 강유전체 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 실리콘 산화물을 포함하는 강유전체 트랜지스터
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제 7 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 세륨산화물(CeO2), 이트리아 안정화 지르코니아(Yttria-stabilized zirconia, YSZ), 알루미늄 산화물(Al2O3), 하프늄 산화물(HfO2), 또는 실리콘 질화물(SiN)을 더 포함하는 강유전체 트랜지스터
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상기 스페이서들은 실리콘 산화물을 포함하는 강유전체 트랜지스터
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기판의 양측 부분들에 소스 및 드레인을 형성하는 단계;상기 소스, 상기 드레인 및 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 강유전체 박막을 형성하는 단계;상기 강유전체 박막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 중심 상면을 노출하는 제 1 비아 홀을 갖고, 상기 게이트 전극의 양측 가장자리들 및 측벽들을 덮는 스페이서들을 형성하는 단계;상기 스페이서들, 상기 강유전체 박막 및 상게 게이트 절연막의 일부를 제거하여 상기 소스 및 드레인의 일 부분들을 노출하는 제 2 비아 홀들을 형성하는 단계; 그리고상기 제 1 비아 홀과 상기 제 2 비아 홀들 내에 제 1 비아 전극과 제 2 비아 전극들을 각각 형성하는 단계를 포함하되,상기 강유전체 박막은 상기 스페이서들과 상기 게이트 절연막 사이에 형성되어 상기 게이트 절연막을 상기 스페이스들로부터 분리시키는 강유전체 트랜지스터의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 게이트 전극은 리프트 오프 공정으로 형성되는 강유전체 트랜지스터의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 강유전체 박막 및 상기 게이트 절연막의 각각은 상기 제 2 비아 전극들 사이의 거리에 대응하는 폭을 갖도록 형성되는 강유전체 트랜지스터의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 게이트 절연막 및 상기 강유전체 박막의 상기 폭보다 작은 폭을 갖도록 형성되는 강유전체 트랜지스터의 제조 방법
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