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h-BN을 이용한 GaN 단결정 성장기판 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022005909
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 h-BN을 이용한 GaN 단결정 성장기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 베이스 기판의 상부면에 2차원 구조를 갖는 h-BN 기판을 형성하는 단계; 상기 h-BN 기판의 상부에 일정온도영역에서 소정의 두께로 GaN 저온 버퍼층을 성장시키는 단계; 상기 GaN 저온 버퍼층의 온도를 단결정 성장온도영역으로 승온시켜 GaN 단결정을 성장시키는 단계; 및 상기 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02458(2013.01) H01L 21/0242(2013.01) H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/02598(2013.01) H01L 21/0262(2013.01)
출원번호/일자 1020200152828 (2020.11.16)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0066610 (2022.05.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서태훈 광주광역시 광산구
2 이종호 광주광역시 광산구
3 김은미 광주광역시 북구
4 남태식 광주광역시 북구
5 이칠형 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강서구 마곡중앙로 ***-*, 비동 ***호 (마곡동, 두산더랜드파크)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-1224585-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판의 상부면에 2차원 구조를 갖는 h-BN 기판을 형성하는 단계;상기 h-BN 기판의 상부에 일정온도영역에서 소정의 두께로 GaN 저온 버퍼층을 성장시키는 단계;상기 GaN 저온 버퍼층의 온도를 단결정 성장온도영역으로 승온시켜 GaN 단결정을 성장시키는 단계; 및상기 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 h-BN을 이용한 GaN 단결정 성장기판의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 h-BN을 이용한 GaN 단결정 성장기판의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 GaN 저온 버퍼층을 성장시키는 단계는 560℃의 온도에서 5분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 h-BN을 이용한 GaN 단결정 성장기판의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 GaN 단결정을 성장시키는 단계는 1,130℃의 온도에서 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 h-BN을 이용한 GaN 단결정 성장기판의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,제거된 상기 베이스 기판은 재사용되는 것을 특징으로 하는 h-BN을 이용한 GaN 단결정 성장기판의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 GaN 단결정을 성장시키는 단계는 MOCVD, HVPE 및 MOVPE로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 장비를 이용하는 것을 특징으로 하는 h-BN을 이용한 GaN 단결정 성장기판의 제조방법
7 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항으로 제조되는 것을 특징으로 하는 h-BN을 이용한 GaN 단결정 성장기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획재정부 한국생산기술연구원 기업수요기반생산기술실용화사업Ⅰ 스마트 모빌리티 핵심 요소기술 개발
2 과학기술정보통신부 한국전자기술연구원 인공지능중심산업융합집적단지조성(R＆D) 에너지 프로슈머 빅데이터 분석 및 AI 알고리즘을 활용한 P2P 에너지 블록체인 기술 개발