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유기발광다이오드 및 유기발광장치

기술번호 : KST2022005972
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 2개의 전극 사이에 위치하는 발광물질층이 질소 원자를 가지는 축합 헤테로 방향족 고리를 포함하는 제 1 화합물 및 BODIPY계 제 2 화합물을 포함하는 유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 포함하는 유기발광장치에 관한 것이다. 제 1 화합물과 제 2 화합물은 동일한 발광물질층 내에 또는 인접한 발광물질층에 포함될 수 있다. 에너지 준위가 조절될 수 있는 제 1 화합물과 제 2 화합물을 포함한 발광물질층을 적용하여, 유기발광다이오드의 구동 전압을 낮추고 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL	H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC	H01L 51/0072(2013.01) H01L 51/008(2013.01) H01L 51/0069(2013.01) H01L 51/5004(2013.01) H01L 51/504(2013.01) H01L 2251/55(2013.01)
출원번호/일자	1020200153493 (2020.11.17)
출원인	엘지디스플레이 주식회사, 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2022-0067131 (2022.05.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	18

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구
2	경희대학교 산학협력단	대한민국	경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호	이름	주소
1	민혜리	경기도 파주시
2	신인애	경기도 파주시
3	김준연	경기도 파주시
4	권장혁	경기도 용인시 기흥구
5	맹지현	경기도 용인시 기흥구
6	정영훈	경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	네이트특허법인	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 *, *호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2020.11.17	수리 (Accepted)	1-1-2020-1229707-26

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극; 및상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하며, 발광물질층을 포함하는 발광층을 포함하고, 상기 발광물질층은 제 1 화합물 및 제 2 화합물을 포함하고, 상기 제 1 화합물은 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하고, 상기 제 2 화합물은 하기 화학식 6의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하며, 상기 제 1 화합물의 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital, HOMO) 에너지 준위 (HOMODF)와 상기 제 2 화합물의 HOMO 에너지 준위(HOMOFD)는 하기 식 (1)을 충족하고, 상기 제 1 화합물의 최저비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital, LUMO) 에너지 준위(LUMODF)와 상기 제 2 화합물의 LUMO 에너지 준위(LUMOFD)는 하기 식 (3)을 충족하는 유기발광다이오드\|HOMODF - HOMOFD\| ≤ 0
2	2 제 1 전극;상기 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극; 및상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하며, 제 1 발광물질층과 제 2 발광물질층을 포함하는 발광층을 포함하고, 상기 제 1 발광물질층은 제 1 화합물을 포함하고, 상기 제 2 발광물질층은 상기 제 1 전극과 상기 제 1 발광물질층 사이 또는 상기 제 2 전극과 상기 제 2 발광물질층 사이에 위치하며, 제 2 화합물을 포함하며, 상기 제 1 화합물은 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하고, 상기 제 2 화합물은 하기 화학식 6의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하며, 상기 제 1 화합물의 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital, HOMO) 에너지 준위 (HOMODF)와 상기 제 2 화합물의 HOMO 에너지 준위(HOMOFD)는 하기 식 (1)을 충족하고, 상기 제 1 화합물의 최저비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital, LUMO) 에너지 준위(LUMODF)와 상기 제 2 화합물의 LUMO 에너지 준위(LUMOFD)는 하기 식 (3)을 충족하는 유기발광다이오드\|HOMOFD - HOMODF\| ≤ 0
3	3 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 화학식 6의 R31 내지 R37 중에서 적어도 2개는 C6-C30 방향족 또는 C3-C30 헤테로 방향족인 유기발광다이오드
4	4 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1 화합물은 하기 화학식 2의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하고, 상기 제 2 화합물은 하기 화학식 7의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
5	5 제 4항에 있어서, 상기 제 1 화합물은 하기 화학식 3의 구조를 가지는 유기 화합물에서 선택되는 어느 하나를 포함하고, 상기 제 2 화합물은 하기 화학식 8의 구조를 가지는 유기 화합물에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 유기발광다이오드
6	6 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1 화합물은 하기 화학식 4의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하고, 상기 제 2 화합물은 하기 화학식 9의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
7	7 제 6항에 있어서, 상기 제 1 화합물은 하기 화학식 5의 구조를 가지는 유기 화합물에서 선택되는 어느 하나를 포함하고, 상기 제 2 화합물은 하기 화학식 8의 구조를 가지는 유기 화합물에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 유기발광다이오드
8	8 제 1항에 있어서, 상기 발광물질층은 제 3 화합물을 더욱 포함하는 유기발광다이오드
9	9 제 8항에 있어서, 상기 제 3 화합물의 여기 단일항 에너지 준위 및 여기 삼중항 에너지 준위는 각각 상기 제 1 화합물의 여기 단일항 에너지 준위 및 여기 삼중항 에너지 준위보다 높은 유기발광다이오드
10	10 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 제 1 화합물의 HOMO의 에너지 준위(HOMODF)와 상기 제 2 화합물의 HOMO 에너지 준위(HOMOFD)는 하기 식 (2)를 충족하는 유기발광다이오드
11	11 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1 화합물의 LUMO 에너지 준위(LUMODF)와 상기 제 2 화합물의 LUMO 에너지 준위(LUMOFD)는 하기 식 (4)를 충족하는 유기발광다이오드
12	12 제 2항에 있어서, 상기 제 1 발광물질층은 제 3 화합물을 더욱 포함하고, 상기 제 2 발광물질층은 제 4 화합물을 더욱 포함하는 유기발광다이오드
13	13 제 12항에 있어서, 상기 제 3 화합물의 여기 단일항 에너지 준위 및 여기 삼중항 에너지 준위는 각각 상기 제 1 화합물의 여기 단일항 에너지 준위 및 여기 삼중항 에너지 준위보다 높은 유기발광다이오드
14	14 제 12항에 있어서, 상기 제 4 화합물의 여기 단일항 에너지 준위는 상기 제 2 화합물의 여기 단일항 에너지 준위보다 높은 유기발광다이오드
15	15 제 2항에 있어서, 상기 발광물질층은 상기 제 1 발광물질층을 중심으로 상기 제 2 발광물질층의 반대쪽에 위치하는 제 3 발광물질층을 더욱 포함하는 유기발광다이오드
16	16 제 15항에 있어서, 상기 제 3 발광물질층은 제 5 화합물과 제 6 화합물을 포함하고, 상기 제 5 화합물은 상기 화학식 6의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드
17	17 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 발광층은 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 제 1 발광부와, 상기 제 1 발광부와 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 제 2 발광부와, 상기 제 1 및 제 2 발광부 사이에 위치하는 전하생성층을 포함하고, 상기 제 1 발광부와 상기 제 2 발광부 중에서 적어도 하나는 상기 발광물질층을 포함하는 유기발광다이오드
18	18 기판; 및 상기 기판 상에 위치하는 제1항 또는 제2항의 유기발광다이오드를 포함하는 유기발광장치

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2020.11.17	수리 (Accepted)	1-1-2020-1229707-26


과제고유번호	1345330446
세부과제번호	5120200113702
연구과제명	차세대 가상증강현실 하드웨어 선도기술 혁신교육연구단
성과구분	출원
부처명	교육부
연구관리전문기관명	경희대학교
연구주관기관명	한국연구재단
성과제출연도	2020
연구기간	202009~202708
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

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