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금속산화물층;상기 금속산화물층 일면에 접하여 위치하는 자기조립단분자막(self assembled monolayer, SAM);상기 자기조립단분자막 상 서로 이격 위치하는 제1전극과 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역에 위치하는 금속 나노입자층;를 포함하는 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 자기조립단분자막은 아미노실란계 화합물인 수소 가스 센서
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제2항에 있어서,상기 아미노실란계 화합물은 3-아미노프로필트리메톡시실란(3-aminopropyltrimethoxysilane), 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-aminopropyltriethoxysilane), 3-아미노프로필메틸디에톡시실란(3-aminopropylmethyldiethoxysilane), 아미노프로필실란트리올(aminopropylsilanetriol), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylsilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane), (3-트리에톡시실리프로필)디에틸렌트리아민((3-triethoxysilylpropyl)dietylenetriamine)로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것인 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자층의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자층, 제1전극 및 제2전극 상에 형성되는 고분자층을 더 포함하는 수소 가스 센서
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제5항에 있어서,상기 고분자층의 고분자는 아크릴레이트계 고분자 또는 비닐계 고분자인 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 금속산화물층의 금속은 갈륨, 인듐, 주석 및 이들의 복합체에서 하나 이상 선택되는 것인 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 금속산화물층의 두께는 5 ㎚ 내지 300 ㎚ 인 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 자기조립단분자막의 두께는 1 내지 30 ㎚ 인 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자층의 금속은 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rd), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 바나듐(V) 또는 이들의 합금로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것인 수소 가스 센서
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제 1항에 있어서,작동온도가 1 내지 50 ℃ 범위인 수소 가스 센서
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제 1항에 있어서,소모 전력이 10 nW 이하인 수소 가스 센서
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제1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 따른 수소 가스 검출 센서를 이용한 가스 검출 방법
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제13항에 있어서,0
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a) 절연층의 일면에 금속산화물층을 형성하는 단계;b) 상기 절연층과 접하지 않는 금속산화물층의 일면에 자기조립단분자막을 형상하는 단계;c) 상기 금속산화물층과 접하지 않는 자기조립단분자막의 일면에 서로 이격되는 제1전극과 제2전극을 형성하는 단계; 및d) 상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역에 금속 나노입자층을 형성하는 단계; 를 포함하는 수소 가스 센서의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 d) 단계 후, 상기 제1전극, 제2전극 및 금속 나노입자층 상에 고분자층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 수소 가스 센서의 제조방법
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