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광위상 배열 안테나로서, 레이저 발생기로부터 광을 입력받는 결합부; 상기 결합부로부터 전파되는 광을 복수의 안테나소자 도파로로 분배하는 광분배부; 상기 복수의 안테나소자 도파로를 통해 전파되는 광의 위상을 변조하는 위상 변조부; 및 상기 위상 변조부에서 변조된 광을 출력하되, 일 방향으로 연장되는 상기 안테나소자 도파로를 포함하는 광출력부; 를 포함하고, 상기 안테나소자 도파로는, 상기 일 방향을 따라, 상부면을 기준으로 하방으로 만입된 하방 만입부위와, 하부면을 기준으로 상방으로 만입된 상방 만입부위가 교번하여 반복 형성된 이중격자 안테나부를 포함하는, 광위상 배열 안테나
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청구항 1에 있어서, 상기 안테나소자 도파로는, 상부면 및 하부면의 높이가 일정한 상태로 상기 일 방향으로 연장되는 플랫 도파로부; 를 더 포함하며, 상기 일 방향을 기준으로, 상기 플랫 도파로부 및 상기 이중격자 안테나부 순서로 배치되는, 광위상 배열 안테나
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청구항 2에 있어서, 상기 이중격자 안테나부는, 수직 방향을 기준으로, 상기 하방 만입부위의 깊이인 제1 깊이가 상기 상방 만입부위의 깊이인 제2 깊이보다 상대적으로 더 크게 형성되는, 광위상 배열 안테나
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청구항 3에 있어서, 상기 이중격자 안테나부는, 상기 일 방향을 기준으로, 상기 제1 만입부위의 길이인 제1 길이가 상기 상방 만입부위의 길이인 제2 길이보다 상대적으로 더 크게 형성되는, 광위상 배열 안테나
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청구항 4에 있어서, 상기 이중격자 안테나부는, 수직 방향을 기준으로, 상기 상방 및 하방 만입부위가 중복되어, 상기 상방 및 하방 만입부위가 상호 연통되는 중복영역을 포함하며, 상기 중복영역은 소정의 중공을 형성하는, 광위상 배열 안테나
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청구항 5에 있어서, 상기 상방 및 하방 만입부위는, 사각형의 수직 단면을 갖도록 형성된, 광위상 배열 안테나
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7
청구항 1에 있어서, 상기 상방 및 하방 만입부위 각각은, 상기 일 방향을 따라, 소정의 거리를 피치로 반복형성되며, 상기 일 방향을 기준으로, 상기 상방 만입부위 및 하방 만입부위의 피치는 상기 소정의 거리로 동일하게 형성되는, 광위상 배열 안테나
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청구항 7에 있어서, 상기 광출력부를 통해 출력되는 광의 정방향으로부터 수직방향으로의 방사각도(θ); 모드의 유효굴절률(neff); 배경굴절률(nbackground); 동작파장(λ); 및 상기 상방 만입부위 및 하방 만입부위의 피치(Λ); 는 하기의 식 1에 따르는, 광위상 배열 안테나
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청구항 1에 있어서, 상기 이중격자 안테나부는, 하부 레이어 및 상부 레이어가 적층된 상태로 구성되며, 상기 하방 만입부위는, 상기 상부 레이어의 상부를 식각(etching) 처리하여 형성되고, 상기 상방 만입부위는, 상기 하부 레이어의 하부를 식각 처리하여 형성되는, 광위상 배열 안테나
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청구항 9에 따른 광위상 배열 안테나의 이중격자 안테나부 가공 방법으로서, (a) 제1 내지 제3 레이어가 적층된 상태인 절연체상-실리콘(silicon-on-insulator, SOI)를 준비하는 단계(S110); (b) 상기 제3 레이어에 상기 상방 만입부위를 형성하기 위해, 상기 제3 레이어를 식각(etching) 가공하는 단계(S120); (c) 실리콘(SiO2)을 통해 상기 제3 레이어에 디포지션(deposition) 처리를 수행하는 단계(S130); (d) 상기 (c) 단계에서 디포지션 처리된 상기 실리콘이 상기 제3 레이어의 상부면과 대응되는 높이로 형성되어 평탄화되도록, 상기 제3 레이어 상측의 실리콘을 식각 가공하는 단계(S140); (e) 상기 (d) 단계에서 식각 가공된 상기 제3 레이어 상부면에, 제4 레이어를 디포지션 처리하는 단계(S150); (f) 상기 제4 레이어에 상기 하방 만입부위를 형성하기 위해, 상기 제4 레이어를 식각 가공하는 단계(S160); 및 (g) 상기 제4 레이어에 실리콘을 통해 디포지션(deposition) 처리를 수행하는 단계(S170); 를 포함하며, 상기 하부 레이어는, 상기 (b) 단계의 상기 제3 레이어이고, 상기 상부 레이어는 상기 (f) 단계의 상기 제4 레이어인, 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 (e) 단계(S150)에서, 상기 제3 및 제4 레이어는, 질화규소(Si3N4)로 이루어진, 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 (a) 단계(S110) 이후 및 (b) 단계(S120) 이전에는, (a1) 상기 상방 만입부위 형성을 위해, 상기 제3 레이어 상에, 전자 레지스트(electron resist, ER)를 코팅 처리하는 단계(S111); 및 (a2) 상기 (a1) 단계에서 코팅 처리된 상기 전자 레지스트의 기설정된 부위에 전자빔(electron-beam, E-Beam)을 조사하는 단계로서, 상기 전자 레지스트가 상기 상방 만입부위와 대응되는 형상으로 식각 가공되는 단계(S112); 를 더 포함하며, 상기 (b) 단계(S120)는, 상기 (a2) 단계(S112)에 따른, 상기 전자 레지스트의 형상을 이용하여, 상기 제3 레이어를 식각 가공하는, 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 (e) 단계(S150) 이후 및 (f) 단계(S160) 이전에는, (e1) 상기 하방 만입부위 형성을 위해, 상기 제4 레이어 상에, 전자 레지스트를 코팅 처리하는 단계(S151); 및 (e2) 상기 (e1) 단계에서 코팅 처리된 상기 전자 레지스트의 기설정된 부위에 전자빔(electron-beam, E-Beam)을 조사하는 단계로서, 상기 전자 레지스트가 상기 상방 만입부위와 대응되는 형상으로 식각 가공되는 단계(S152); 를 더 포함하며, 상기 (f) 단계(S160)는, 상기 (e2) 단계(S152)에 따른, 상기 전자 레지스트의 형상을 이용하여, 상기 제4 레이어를 식각 가공하는, 방법
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레이저 발생기; 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 광위상 배열 안테나; 상기 광위상 배열 안테나에서 방사된 후 물체에 의해 반사된 광을 수신하는 광 수신부; 및 상기 광 수신부에서 수신된 신호를 처리하는 신호처리부; 를 포함하는, 라이다
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