1 |
1
고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법에 있어서,처리할 기판을 바이어스 전극 상에 로딩하는 로딩단계(S810);식각 반응 가스를 주입하는 가스주입단계(S820);플라즈마를 형성하기 위해 고주파 소스 전력을 반응 챔버 내부의 소스 전극에 인가하고, 이온 에너지를 제어하기 위한 저주파 바이어스 전력을 상기 반응 챔버 내부의 상기 바이어스 전극에 인가하는 전력인가단계(S830);플라즈마가 발생되는 플라즈마발생단계(S840); 및발생된 플라즈마를 이용하여 상기 기판의 표면을 식각하는 식각단계(S850)를 포함하는 고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 전력인가단계(S830)는,상기 소스 전극에 펄스 변조되어 온 구간 및 오프 구간이 반복하는 고주파 소스 전력을 인가하여 활성종의 밀도를 주기적으로 증가 및 감소시키는 단계; 및상기 소스 전력의 온 구간 및 오프 구간에 대응하여 동기화되어 오프 구간 및 온 구간이 반복하는 상기 저주파 바이어스 전력을 상기 바이어스 전극에 인가하여 이온 에너지를 비활성화 및 활성화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 전력인가단계(S830)는,상기 소스 전극에 펄스 변조되어 온 구간 및 오프 구간이 반복하는 고주파 소스 전력을 인가하여 활성종의 밀도를 주기적으로 증가 및 감소시키는 단계; 및상기 소스 전력의 오프 구간 내에서 상기 바이어스 전극에 저주파 바이어스 전력을 인가하여 이온 에너지를 활성화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법
|
4 |
4
제2항 및 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소스 전극에 인가되는 고주파 소스 신호는 13
|
5 |
5
제4항에 있어서,상기 소스 전극에 인가되는 고주파 소스 신호 및 상기 바이어스 전극에 인가되는 저주파 바이어스 신호를 제어하여, 활성종의 밀도, 이온의 밀도, 및 기판에 도달하는 이온의 에너지 크기를 독립적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법
|
6 |
6
제5항에 있어서,상기 반응 챔버 내의 전자의 밀도 및 이온의 밀도는, 상기 고주파 소스 신호의 듀티비(duration rate)에 비례하므로,활성종의 평균 밀도가 상기 고주파 소스 신호의 듀티비에 비례하는 것을 특징으로 하는 고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법
|
7 |
7
제5항에 있어서,상기 반응 챔버 내의 전자의 밀도 및 이온의 밀도는,상기 고주파 소스 신호의 펄스 주파수(pulse frequency)에 비례하므로,활성종의 평균 밀도가 상기 고주파 소스 신호의 펄스 주파수에 비례하는 것을 특징으로 하는 고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법
|
8 |
8
제5항에 있어서,상기 반응 챔버 내의 이온 에너지 분포 함수는,상기 저주파 바이어스 신호의 주파수(Frequency)가 높을수록 상기 이온의 에너지는 바이어스 근처에 생성된 쉬스의 신간에 대한 평균 전압에 의해 결정되는 것을 특징으로 하고, 상기 저주파 바이어스 신호의 주파수(Frequency)가 낮을수록 이온의 에너지는 쉬스에 걸린 실시간 변하는 전압에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법
|
9 |
9
제 1항 내지 제 8항 중 선택되는 어느 한 항에 기재된 고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법을 구현하기 위한 프로그램이 저장된 컴퓨터 판독 가능한 기록매체
|
10 |
10
제 1항 내지 제 8항 중 선택되는 어느 한 항에 기재된 고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법을 구현하기 위한 컴퓨터 판독 가능한 기록매체에 저장된 프로그램
|