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염화물계 고체전해질, 전고체전지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022006177
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 향상된 대기안정성, 고전압 안정성 및 리튬이온전도도를 제공하는 염화물계 고체전해질, 전고체전지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 염화물계 고체전해질의 2가의 금속이온(M2)을 함유하는 원료물질과, 4가의 금속이온(M4)을 이종원소를 함유하는 이종물질을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계, 혼합물을 펠렛타이징하는 단계, 및 펠렛타이징된 혼합물을 열처리하여 이종원소가 포함된 염화물계 고체전해질을 제조하는 단계를 포함하는 염화물계 고체전해질의 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01M 10/0562 (2010.01.01) C01G 45/00 (2006.01.01) H01B 1/06 (2006.01.01)
CPC H01M 10/0562(2013.01) C01G 45/006(2013.01) H01B 1/06(2013.01) H01M 2300/0068(2013.01)
출원번호/일자 1020200156019 (2020.11.19)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자 10-2403927-0000 (2022.05.26)
공개번호/일자 10-2022-0069204 (2022.05.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.19)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박건호 경기도 성남시 분당구
2 조우석 경기도 성남시 분당구
3 유지상 경기도 성남시 분당구
4 정구진 경기도 성남시 분당구
5 김경수 경기도 용인시 수지구
6 김주현 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2020-1245842-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0089169-82
4 등록결정서
Decision to grant
2022.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0379010-33
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번호 청구항
1 1
염화물계 고체전해질의 2가의 금속이온(M2)을 함유하는 원료물질과, 4가의 금속이온(M4)을 이종원소를 함유하는 이종물질을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;상기 혼합물을 펠렛타이징하는 단계; 및펠렛타이징된 혼합물을 열처리하여 상기 이종원소가 포함된 염화물계 고체전해질을 제조하는 단계;를 포함하는 염화물계 고체전해질의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 이종원소는 Ti, Zr, Hf, Si, Ge, Sn 및 Pb 중에 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 염화물계 고체전해질의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 염화물계 고체전해질은 Li2-2xM21-xM4xCl4 (0003c#x003c#1, M2는 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Mn, Fe, Co, Ni, Cu 및 Zn 중에 적어도 하나이고, M4는 Ti, Zr, Hf, Si, Ge, Sn 및 Pb 중에 적어도 하나)인 것을 특징으로 하는 염화물계 고체전해질의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 염화물계 고체전해질에서, 상기 M2는 Mn이고, 상기 M4는 Zr이고, 0003c#x≤0
5 5
제4항에 있어서,상기 이종물질은 ZrCl4 을 포함하고, 상기 원료물질은 LiCl 및 MnCl2 을 포함하는 것을 특징으로 하는 염화물계 고체전해질의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 혼합물을 제조하는 단계, 상기 펠렛타이징하는 단계, 및 상기 염화물계 고체전해질을 제조하는 단계는 각각,수분과 산소에 노출되지 않는 글로브박스 또는 드라이룸 내에서 수행되거나, 불활성가스 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 염화물계 고체전해질의 제조 방법
7 7
Li2-2xM21-xM4xCl4 (0003c#x003c#1, M2는 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Mn, Fe, Co, Ni, Cu 및 Zn 중에 적어도 하나이고, M4는 Ti, Zr, Hf, Si, Ge, Sn 및 Pb 중에 적어도 하나)으로 표시되는 염화물계 고체전해질
8 8
제7항에 있어서,상기 M2가 Mn이고, M4가 Zr인 경우, 상기 염화물계 고체전해질은 Li2-2xMn1-xZrxCl4 (0003c#x≤0
9 9
2가 금속이온(M2)을 함유하는 Li2M2Cl4 으로 표시되는 염화물계 고체전해질에서, 상기 2가 금속이온의 일부를 4가 금속(M4)으로 치환한 염화물계 고체전해질
10 10
제9항에 있어서,상기 염화물계 고체전해질은 Li2-2xM21-xM4xCl4 (0003c#x003c#1, M2는 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Mn, Fe, Co, Ni, Cu 및 Zn 중에 적어도 하나이고, M4는 Ti, Zr, Hf, Si, Ge, Sn 및 Pb 중에 적어도 하나)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 염화물계 고체전해질
11 11
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 제조된 염화물계 고체전해질을 포함하는 전고체전지
12 12
제11항에 있어서,상기 전고체전지는 고체전해질막, 양극, 음극 및 분리막을 포함하고,상기 염화물계 고체전해질은 상기 고체전해질막, 상기 양극, 상기 음극 및 상기 분리막 중에 적어도 하나에 포함되는 것을 특징으로 하는 전고체전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.