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구리 전해질; 및 하기의 화학식 1로 표시되는 평탄제;를 포함하는 전해 구리 도금액:[화학식 1] 이때, A1 및 A2는 각각 독립적으로 질소, 산소, 황, 인 중 하나 또는 두 개의 원소를 포함하는 포화 헤테로 고리 화합물을 포함하고, A3는 질소, 산소, 황, 인 중 하나 또는 두 개의 원소를 포함하는 불포화 헤테로 고리 화합물을 포함하고, X 는 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I), 질산염(NO3), 황산염(SO4), 탄산염(CO3), 인산염(PO4), 메틸황산염(CH3SO4) 및 수산기(OH)로 이루어진 이온 군 중 하나 이상을 포함하고,m, n 및 o는 각각 300 내지 3,000의 정수이다
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제 1 항에 있어서,상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 아지리딘, 옥시란, 티이란, 디아지리딘, 옥사지리딘, 디옥시란, 아제티딘, 옥세탄, 티에탄, 디아제티딘, 디옥세탄, 디티에탄, 피롤리딘, 티올란, 포스포란, 이미다졸리딘, 피라졸리딘, 옥사졸리딘, 이소옥사졸리딘, 티아졸리딘, 이소티 아졸리딘, 디옥솔란, 디티올란, 피페리딘, 옥산, 티안, 포스피난, 피페라진, 모르폴린, 티오모르폴린, 디옥산, 디티안, 아제판, 옥세판, 티에판, 호모피레라진, 아조칸, 옥소칸, 티오칸, 아조난, 옥소난, 티오난 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 포화 헤테로 고리 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 구리 도금액
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제 1 항에 있어서,상기 A3는 아지린, 옥시린, 티이린, 디아지린, 아제트, 옥세트, 티에트, 디옥트, 다이티에트, 피롤, 퓨란, 티오펜, 포스폴, 이미다졸, 피라 졸, 옥소졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 피리딘, 피란, 티오피란, 포스피닌, 디아진, 옥사진, 티아진, 디 옥신, 다이티인, 아제핀, 옥세핀, 티에핀, 디아제핀, 티아제핀, 아조신, 옥소신, 티오신, 아조닌, 옥소닌, 티오닌 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 불포화 헤테로 고리 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 구리 도금액
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제 1 항에 있어서, 상기 m, n, 및 o의 합은 3,500 내지 6,000의 정수인 것을 특징으로 하는 전해 구리 도금액
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제 1 항에 있어서, 억제제 및 가속제 중 어느 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 구리 도금액
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제 5 항에 있어서, 상기 억제제는 폴리옥시알킬렌 글리콜, 카복시메틸셀룰로스, N-노닐페놀 폴리 글리콜 에테르, 옥탄디올 비스 글리콜 에테르, 올레산 폴리 글리콜 에스테르, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 폴리에틸렌 글리콜-블록-폴리프로필렌 글리콜-블록-폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리비닐 알코올, 스테아릴 알코올 폴리글리콜 에테르, 스테아린산 폴리 글리콜 에스테르, 3-메틸-1-뷰타인-3-올, 3-메틸-펜텐-3-올, L-에틴닐사이클로헥사놀, 페닐 프로피놀, 3- 페닐-1-뷰타인-3-올, 프로파길 알코올, 메틸 뷰타이놀-에틸렌 옥사이드, 2-메틸-4-클로로 -3-뷰타인-2-올, 디메틸 헥사인디올, 디메틸헥사인디올-에틸렌 옥사이드, 디메틸옥타인디올, 페닐뷰타이놀, 1,4-부탄디올 디글리시딜 에테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 구리 도금액
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제 5 항에 있어서,상기 가속제는 O-에틸디티오카보네이토)-S-(3-설포프로필)-에스테르, 3 - [(아미노-이미노메틸)-티올]-1-프로판 술폰산, 3-(벤조티아졸-2-머캅토)-프로필 술폰산, 소디움 비스-(술포프로필)-디설파이드, N, N-디메틸 디티오카바마일 프로필 술폰산, 3,3-티오비스(1-프로판 술폰산), 2-히드록시-3-[트리스(히드록시메틸)메틸아미노]-1-프로판 술폰산, 소디움 2,3-디머캡토프로판 술폰산, 3-머캅토 -1-프로판 설폰산, N,N-비스(4-설포부틸)-3,5-디메틸아닐린, 소디움 2-머캅토-5- 벤지이미다졸 술폰산, 5,5'-디티오비스(2-니트로 벤조산), DL-시스테인, 4-머캅토-벤젠 설폰산, 5-머캅토-1H-테트라졸-1-메탄 술폰산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 구리 도금액
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비아를 구비하는 실리콘 관통전극을 구리 전해질 및 하기의 화학식 1로 표시되는 평탄제를 포함하는 구리 도금액에 침지시키는 단계; 상기 평탄제가 상기 실리콘 관통전극의 비아의 측면 상부에 코팅되도록 제 1 전류를 인가하는 제 1 전류 인가단계; 상기 제 1 전류보다 낮은 제 2 전류를 인가하여, 상기 비아의 바닥에 상기 구리 전해질의 도금막을 형성하는 제 2 전류 인가단계; 및상기 제 1 전류보다 높은 제 3 전류를 인가하여, 상기 구리 전해질의 도금막 위에서부터, 상기 비아의 입구까지 상기 구리 전해질이 충전되는 제 3 전류 인가단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 관통전극의 충전방법:[화학식 1] 이때, A1 및 A2는 각각 독립적으로 질소, 산소, 황, 인 중 하나 또는 두 개의 원소를 포함하는 포화 헤테로 고리 화합물을 포함하고, A3는 질소, 산소, 황, 인 중 하나 또는 두 개의 원소를 포함하는 불포화 헤테로 고리 화합물을 포함하고, X 는 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I), 질산염(NO3), 황산염(SO4), 탄산염(CO3), 인산염(PO4), 메틸황산염(CH3SO4) 및 수산기(OH)로 이루어진 이온 군 중 하나 이상을 포함하고,m, n 및 o는 각각 300 내지 3,000의 정수이다
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제 8 항에 있어서, 상기 제 1 전류 인가단계에서, 인가되는 제 1 전류의 전류밀도는 0
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 전류 인가단계에서, 인가되는 제 2 전류의 전류밀도는 0
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제 8 항에 있어서, 상기 제 3 전류 인가단계에서, 인가되는 제 3 전류의 전류 밀도는 1 ASD 내지 8 ASD인 것을 특징으로 하는 실리콘 관통전극의 충전방법
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