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제1파장의 광을 출사하는 제1광원과;상기 제1파장과는 다른 제2파장의 광을 출사하는 제2광원과;상기 제1광원에서 출사되는 광과 상기 제2광원에서 출사되는 광을 커플링하여 출사하는 광커플러와;상기 광커플러에서 출사되는 광을 코어와 상기 코어를 에워싸는 클래드층을 갖는 센싱광섬유로 전송하고, 상기 센싱광섬유에서 역으로 진행되는 광을 출력단으로 출력하는 광써큘레이터와;상기 센싱광섬유의 종단에 직렬상으로 접합되게 형성되며 온도에 따라 상기 제1파장의 흡수스펙트럼이 달라지는 소재로 형성된 온도반응층과, 상기 온도반응층에 직렬상으로 접합되며 수소에 반응하는 팔라듐 소재로 형성된 수소반응층을 갖는 수소센서와;상기 광써큘레이터의 출력단에서 출력되는 광을 상기 제1파장과 상기 제2파장으로 각각 분리하여 출력하는 파장분배부와;상기 파장분배부에서 출력되는 제1파장의 광을 검출하는 제1광검출부와;상기 파장분배부에서 출력되는 제2파장의 광을 검출하는 제2광검출부와;상기 제1광검출부에서 출력된 신호로부터 상기 수소센서가 설치된 환경의 온도를 산출하고, 상기 제2광검출부에서 출력되는 신호와 산출된 온도정보를 이용하여 상기 수소센서가 설치된 환경의 수소농도를 산출하는 산출부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 온도보정형 수소 농도 측정 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2광원은 중심파장이 1550nm의 광을 출사하는 것이 적용되고, 상기 온도반응층은 상기 제2광원의 제2파장의 광에 대해서는 온도에 따른 흡수스펙트럼이 변동하지 않는 소재로 형성된 것을 특징으로 하는 온도보정형 수소 농도 측정 장치
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제2항에 있어서, 상기 온도 반응층은 GaAs, GaP, InGaAlP, InGaN, GaN 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 온도보정형 수소 농도 측정 장치
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제3항에 있어서, 상기 온도 반응층이 GaAs로 형성되면 상기 제1파장은 870nm가 적용되고, 상기 온도 반응층이 GaP로 형성되면 상기 제1파장은 550nm가 적용되고, 상기 온도 반응층이 InGaAlP로 형성되면 상기 제1파장은 650nm가 적용되고, 상기 온도 반응층이 InGaN으로 형성되면 상기 제1파장은 420nm가 적용되고, 상기 온도 반응층이 GaN으로 형성되면 상기 제1파장은 365nm가 적용되는 것을 특징으로 하는 온도보정형 수소 농도 측정 장치
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제3항에 있어서, 상기 산출부는 상기 제1광검출부에서 출력되는 신호에 대응되는 온도값과, 상기 제2광검출부에서 출력되는 신호 및 온도에 대응되는 수소농도값이 기록된 룩업테이블을 이용하여 온도 및 수소농도를 산출하는 것을 특징으로 하는 온도보정형 수소 농도 측정 장치
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