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고효율 플렉서블 태양전지 및 그를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2022006293
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고효율 플렉서블 태양전지 및 그를 제조하는 방법을 개시한다. 본 실시예의 일 측면에 의하면, 제1 투명전극과 상기 제1 투명전극 상에 적층되는 BSF(Back Surface Field)층과 상기 BSF층에 적층되는 제1 그레이딩층과 상기 제1 그레이딩 층에 적층되며, 입사하는 광을 흡수하는 베이스층과 상기 베이스 층에 적층되어 상기 베이스층과 pn접합되며, 상기 베이스층이 광을 흡수하는 경우, 상기 베이스층과 함께 전류를 생성하는 에미터층과 상기 에미터층에 적층되는 제2 그레이딩층과 상기 제2 그레이딩층에 적층되며, 외부로부터의 광의 입사율을 향상시키는 윈도우층 및 상기 윈도우층 상에 적층되는 제2 투명전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제공한다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/03046(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1844(2013.01)
출원번호/일자 1020200151651 (2020.11.13)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0065298 (2022.05.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김효진 광주광역시 광산구
2 김채원 대구광역시 수성구
3 박광열 전라북도 고창군
4 김왕기 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 *** A동, ***호(태정특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-1216317-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2021.03.24 수리 (Accepted) 4-1-2021-5095035-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 투명전극;상기 제1 투명전극 상에 적층되는 BSF(Back Surface Field)층;상기 BSF층에 적층되는 제1 그레이딩층;상기 제1 그레이딩 층에 적층되며, 입사하는 광을 흡수하는 베이스층;상기 베이스 층에 적층되어 상기 베이스층과 pn접합되며, 상기 베이스층이 광을 흡수하는 경우, 상기 베이스층과 함께 전류를 생성하는 에미터층;상기 에미터층에 적층되는 제2 그레이딩층;상기 제2 그레이딩층에 적층되며, 외부로부터의 광의 입사율을 향상시키는 윈도우층; 및상기 윈도우층 상에 적층되는 제2 투명전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 BSF층은,p형 AlInP 또는 p형 AlGaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 베이스층은,p형 AlGaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제1항에 있어서,상기 에미터층은,n형 AlGaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 윈도우층은,n형 AlInP 또는 n형 AlGaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제1항에 있어서,상기 제1 그레이딩층 및 상기 제2 그레이딩층은,각각 p형 AlGaInP 및 n형 AlGaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
기판 상에 순차적으로 희생층, 윈도우층, 제2 그레이딩층, 에미터층, 베이스층, 제1 그레이딩층 및 BSF층이 적층되는 제1 적층과정;상기 BSF층 상으로 제2 투명전극이 적층되는 제2 적층과정;상기 제2 투명전극 상에 투명필름이 부착되거나 스핀코팅 증착되는 증착과정;상기 희생층의 식각으로 상기 기판과 상기 희생층을 제외한 상기 기판상에 적층된 나머지 층을 분리시키는 분리과정; 및상기 윈도우층 상에 제1 투명전극을 적층하는 제3 적층과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 BSF층은,p형 AlInP 또는 p형 AlGaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 베이스층은,p형 AlGaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 에미터층은,n형 AlGaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
11 11
제7항에 있어서,상기 윈도우층은,n형 AlInP 또는 n형 AlGaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
12 12
제7항에 있어서,상기 제1 그레이딩층 및 상기 제2 그레이딩층은,각각 p형 AlGaInP 및 n형 AlGaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국광기술원 기후변화대응기술개발(R&D) 39 % 고효율 플렉서블 IMM III-V 태양전지 개발
2 산업통상자원부 아이오지 신재생에너지핵심기술개발(R&D) 대량 생산(2,000㎠/run)이 가능한 GaAs 태양전지용 액상 Epitaxy 장치 개발 및 고효율 (28.0%) 공정기술 개발
3 산업통상자원부 한국광기술원 전력표준화및인증지원사업(R&D) 전력산업 광 융·복합 기술표준화 및 인증기반구축