| 1 |
1
비정질 산화물 반도체 트랜지스터에 대해, 광을 비 조사한 제1 상태의 드레인 전류(Idark)와 광을 조사한 제2 상태의 드레인 전류(Iphoto)를 이용하여 비정질 산화물 반도체 트랜지스터의 밴드갭 상태밀도를 추출하는 방법으로서,Idark와 Iphoto를 측정하는 단계;게이트 전압(VG)에 종속한 Idark와 Iphoto의 차이를 이용하여, 밴드갭 내 상태밀도의 수학적 모델(g(E))을 도출하는 단계; 및게이트 절연층과 비정질 산화물 반도체층 사이의 계면(surface)에 대한 계면 포텐셜(surface potential)의 정보(φs(VG))에 기반하여, 도출된 상태밀도의 수학적 모델(g(E))에서 에너지(E)와 게이트 전압(VG)의 관계를 매핑하는 단계;를 포함하는 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 매핑하는 단계는 계면 포텐셜의 정보(φs(VG))를 이용하여 게이트 전압(VG)에 따라 변하는 페르미 준위(EF)를 결정하며, 결정된 페르미 준위(EF)를 이용하여 에너지(E)와 게이트 전압(VG)의 관계를 매핑하는 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 매핑하는 단계는 결정된 페르미 준위(EF)에 따라 비정질 산화물 반도체층의 밴드갭 내에서 전자가 펌핑(pumping)되는 에너지 대역이 달라지는 것을 이용하는 방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 매핑하는 단계는 게이트 전압(VG)이 제1 기준 전압 보다 큰 경우(제1 경우), 드레인 전류와 계면 포텐셜 간의 지수(exponential) 관계에 기반하여 계면 포텐셜의 정보(φs(VG))를 결정하는 방법
|
| 5 |
5
제2항에 있어서,상기 매핑하는 단계는 게이트 전압(VG)이 제1 기준 전압 보다 작은 경우(제2 경우), 게이트 전압(VG)과 계면 포텐셜 간의 정비례 관계에 기반하여 계면 포텐셜의 정보(φs(VG))를 결정하는 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 제2 경우, 게이트 전압과 계면 포텐셜을 1:1로 매핑하는 방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 매핑하는 단계는 게이트 전압(VG)이 제2 기준 전압(제1 기준 전압 003e# 제2 기준 전압) 보다 작은 경우(제3 경우), 시뮬레이션 기반 피팅을 통해 계면 포텐셜의 정보(φs(VG))를 결정하는 방법
|
| 8 |
8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도출하는 단계는 Iphoto 및 Idark의 차이에 기반하여 광에 의해 전도대 에너지(Ec)로 펌핑(pumping)된 전자의 농도에 대한 수학적 모델을 구하며, 구해진 전자 농도의 수학적 모델을 이용하여 상기 상태밀도의 수학적 모델(g(E))을 도출하는 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 도출하는 단계는 비정질 산화물 반도체층 내에 제1 상태에서 존재하는 전자의 농도(ndark)와 비정질 산화물 반도체층 내에 제2 상태에서 존재하는 전자의 농도(nphoto)에 대한 차이(nphoto-ndark)를 게이트 전압(VG)으로 미분함으로써 상기 상태밀도의 수학적 모델(g(E))을 도출하는 방법
|
| 10 |
10
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상태밀도의 수학적 모델(g(E))은 하기 식을 포함하는 방법
|
| 11 |
11
제2항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 매핑하는 단계는 하기 식을 이용하는 방법
|
| 12 |
12
제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 경우, 드레인 전류(ID)와 계면 포텐셜 간의 지수(exponential) 관계에 따른 하기 식을 이용하여 계면 포텐셜의 정보(φs(VG))를 결정하는 방법
|
| 13 |
13
비정질 산화물 반도체 트랜지스터에 대해, 광을 비 조사한 제1 상태의 드레인 전류(Idark)와 광을 조사한 제2 상태의 드레인 전류(Iphoto)를 이용하여 비정질 산화물 반도체 트랜지스터의 밴드갭 상태밀도를 추출하는 장치로서,Idark 및 Iphoto에 대한 정보를 각각 저장한 메모리; 및메모리에 저장된 정보를 이용하여, 상기 상태밀도의 추출을 제어하는 제어부;를 포함하며,상기 제어부는,게이트 전압(VG)에 종속한 Idark와 Iphoto의 차이를 이용하여, 밴드갭 내 상태밀도의 수학적 모델(g(E))을 도출하며,게이트 절연층과 비정질 산화물 반도체층 사이의 계면(surface)에 대한 계면 포텐셜(surface potential)의 정보(φs(VG))에 기반하여, 도출된 상태밀도의 수학적 모델(g(E))에서 에너지(E)와 게이트 전압(VG)의 관계를 매핑하는 장치
|
| 14 |
14
비정질 산화물 반도체 트랜지스터에 대해, 광을 비 조사한 제1 상태의 드레인 전류(Idark)와 광을 조사한 제2 상태의 드레인 전류(Iphoto)를 이용하여 비정질 산화물 반도체 트랜지스터의 밴드갭 상태밀도를 추출하는 장치로서,Idark와 Iphoto를 측정하는 측정부; 및측정부에서 측정된 정보를 이용하여, 상기 상태밀도의 추출을 제어하는 제어부;를 포함하며,상기 제어부는,게이트 전압(VG)에 종속한 Idark와 Iphoto의 차이를 이용하여, 밴드갭 내 상태밀도의 수학적 모델(g(E))을 도출하며,게이트 절연층과 비정질 산화물 반도체층 사이의 계면(surface)에 대한 계면 포텐셜(surface potential)의 정보(φs(VG))에 기반하여, 도출된 상태밀도의 수학적 모델(g(E))에서 에너지(E)와 게이트 전압(VG)의 관계를 매핑하는 장치
|
