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광을 검출하여 상응하는 전기적 신호를 제공하는 광전도 물질 (photoconductive material)로, 상기 광전도 물질은:폴리머 공여체(polymer donor) 및폴리머 수용체(polymer acceptor)를 포함하고,상기 폴리머 공여체와 상기 폴리머 수용체는 PN 접합(PN-junction)을 이루며,상기 폴리머 수용체는 주사슬에 절연특성을 가지는 탄화수소 작용기가 도입되어 컨주게이션이 파괴된 고분자 물질인 광 전도 물질
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제1항에 있어서, 상기 탄화수소 작용기는 알킬기인 광전도 물질
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제2항에 있어서, 상기 폴리머 수용체는 나프탈렌 디이미드 유도체를 포함하는 고분자 물질인 광전도 물질
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제3항에 있어서, 상기 폴리머 수용체는 아래의 화학식 1로 표시된 고분자 물질을 포함하는 광 전도 물질
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제4항에 있어서, 상기 폴리머 수용체는 PNDBO를 포함하는 광전도 물질
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제1항에 있어서, 상기 폴리머 공여체는 밴조디티오펜(benzodithiophene)과 싸이아졸(Thiazole) 기를 포함하는 광 전도 물질
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제6항에 있어서, 상기 폴리머 공여체는 아래의 화학식 2로 표시되는 광 전도 물질
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제7항에 있어서, 상기 폴리머 공여체는 아래의 화학식 3로 표시되는 광 전도 물질
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제8항에 있어서, 상기 폴리머 공여체는 PSBOTz를 포함하는 광 전도 물질
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제1항에 있어서, 상기 광 전도 물질은, 500nm ~ 600nm 파장 대역 내에서 최대 흡수 파장 피크를 가지는 광 전도 물질
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제1항에 있어서, 상기 광 전도 물질은, 반치폭 200nm의 파장 선택성을 가지는 광 전도 물질
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제1항에 있어서, 상기 광전도 물질은 폴리머 물질만을 포함하는 광전도 물질
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광 검출 소자로서, 상기 광 검출 소자는:제1 전극;상기 제1 전극과 전기적으로 연결된 광 전도 물질층 및 상기 광 전도 물질층과 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함하며, 상기 광 전도 물질층은 서로 PN 접합을 이루는 폴리머 공여체(polymer donor) 및 폴리머 수용체(polymer acceptor)를 포함하고, 상기 폴리머 수용체는 주사슬에 절연특성을 가지는 탄화수소 작용기가 도입되어 컨주게이션이 파괴된 고분자 물질인 광 검출 소자
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제13항에 있어서, 상기 탄화수소 작용기는 알킬기인 광 검출 소자
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제14항에 있어서, 상기 폴리머 수용체는 나프탈렌 디이미드 유도체를 포함하는 고분자 물질인 광 검출 소자
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제15항에 있어서, 상기 폴리머 수용체는 아래의 화학식 4로 표시된 고분자 물질을 포함하는 광 검출 소자
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제16항에 있어서, 상기 폴리머 수용체는 PNDBO를 포함하는 광 검출 소자
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제13항에 있어서, 상기 폴리머 공여체는 밴조디티오펜(benzodithiophene)과 싸이아졸(Thiazole) 기를 포함하는 광 검출 소자
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제18항에 있어서, 상기 폴리머 공여체는 아래의 화학식 5로 표시되는 광 검출 소자
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제19항에 있어서, 상기 폴리머 공여체는 아래의 화학식 6로 표시되는 광 검출 소자
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제20항에 있어서, 상기 폴리머 공여체는 PSBOTz를 포함하는 광 검출 소자
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제13항에 있어서, 상기 광 전도 물질은, 500nm ~600nm 대역의 광 선택성을 가지는 광 검출 소자
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제13항에 있어서, 상기 광전도 물질은 폴리머 물질만을 포함하는 광 검출 소자
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제13항에 있어서, 상기 광 검출 소자는상기 제1 전극과 상기 광 검출 물질층 사이에 위치하는 전자 수송층 및상기 제2 전극과 상기 광 검출 물질층 사이에 위치하는 정공 수송층 중 어느 하나 이상을 더 포함하는 광 검출 소자
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제24항에 있어서, 상기 제1 전극은 제1 전극은 ITO(indium tin oxide) 전극이고, 상기 전자 수송층은 징크 옥사이드(Zn)막이며, 상기 정공 수송층은 몰리브데늄옥사이드(MoOx)막이고,상기 제2 전극은 은(silver)전극인 광 검출 소자
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