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ALD(Atomic Layer Deposition) 장치에 이용되는 반응기에 있어서,상기 반응기는,분말을 수용하는 챔버; 및상기 챔버의 일단에 결합되는 커버를 구비하고,상기 반응기는 상기 챔버를 회전시킴으로써 발생하는 회전 작용력 및 상기 반응기와 연결된 ALD 장치로부터 상기 챔버의 내부로 주입되는 가스에 의해 발생하는 가스 플로우를 이용하여 상기 분말을 교반시키고,상기 반응기는 상기 ALD 장치에 장착 가능한 모듈식으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 반응기
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제 1 항에 있어서,상기 커버는 상기 분말의 유출을 방지하는 메시 구조를 포함하고,상기 챔버의 내부로 주입된 가스는 상기 커버의 메시 구조를 통해 상기 챔버의 외부로 배출되는 것인, 반응기
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제 1 항에 있어서,상기 반응기는 상기 챔버의 내부에 장착되는 교환 가능한 하나 이상의 블레이드를 더 포함하는 것인, 반응기
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제 3 항에 있어서,상기 하나 이상의 블레이드는 상기 분말의 종류 및 크기에 따라 직각 삼각형, 사분원호, 이등변 삼각형, 샥스핀(shark's fin) 중 어느 하나에 해당하는 단면 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 반응기
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제 1 항에 있어서,상기 반응기는 상기 커버와 연결되는 코니컬 구조를 통해 상기 ALD 장치와 결합되고,상기 코니컬 구조는 상기 ALD 장치 측의 단면적이 상기 반응기 측의 단면적보다 넓은 것을 특징으로 하는, 반응기
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제 5 항에 있어서,상기 ALD 장치로부터 상기 챔버의 내부로 주입되는 가스는 상기 코니컬 구조를 통과함으로써 유속이 증가하는 것을 특징으로 하는, 반응기
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제 5 항에 있어서,상기 가스 플로우는 상기 코니컬 구조를 통과하여 상기 챔버의 내부로 주입되는 가스에 의해 발생하는 난류를 포함하는 것인, 반응기
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제 1 항에 있어서,상기 반응기는 상기 챔버의 다른 일단에 결합되어 상기 챔버를 회전시키는 모터와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는, 반응기
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제 8 항에 있어서,상기 반응기는 상기 챔버가 회전하는 회전축과 평행하는 방향으로 상기 챔버를 수평 운동시키는 수평 운동 기구와 더 연결되고,상기 수평 운동에 의해 발생하는 수평 작용력을 이용하여 상기 분말을 더 교반시키는 것을 특징으로 하는, 반응기
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제 9 항에 있어서,상기 수평 운동 기구는서로 회전하면서 맞물리는 래칫 구조를 포함하는 두 개의 래칫 플레이트; 및상기 래칫 구조가 맞물리는 부분의 내부에 위치하는 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반응기
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