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하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위, 및 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위를 포함하는 공중합체를 포함하는 고분자 매트릭스; 및이온성 액체(ionic liquid);를 포함하는 고분자 전해질
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상기 공중합체는 교호 공중합체(Alternating copolymer), 블록 공중합체(Block copolymer), 랜덤 공중합체(Random copolymer), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나의 형태의 것인 고분자 전해질
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제1항에 있어서,상기 고분자 매트릭스 40~90중량%; 및상기 이온성 액체 10~60중량%인 것인 고분자 전해질
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제1항에 있어서,상기 고분자 매트릭스의 다분산지수(Polydispoersity index; PDI)는 2
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체는 비스트리플루오로메틸설포닐이미다이즈 N-메틸-N-부틸-피롤리디늄(Bistrifluoromethylsulfonylimides N-methyl-N-butyl-pyrrolidinium, [P14][TFSI]), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드(1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, [EMI][TFSI]), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1-ethyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate, [EMI][PF6]), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 테트라플루오로보레이트(1-ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, [EMI][BF4]), 1-뷰틸-3-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드(1-butyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, [BMI][TFSI]), 1-뷰틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate, [BMI][PF6]), 1-뷰틸-3-메틸이미다졸리움 테트라플루오로보레이트(1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, [BMI][BF4]) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 고분자 전해질
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제1항에 있어서,이온전도도는 0
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제1항에 있어서,금속염을 더 포함하는 고분자 전해질
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8
제7항에 있어서,상기 고분자 전해질 전체 중량 100중량% 기준,상기 금속염의 함량은 1
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제7항에 있어서,상기 금속염의 금속은 리튬(Li), 나트륨 (Na), 칼륨 (K), 칼슘 (Ca), 마그네슘 (Mg) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 고분자 전해질
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10
제7항에 있어서,상기 금속염을 더 포함하는 고분자 전해질의 이온전도도는 0
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하기 화학식 3으로 표시되는 단량체와 하기 화학식 4로 표시되는 단량체를 중합한 공중합체를 포함하는 고분자 매트릭스를 제조하는 단계; 및상기 고분자 매트릭스에 이온성 액체를 혼합하여 고분자 전해질을 제조하는 단계;를 포함하는 고분자 전해질의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 공중합체는 교호 공중합체(Alternating copolymer), 블록 공중합체(Block copolymer), 랜덤 공중합체(Random copolymer) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나의 형태의 것인 고분자 전해질의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 화학식 3으로 표시되는 단량체는 유리전이온도(Tg)가 -50 ~ 0℃인 것인 고분자 전해질의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 화학식 4으로 표시되는 단량체는 유리전이온도(Tg)가 -50 ~ 100℃인 것인 고분자 전해질의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 이온성 액체는 비스트리플루오로메틸설포닐이미다이즈 N-메틸-N-부틸-피롤리디늄(Bistrifluoromethylsulfonylimides N-methyl-N-butyl-pyrrolidinium, [P14][TFSI]), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드(1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, [EMI][TFSI]), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1-ethyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate, [EMI][PF6]), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 테트라플루오로보레이트(1-ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, [EMI][BF4]), 1-뷰틸-3-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드(1-butyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, [BMI][TFSI]), 1-뷰틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate, [BMI][PF6]), 1-뷰틸-3-메틸이미다졸리움 테트라플루오로보레이트(1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, [BMI][BF4]) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 고분자 전해질의 제조방법
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제11항의 제조방법으로 제조된 고분자 전해질에 금속 염을 혼합하는 단계를 더 포함하는 고분자 전해질의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 금속 염의 금속은 리튬(Li), 나트륨 (Na), 칼륨 (K), 칼슘 (Ca), 마그네슘 (Mg) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 고분자 전해질의 제조방법
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