| 1 |
1
SiO2 분말, Al2O3 분말, MgO 분말 및 MgF2 분말을 혼합하여 내플라즈마 유리 원료를 준비하는 단계;상기 내플라즈마 유리 원료를 용융시키는 단계;용융된 결과물을 유리전이온도(Tg)보다 높은 온도에서 서냉하는 단계;서냉된 결과물을 실온까지 로냉하는 단계; 및로냉된 내플라즈마 유리를 수득하는 단계를 포함하며,수득된 내플라즈마 유리는 SiO2 40∼75 몰%, Al2O3 5∼20 몰%, MgO 10∼40 몰% 및 MgF2를 0
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 MgO와 상기 MgF2는 90:1~80:20의 몰비를 갖는, 내플라즈마 유리의 제조 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 수득된 내플라즈마 유리의 유리전이온도(Tg)는 700℃~800℃인, 내플라즈마 유리의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 수득된 내플라즈마 유리의 연화점(Tdsp)은 750℃~850℃인, 내플라즈마 유리의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 수득된 내플라즈마 유리는 불소(fluorine)와 아르곤(Ar)의 혼합 플라즈마 환경에 사용되는 유리이고, 상기 수득된 내플라즈마 유리는 불소와 아르곤의 혼합 플라즈마에 대하여 식각률이 15 nm/min보다 낮은 내플라즈마 특성을 갖는, 내플라즈마 유리의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 융용시키는 단계는 1300℃∼1500℃의 온도에서 수행되는, 내플라즈마 유리의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 서냉 단계는 700℃~900℃의 온도에서 수행되는, 내플라즈마 유리의 제조 방법
|
| 8 |
8
SiO2 40∼75 몰%, Al2O3 5∼20 몰%, MgO 10∼40 몰% 및 MgF2를 0
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 MgO와 상기 MgF2는 90:1~80:20의 몰비를 갖는, 내플라즈마 유리
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서,상기 내플라즈마 유리의 유리전이온도(Tg)는 700℃~800℃인, 내플라즈마 유리
|
| 11 |
11
제 8 항에 있어서,상기 내플라즈마 유리의 연화점(Tdsp)은 750℃~850℃인, 내플라즈마 유리
|
| 12 |
12
제 8 항에 있어서,상기 내플라즈마 유리는 불소(fluorine)와 아르곤(Ar)의 혼합 플라즈마 환경에 사용되는 유리이고, 상기 내플라즈마 유리는 불소와 아르곤의 혼합 플라즈마에 대하여 식각률이 15 nm/min보다 낮은 내플라즈마 특성을 갖는, 내플라즈마 유리
|
| 13 |
13
제 8 항에 있어서, 상기 내플라즈마 유리는 반도체 제조용 공정 챔버의 내부 부품인, 내플라즈마 유리
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서, 상기 내부 부품은 포커스링(focus ring), 엣지링(edge ring), 커버링(cover ting), 링 샤워(ring shower), 인슐레이텨(insulator), EPD 윈도우(window), 전극(electrode), 뷰포트(view port), 인너셔터(inner shutter), 정전척(electro static chuck), 히터(heater), 챔버 라이너(chamber liner), 샤워 헤드(shower head), CVD(Chemical Vapor Deposition)용 보트(boat), 월 라이너(wall liner), 쉴드(shield), 콜드 패드(cold pad), 소스 헤드(source head), 아우터 라이너(outer liner), 디포지션 쉴드(deposition shiled), 어퍼 라이너(upper liner), 배출 플레이트(exhaust plate) 및 마스크 프레임(mask frame) 중에서 어느 하나인, 내플라즈마 유리
|
