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산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법과, 그 슈퍼커패시터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022006525
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 약산을 사용하는 산처리를 통해 바이오매스의 표면을 개질한 후 탄화 처리하고 분무 활성화를 수행하는 것에 의해, 전처리 없이 분무 활성화를 진행한 바이오매스 활성탄보다 높은 비표면적 및 공극부피를 가지는 다공성 활성탄을 제조할 수 있는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법과, 그 슈퍼커패시터 및 이의 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법은 (a) 바이오매스의 표면을 약산을 이용한 산처리로 표면 개질하는 단계; (b) 상기 표면 개질된 바이오매스를 비활성 가스 분위기에서 탄화 처리하는 단계; 및 (c) 상기 탄화 처리된 바이오매스를 분무 활성화 장치의 내부에 투입한 후, 600 ~ 1,000℃에서 1 ~ 2시간 동안 분무 활성화 처리를 수행하여 부분 결정성 다공성 활성탄을 수득하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C01B 32/312 (2017.01.01) H01G 11/24 (2013.01.01) H01G 11/34 (2013.01.01) H01G 11/52 (2013.01.01) H01G 11/58 (2013.01.01) H01G 11/86 (2013.01.01)
CPC C01B 32/312(2013.01) H01G 11/24(2013.01) H01G 11/34(2013.01) H01G 11/52(2013.01) H01G 11/58(2013.01) H01G 11/86(2013.01) C01P 2006/12(2013.01) C01P 2006/14(2013.01)
출원번호/일자 1020200143110 (2020.10.30)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0057948 (2022.05.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.30)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노광철 경상남도 진주시 소
2 임건해 경상남도 진주시 소

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-1158407-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.11.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
(a) 바이오매스의 표면을 약산을 이용한 산처리로 표면 개질하는 단계; (b) 상기 표면 개질된 바이오매스를 비활성 가스 분위기에서 탄화 처리하는 단계; 및 (c) 상기 탄화 처리된 바이오매스를 분무 활성화 장치의 내부에 투입한 후, 600 ~ 1,000℃에서 1 ~ 2시간 동안 분무 활성화 처리를 수행하여 부분 결정성 다공성 활성탄을 수득하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 바이오매스는 10 ~ 150 mesh의 평균 직경을 갖도록 파쇄된 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 약산은 아세트산, 탄산, 플루오린화 수소산, 폼산, 아황산, 초산 및 붕산 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 약산은 0
5 5
제1항에 있어서,상기 산처리는 2 ~ 10℃/min의 속도로 20 ~ 100℃까지 승온시킨 후, 20 ~ 100℃를 유지시킨 상태에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 탄화 처리는 2 ~ 10℃/min의 속도로 300 ~ 800℃의 온도까지 승온시킨 후, 300 ~ 800℃에서 1 ~ 2시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 탄화 처리시, 상기 비활성 가스는 Ar, He 및 N2 중 1종 이상을 포함하며, 상기 비활성 가스는 200 ~ 700cc/mm의 속도로 공급하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 분무 활성화 처리는 2 ~ 10℃/min 의 속도로 600 ~ 1,000℃의 온도까지 승온시킨 후, 600 ~ 1,000℃에서 1 ~ 2시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 분무 활성화 처리시, 초음파 분무기 내의 물을 초음파 진동시켜 발생한 수증기가 퍼니스의 내부로 유입되도록 하기 위해, Ar, He, Air 및 N2 중 1종 이상을 포함하는 캐리어 가스를 200 ~ 700cc/mm의 속도로 공급하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 (c) 단계 이후, 상기 다공성 활성탄은 400 m2/g 이상의 비표면적 및 0
11 11
양극과 음극이 서로 이격되게 배치되어 있고, 상기 양극과 상기 음극 사이에 상기 양극과 상기 음극의 단락을 방지하기 위한 분리막이 배치되며, 상기 양극 및 음극은 슈퍼커패시터의 전해액에 함침되어 있고, 상기 양극 및 음극 각각은 전극활물질, 도전재 및 바인더를 포함하며, 상기 양극 및 음극의 전극활물질 중 적어도 하나는, 제1항 내지 제10항 중 어느 항에 의해 제조된 다공성 활성탄이 이용되며, 상기 다공성 활성탄은 전해질 이온이 유입되거나 배출되는 통로를 제공하는 복수의 기공들을 갖는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
12 12
제11항에 있어서,상기 다공성 활성탄은 400 m2/g 이상의 비표면적 및 0
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(a) 전극활물질, 도전재, 바인더 및 분산매를 혼합하여 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 제조하는 단계; (b) 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 압착하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 금속 호일에 코팅하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 롤러로 밀어 시트 상태로 만들고 금속 호일 또는 집전체에 붙여서 전극 형태로 형성하는 단계; (c) 상기 전극 형태로 형성된 결과물을 건조하여 슈퍼커패시터 전극을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 슈퍼커패시터 전극을 양극과 음극으로 사용하며, 상기 양극과 음극 사이에 상기 양극과 음극의 단락을 방지하기 위한 분리막을 배치하고, 상기 양극 및 음극을 제1항에 기재된 전해액에 함침시키는 단계;를 포함하며, 상기 (a) 단계에서, 상기 전극활물질은, 제1항 내지 제10항 중 어느 항에 의해 제조된 다공성 활성탄이 이용되며, 상기 다공성 활성탄은 전해질 이온이 유입되거나 배출되는 통로를 제공하는 복수의 기공들을 갖는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 다공성 활성탄은 400 m2/g 이상의 비표면적 및 0
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국세라믹기술원 소재부품기술개발-소재부품이종기술융합형 스마트미터(AMI)용 3.0V 85℃에서 안정성을 갖는 16Dx25L 슈퍼커패시터 개발