1 |
1
(a) 바이오매스의 표면을 약산을 이용한 산처리로 표면 개질하는 단계; (b) 상기 표면 개질된 바이오매스를 비활성 가스 분위기에서 탄화 처리하는 단계; 및 (c) 상기 탄화 처리된 바이오매스를 분무 활성화 장치의 내부에 투입한 후, 600 ~ 1,000℃에서 1 ~ 2시간 동안 분무 활성화 처리를 수행하여 부분 결정성 다공성 활성탄을 수득하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 바이오매스는 10 ~ 150 mesh의 평균 직경을 갖도록 파쇄된 것을 이용하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 약산은 아세트산, 탄산, 플루오린화 수소산, 폼산, 아황산, 초산 및 붕산 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
|
4 |
4
제3항에 있어서,상기 약산은 0
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 산처리는 2 ~ 10℃/min의 속도로 20 ~ 100℃까지 승온시킨 후, 20 ~ 100℃를 유지시킨 상태에서 수행하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 탄화 처리는 2 ~ 10℃/min의 속도로 300 ~ 800℃의 온도까지 승온시킨 후, 300 ~ 800℃에서 1 ~ 2시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
|
7 |
7
제6항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 탄화 처리시, 상기 비활성 가스는 Ar, He 및 N2 중 1종 이상을 포함하며, 상기 비활성 가스는 200 ~ 700cc/mm의 속도로 공급하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 분무 활성화 처리는 2 ~ 10℃/min 의 속도로 600 ~ 1,000℃의 온도까지 승온시킨 후, 600 ~ 1,000℃에서 1 ~ 2시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
|
9 |
9
제8항에 있어서,상기 분무 활성화 처리시, 초음파 분무기 내의 물을 초음파 진동시켜 발생한 수증기가 퍼니스의 내부로 유입되도록 하기 위해, Ar, He, Air 및 N2 중 1종 이상을 포함하는 캐리어 가스를 200 ~ 700cc/mm의 속도로 공급하는 것을 특징으로 하는 산처리 후 분무 활성화를 수행하는 다공성 활성탄 제조 방법
|
10 |
10
제1항에 있어서,상기 (c) 단계 이후, 상기 다공성 활성탄은 400 m2/g 이상의 비표면적 및 0
|
11 |
11
양극과 음극이 서로 이격되게 배치되어 있고, 상기 양극과 상기 음극 사이에 상기 양극과 상기 음극의 단락을 방지하기 위한 분리막이 배치되며, 상기 양극 및 음극은 슈퍼커패시터의 전해액에 함침되어 있고, 상기 양극 및 음극 각각은 전극활물질, 도전재 및 바인더를 포함하며, 상기 양극 및 음극의 전극활물질 중 적어도 하나는, 제1항 내지 제10항 중 어느 항에 의해 제조된 다공성 활성탄이 이용되며, 상기 다공성 활성탄은 전해질 이온이 유입되거나 배출되는 통로를 제공하는 복수의 기공들을 갖는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
|
12 |
12
제11항에 있어서,상기 다공성 활성탄은 400 m2/g 이상의 비표면적 및 0
|
13 |
13
(a) 전극활물질, 도전재, 바인더 및 분산매를 혼합하여 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 제조하는 단계; (b) 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 압착하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 금속 호일에 코팅하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 롤러로 밀어 시트 상태로 만들고 금속 호일 또는 집전체에 붙여서 전극 형태로 형성하는 단계; (c) 상기 전극 형태로 형성된 결과물을 건조하여 슈퍼커패시터 전극을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 슈퍼커패시터 전극을 양극과 음극으로 사용하며, 상기 양극과 음극 사이에 상기 양극과 음극의 단락을 방지하기 위한 분리막을 배치하고, 상기 양극 및 음극을 제1항에 기재된 전해액에 함침시키는 단계;를 포함하며, 상기 (a) 단계에서, 상기 전극활물질은, 제1항 내지 제10항 중 어느 항에 의해 제조된 다공성 활성탄이 이용되며, 상기 다공성 활성탄은 전해질 이온이 유입되거나 배출되는 통로를 제공하는 복수의 기공들을 갖는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법
|
14 |
14
제13항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 다공성 활성탄은 400 m2/g 이상의 비표면적 및 0
|