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산화 갈륨으로 이루어진 제1 UV 투과층; 상기 제1 UV 투과층 상에 배치되고, 은 나노와이어를 포함하는 도전층; 및상기 도전층 상에 형성되고, 상기 산화 갈륨으로 이루어진 제2 UV 투과층을 포함하는, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극
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제1항에 있어서, 상기 제1 UV 투과층 및 상기 제2 UV 투과층은 3
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제2항에 있어서, 상기 산화 갈륨은 α-상(phase)을 갖는 것을 특징으로 하는, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극
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제1항에 있어서, 상기 제1 UV 투과층의 두께는 0
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제4항에 있어서, 상기 제2 UV 투과층의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 도전층의 상기 은 나노와이어의 직경은 5 내지 40nm이고, 길이는 1 내지 10μm 인, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극
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제1항에 있어서, 상기 적층 투명전극의 280nm 내지 315nm의 파장을 갖는 자외선(UV)에 대하여 50% 이상의 투과율을 갖는, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극
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기판 상에 산화 갈륨으로 이루어진 제1 UV 투과층을 형성하는 제1 UV 투과층 형성단계; 상기 제1 UV 투과층 상에 은 나노와이어를 포함하는 도전층을 형성하는 도전층 형성단계; 및 상기 도전층 상에 상기 산화 갈륨으로 이루어진 제2 UV 투과층을 형성하는 제2 UV 투과층 형성단계를 포함하는, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 UV 투과층 형성단계는, 제1 미스트 발생부를 통해 제1 갈륨 전구체를 포함하는 제1 갈륨 미스트(mist)를 제공하는 제1 갈륨 미스트 제공단계; 및상기 제1 미스트 발생부와 연결된 미스트 공급관을 통해 상기 제1 갈륨 미스트를 상기 기판 표면에 제공함으로써, 상기 기판 표면에 상기 제1 UV 투과층을 적층하는 제1 UV 투과층 적층단계를 포함하는, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 UV층 적층단계는 400 내지 550℃의 온도에서 수행되고, 상기 제1 UV 투과층의 두께가 0
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제10항에 있어서, 상기 제1 갈륨 미스트 제공단계는, 상기 갈륨 아세틸아세토네이트, 염화수소 및 DI 수(water)를 포함하는 제1 갈륨 전구체 용액을 2
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제9항에 있어서, 상기 도전층 형성단계는, 상기 미스트 공급관과 연결된 제2 미스트 발생부를 통해 은 나노와이어를 포함하는 은 나노와이어 미스트를 제공하는 은 나노와이어 미스트 제공단계; 및 상기 미스트 공급관을 통해 상기 은 나노와이어 미스트를 상기 기판에 제공함으로써, 상기 제1 UV 투과층 상에 상기 도전층을 적층하는 도전층 적층단계를 포함하는, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 은 나노와이어 미스트 제공단계는, 상기 은 나노와이어가 분산된 DI 수(water) 또는 IPA를 2
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제9항에 있어서, 상기 제2 UV 투과층 형성단계는, 상기 제1 미스트 발생부를 통해 제2 갈륨 전구체를 포함하는 제2 갈륨 미스트를 제공하는 제2 갈륨 미스트 제공단계; 및 상기 미스트 공급관을 통해 상기 제2 갈륨 미스트를 상기 기판에 제공함으로써, 상기 도전층 상에 상기 제2 UV 투과층을 적층하는 제2 UV 투과층 적층단계를 포함하는, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 제2 UV 투과층 적층단계는, 225 내지 275℃의 온도에서 수행되고, 상기 제2 UV 투과층의 두께가 0
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제14항에 있어서, 상기 제2 갈륨 미스트 제공단계는, 갈륨 질산염 및 DI 수(water)를 포함하는 제2 갈륨 전구체 용액을 2
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기판이 배치된 반응기; 상기 반응기의 외부에 배치된 가열로; 상기 반응기로 제1 갈륨 미스트, 제2 갈륨 미스트 및 은 나노와이어 미스트를 제공하는 미스트 공급관; 상기 미스트 공급관과 연결되고, 상기 제1 갈륨 미스트 및 상기 제2 갈륨 미스트를 생성하는 제1 미스트 발생부; 및 상기 미스트 공급관과 연결되고, 상기 은 나노와이어 미스트를 생성하는 제2 미스트 발생부를 포함하고, 상기 반응기에서 상기 제1 갈륨 미스트로부터 상기 기판 상에 제1 UV 투과층이 형성되고, 상기 은 나노와이어 미스트로부터 상기 제1 UV 투과층 상에 도전층이 형성되고, 상기 제2 갈륨 미스트로부터 상기 도전층 상에 제2 UV 투과층이 형성되는, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극 제조장치
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제17항에 있어서, 상기 제1 미스트 발생부는 제1 갈륨 전구체 용액을 진동시켜 상기 제1 갈륨 미스트를 발생시키고, 제2 갈륨 전구체 용액을 진동시켜 상기 제2 갈륨 미스트를 발생시키는 제1 진동자; 상기 제1 갈륨 미스트 및 상기 제2 갈륨 미스트가 상기 미스트 공급관을 통해 상기 반응기로 공급되도록 제1 캐리어 가스를 제공하는 제1 가스 주입부; 및 산소를 포함하는 외부 공기를 유입시키기 위한 제1 공간을 개방하는 제1 덮개를 포함하는, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극 제조장치
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제18항에 있어서, 상기 제2 미스트 발생부는 은 나노와이어가 분산된 분산 용액을 진동시켜 상기 은 나노와이어 미스트를 발생시키는 제2 진동자; 상기 은 나노와이어 미스트가 상기 미스트 공급관을 통해 상기 반응기로 공급되도록 제2 캐리어 가스를 제공하는 제2 가스 주입부; 및 상기 외부 공기를 유입시키기 위한 제2 공간을 개방하는 제2 덮개를 포함하는, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극 제조장치
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제19항에 있어서, 상기 제1 미스트 발생부와 상기 제2 미스트 발생부는 서로 공간적으로 독립되며, 상기 제1 미스트 발생부와 상기 미스트 공급관 사이에는 가스의 유출입을 억제하는 제1 밸브가 설치되고, 상기 제2 미스트 발생부와 상기 미스트 공급관 사이에는 상기 가스의 유출입을 억제하는 제2 밸브가 설치되는, 산화 갈륨 및 은 나노와이어의 적층 투명전극 제조장치
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