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내플라즈마 세라믹 기판 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2022006535
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 산화물 조성의 벌크; 및 상기 벌크를 구성하는 산화물 조성 성분이 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 포함하는 조성으로 개질된 표면층;을 포함하는 세라믹 기판으로서, 상기 표면층은 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 함유하는 원료가 가열에 의해 기화되어 상기 세라믹 기판의 표면에 흡착되어 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 포함하는 조성으로 개질된 층인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 세라믹 기판의 내플라즈마 특성, 내구성을 저비용으로 개선할 수 있다.
Int. CL C04B 41/85 (2006.01.01) C04B 41/50 (2006.01.01) C04B 41/00 (2006.01.01) C04B 41/45 (2006.01.01) C04B 35/48 (2006.01.01) H01J 37/32 (2006.01.01) C23C 16/458 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC C04B 41/85(2013.01) C04B 41/5019(2013.01) C04B 41/5012(2013.01) C04B 41/009(2013.01) C04B 41/4529(2013.01) C04B 41/4519(2013.01) C04B 35/48(2013.01) H01J 37/32477(2013.01) C23C 16/4581(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) C04B 2235/3246(2013.01) C04B 2235/9684(2013.01)
출원번호/일자 1020200180432 (2020.12.22)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-2390123-0000 (2022.04.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20220425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.22)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성민 서울특별시 강동구
2 오윤석 서울특별시 서초구
3 김형준 충청남도 천안시 서북구
4 오규상 경상남도 거제시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
 2020.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-1393442-80
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-1393207-67
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2020.12.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2020.12.29 수리 (Accepted) 9-1-2020-0032952-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0364675-99
6 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2021.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2021-0781376-10
7 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2021.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2021-0913015-62
8 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2021.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2021-1037180-07
9 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2021.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2021-1153573-24
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2021.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0158886-30
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2021-1283689-82
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1283615-14
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2022.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0036960-82
14 [법정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2022.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2022-0158638-76
15 법정기간연장승인서
 2022.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2022-0026950-93
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2022.03.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2022-0275784-90
17 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2022.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0269749-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 조성의 벌크; 및 상기 벌크를 구성하는 산화물 조성 성분이 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 포함하는 조성으로 개질된 표면층;을 포함하는 세라믹 기판으로서,상기 표면층은 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 함유하는 원료가 가열에 의해 기화되어 상기 세라믹 기판의 표면에 흡착되어 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 포함하는 조성으로 개질된 층이고, 표면개질하려는 세라믹 기판과 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 함유하는 원료가 가열되고 상기 가열에 의해 기화된 원료가 가열된 세라믹 기판 표면에 흡착되면서 세라믹 기판 표면이 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 포함하는 조성으로 개질된 표면층이 형성된 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판
2 2
제1항에 있어서, 상기 세라믹 기판의 벌크는 Y2O3, Y3Al5O12, 이트리아 안정화 지르코니아(Yttria-stabilized zirconia) 또는 희토류, Ca 및 Mg로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 원소가 도핑된 지르코니아 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판
3 3
제1항에 있어서, 상기 표면층은 100nm ∼ 50㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판
4 4
제1항에 있어서, 상기 원료는 NH4F, LiF, NaF, KF, MgF2, CaF2, AlF3 및 YF3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 고체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판
5 5
제1항에 있어서, 상기 원료는 NH4Cl, YCl3, AlCl3 및 TaCl3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 고체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판
6 6
제1항에 있어서, 상기 원료는 NH4F, LiF, NaF, KF, MgF2, CaF2, AlF3 및 YF3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질과 NH4Cl, YCl3, AlCl3 및 TaCl3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질이 혼합된 고체 물질인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판
7 7
제4항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 원료에 비반응성 고체 희석제가 더 혼합되어 상기 원료와 함께 가열되고, 상기 비반응성 고체 희석제에 의해 상기 가열에 의해 기화되는 원료의 양이 조절된 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판
8 8
제1항에 있어서, 기화된 원료가 상기 세라믹 기판으로 이동하는 과정에 비활성 캐리어 가스가 투입되어 기화된 원료의 농도가 제어되거나 표면 개질을 위한 분위기가 제어된 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판
9 9
제1항 또는 제8항에 있어서, 기화된 원료가 상기 세라믹 기판으로 이동하는 과정에 공기(Air) 또는 산소(O2) 가스가 투입되어 개질되는 표면층의 산소 함량이 제어된 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판
10 10
삭제
11 11
제1항에 있어서, 상기 표면층은 상기 원료가 80∼400 ℃의 온도로 가열되고 기화되어 상기 세라믹 기판 표면에 흡착되어 형성된 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판
12 12
(a) F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 함유하는 원료를 가열하여 기화되게 하는 단계; 및(b) 기화된 원료가 세라믹 기판 표면에 흡착되고 상기 세라믹 기판의 표면이 개질되어 표면층이 형성되는 단계를 포함하며,상기 표면층은 산화물 조성 성분이 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 포함하는 조성으로 개질된 층인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 세라믹 기판의 벌크는 Y2O3, Y3Al5O12, 이트리아 안정화 지르코니아(Yttria-stabilized zirconia) 또는 희토류, Ca 및 Mg로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 원소가 도핑된 지르코니아 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 표면층은 100nm ∼ 50㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
15 15
제12항에 있어서, 상기 원료는 NH4F, LiF, NaF, KF, MgF2, CaF2, AlF3 및 YF3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 고체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
16 16
제12항에 있어서, 상기 원료는 NH4Cl, YCl3, AlCl3 및 TaCl3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 고체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
17 17
제12항에 있어서, 상기 원료는 NH4F, LiF, NaF, KF, MgF2, CaF2, AlF3 및 YF3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질과 NH4Cl, YCl3, AlCl3 및 TaCl3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질이 혼합된 고체 물질인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
18 18
제15항 내지 제17항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 원료에 비반응성 고체 희석제가 더 혼합되어 상기 원료와 함께 가열되고, 상기 비반응성 고체 희석제에 의해 상기 가열에 의해 기화되는 원료의 양을 조절하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
19 19
제12항에 있어서, 기화된 원료가 상기 세라믹 기판으로 이동하는 과정에 비활성 캐리어 가스를 투입하여 기화된 원료의 농도를 제어하거나 표면 개질을 위한 분위기를 제어하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
20 20
제12항 또는 제19항에 있어서, 기화된 원료가 상기 세라믹 기판으로 이동하는 과정에 공기(Air) 또는 산소(O2) 가스를 투입하여 개질되는 표면층의 산소 함량을 제어하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
21 21
제12항에 있어서, 표면개질하려는 세라믹 기판과 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 함유하는 원료가 가열되고 상기 가열에 의해 기화된 원료가 가열된 세라믹 기판 표면에 흡착되면서 상기 세라믹 기판 표면이 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 포함하는 조성으로 개질되는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
22 22
제12항 또는 제21항에 있어서, 상기 원료가 80∼400 ℃의 온도로 가열되고 기화되어 상기 세라믹 기판 표면에 흡착되게 하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
23 23
제12항에 있어서, 상기 (a) 단계는,(c) 표면개질하려는 세라믹 기판과 F- 및 Cl- 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 함유하는 원료를 도가니에 담는 단계;(d) 가열수단을 통해 내부 온도를 조절할 수 있게 구비되는 챔버에 상기 세라믹 기판과 상기 원료가 담긴 도가니를 장입하는 단계; 및(e) 상기 가열수단을 통해 상기 원료를 가열하여 기화되게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 (c) 단계는,상기 세라믹 기판과 상기 원료가 서로 분리된 공간에 위치되게 상기 도가니에 담는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
25 25
제24항에 있어서, 상기 세라믹 기판이 상기 원료보다 높게 위치되게 하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
26 26
제24항에 있어서, 상기 도가니의 바닥면 보다 높고 상기 도가니의 내경보다 작게 구비되는 지지체가 상기 도가니 내에 구비되고,상기 도가니의 바닥면에 상기 원료를 위치시키고,상기 지지체 상부에 상기 세라믹 기판을 안착시켜 상기 원료보다 높게 위치되게 하여 상기 원료와 상기 세라믹 기판이 공간적으로 분리되게 하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹 기판의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국세라믹기술원 나노·미래소재원천기술개발사업/소재혁신선도 프로젝트 초미세공정용 오염입자 저감 내플라즈마 코팅소재 개발