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투명한 기판;상기 기판의 일면에 배치된 버퍼층;상기 버퍼층을 통해 상기 기판에 접착되고 상기 버퍼층의 적어도 일부 영역 상에 배치된 투명 전도층;상기 투명 전도층 상에 배치되고, 상기 투명 전도층보다 굴절률이 낮은 저굴절률 산화물, 또는 고굴절률 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 반사 방지층;상기 반사 방지층 상에 배치된 프라이머층; 및상기 프라이머층 상에 배치된 탑 코트층; 을 포함하고,상기 버퍼층은 무기질 필러 및 레진 기질을 포함하는 유기-무기 복합체를 포함하고,상기 무기질 필러는 알루미늄 산화물, 이트륨 산화물, 마그네슘 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 망간 산화물, 하프늄 산화물 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 무기질 필러의 함량은 상기 버퍼층의 총 중량에 대해 0
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제1항에 있어서, 상기 투명한 기판은 폴리카보네이트, 폴리알킬메타크릴레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 유리, 폴리우레탄을 포함하는 투명 적층 구조체
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제1항에 있어서,상기 프라이머층은 수산화기를 포함하는 폴리머로 이루어진 투명 적층 구조체
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제3항에 있어서,상기 프라이머층은 수산화기를 제공하는 글리세롤을 포함하는 투명 적층 구조체
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제1항에 있어서,상기 무기질 필러는 구형, 원기둥형, 또는 판상형이고, 그 크기는 5~250 nm인 투명 적층 구조체
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제1항에 있어서,상기 레진 기질은 에폭시기를 보유한 실란계 화합물 및 우레탄 아크릴레이트 폴리머를 포함하는 투명 적층 구조체
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제1항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 1~50 μm인 투명 적층 구조체
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제1항에 있어서,상기 투명 전도층은 1~300 Ω/sq의 면저항을 가지는 투명 적층 구조체
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제8항에 있어서,상기 투명 전도층은 아연 산화물이나 주석 산화물이 1~15 wt% 도핑된 인듐 산화물을 포함하는 투명 적층 구조체
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10
제8항에 있어서,상기 투명 전도층은 알루미늄 산화물이나 인듐 산화물이 1~20 wt% 도핑된 아연 산화물을 포함하는 투명 적층 구조체
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제1항에 있어서,상기 투명 전도층의 두께는 100~500 nm인 투명 적층 구조체
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제1항에 있어서,상기 반사 방지층은 저굴절률을 갖는 실리콘 산화물의 단층 구조를 포함하거나, 저굴절률을 갖는 실리콘 산화물과 고굴절률을 갖는 티타늄 산화물이 번갈아 적층된 다층 구조를 포함하는 투명 적층 구조체
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제1항에 있어서,상기 반사 방지층의 두께는 50~300 nm인 투명 적층 구조체
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제1항에 있어서,상기 기판은 굴곡된 형상을 갖는 투명 적층 구조체
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투명한 기판;상기 기판의 상면에 배치된 제1 버퍼층;상기 제1 버퍼층을 통해 상기 기판의 상면에 접착되고 상기 제1 버퍼층의 적어도 일부 영역 상에 배치된 제1 투명 전도층;상기 제1 투명 전도층 상에 배치되고, 상기 제1 투명 전도층보다 굴절률이 낮은 저굴절률 산화물, 또는 고굴절률 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 제1 반사 방지층;상기 제1 반사 방지층 상에 배치된 제1 프라이머층; 상기 제1 프라이머층에 의해 상기 제1 반사 방지층에 접착되는 제1 탑 코트층; 상기 기판의 하면에 배치된 제2 버퍼층;상기 제2 버퍼층을 통해 상기 기판의 하면에 접착되고 상기 제2 버퍼층의 적어도 일부 영역 상에 배치된 제2 투명 전도층;상기 제2 투명 전도층 상에 배치되고, 상기 제2 투명 전도층보다 굴절률이 낮은 저굴절률 산화물, 또는 고굴절률 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 제2 반사 방지층;상기 제2 반사 방지층 상에 배치된 제2 프라이머층; 및상기 제2 프라이머층에 의해 상기 제2 반사 방지층에 접착되는 제2 탑 코트층; 을 포함하고,상기 제1 버퍼층 및 상기 제2 버퍼층은 무기질 필러 및 레진 기질을 포함하는 유기-무기 복합체를 포함하고, 상기 무기질 필러는 알루미늄 산화물, 이트륨 산화물, 마그네슘 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 망간 산화물, 하프늄 산화물 또는 이들의 조합을 포함하고,상기 무기질 필러의 함량은 상기 버퍼층의 총 중량에 대해 0
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제16항에 있어서,상기 제1 투명 전도층은 상기 제1 버퍼층의 전체 영역 상에 배치되고, 상기 제2 투명 전도층은 상기 제2 버퍼층의 전체 영역 상에 배치되고, 상기 제1 투명 전도층과 상기 제2 투명 전도층은 서로 다른 면저항을 갖는 투명 적층 구조체
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제17항에 있어서,상기 제2 투명 전도층의 면저항은 상기 제1 투명 전도층의 면저항의 10배 이상인 투명 적층 구조체
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제16항에 있어서,상기 제1 투명 전도층과 상기 제2 투명 전도층은 서로 다른 두께를 갖는 투명 적층 구조체
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제19항에 있어서,상기 제1 투명 전도층의 두께는 상기 제2 투명 전도층의 두께보다 큰 투명 적층 구조체
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투명한 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 표면을 이온이나 UV로 처리하는 단계; 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층의 표면을 이온빔으로 처리하는 단계;상기 버퍼층의 적어도 일부 상에 투명 전도층을 형성하는 단계;상기 투명 전도층 상에 반사 방지층을 형성하는 단계;상기 반사 방지층 상에 프라이머층을 형성하는 단계;상기 프라이머층 상에 탑 코트층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계는,무기질 필러 및 레진 기질을 포함하는 유기-무기 복합 레진을 코팅하는 단계를 포함하고, 상기 무기질 필러는 알루미늄 산화물, 이트륨 산화물, 마그네슘 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 망간 산화물, 하프늄 산화물 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 무기질 필러의 함량은 상기 버퍼층의 총 중량에 대해 0
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제21항에 있어서,모든 단계들은, 70℃ 이하에서 수행되는 투명 적층 구조체의 제조 방법
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제21항에 있어서,상기 프라이머층은 수산화기를 포함하는 폴리머로 이루어진 투명 적층 구조체의 제조 방법
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제21항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하기 위한 유기-무기 복합 레진은 상기 기판의 표면에 손상을 주는 1-하이드록시시클로헥실 페닐 케톤, 메틸 에틸 케톤, 아세톤, 프로판올, 메탄올, 이소프로필알코올, 톨루엔 중 2 가지 이상을 용매로서 포함하는 투명 적층 구조체의 제조 방법
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제21항에 있어서,상기 버퍼층의 표면을 이온빔으로 처리하는 단계는, 상기 버퍼층의 표면에 히드록시, 에테르, 카르보닐 작용기 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계인 투명 적층 구조체의 제조 방법
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제21항에 있어서,상기 기판의 표면을 이온이나 UV로 처리하는 단계는,공기를 이온화하여 상기 기판의 표면에 이온을 조사하는 단계; 또는상기 기판의 표면에 UV 광을 조사하는 단계를 포함하는 투명 적층 구조체의 제조 방법
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제26항에 있어서,상기 버퍼층의 표면을 이온빔으로 처리하는 단계는, 불활성 기체, 활성 기체(O2, H2O, N2 중 적어도 어느 하나를 포함) 또는 이들의 조합을 포함하는 처리 가스를 플라즈마 상태로 만들어 이온화하는 단계; 및 이온화된 상기 처리 가스 중 양이온들만을 가속시켜 상기 버퍼층의 표면에 조사하는 단계를 포함하는 투명 적층 구조체의 제조 방법
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제21항에 있어서,상기 버퍼층의 적어도 일부 상에 투명 전도층을 형성하는 단계는,공정 압력을 3 mTorr이하로 유지하는 단계; 및불활성 기체, 활성 기체(O2, H2O, N2 중 적어도 어느 하나를 포함) 또는 이들의 조합을 포함하는 처리 가스를 플라즈마 상태로 만들어 이온화하는 단계를 포함하는 투명 적층 구조체의 제조 방법
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제28항에 있어서,상기 불활성 기체와 상기 활성 기체의 유량 비율이 25~50 : 1인 투명 적층 구조체의 제조 방법
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제21항에 있어서, 상기 투명 전도층 상에 반사 방지층을 형성하는 단계는,공정 압력을 10 mTorr 이하로 유지하는 단계; 및불활성 기체, 활성 기체(O2, H2O, N2 중 적어도 어느 하나를 포함) 또는 이들의 조합을 포함하는 처리 가스를 플라즈마 상태로 만들어 이온화하는 단계를 포함하는 투명 적층 구조체의 제조 방법
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제21항에 있어서,상기 투명 전도층 상에 반사 방지층을 형성하는 단계 이전에, 상기 투명 전도층의 표면을 전자빔으로 처리하는 단계를 더 포함하는 투명 적층 구조체의 제조 방법
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32
제31항에 있어서,불활성 기체, 활성 기체(O2, H2O, N2 중 적어도 어느 하나를 포함) 또는 이들의 조합을 포함하는 처리 가스를 플라즈마 상태로 만들어 이온화하는 단계; 및 이온화된 상기 처리 가스 중 전자들만을 가속시켜 상기 투명 전도층의 표면에 조사하는 단계;를 포함하는 투명 적층 구조체의 제조 방법
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