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기판; 상기 기판의 일면을 덮으며, 상기 기판의 일부를 노출시키는 복수의 나노 홀 패턴을 갖는 마스크층; 상기 복수의 나노 홀 패턴에 의해 노출된 기판의 일면 상에 배치되어, 수직 방향으로 돌출된 복수의 나노와이어 발광구조물; 상기 기판의 일면 및 복수의 나노와이어 발광구조물의 노출면을 덮는 방열 금속층; 상기 방열 금속층의 일부 두께를 제외하고, 상기 방열 금속층을 덮는 보호층; 상기 기판의 타면에 배치되어, 상기 기판에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및 상기 보호층의 외부로 노출된 방열 금속층에 전기적으로 연결된 제2 전극;을 포함하며, 상기 방열 금속층은 상기 기판의 일면 상에 배치된 복수의 나노와이어 발광구조물을 제외한 기판의 일면 전체를 덮도록 형성되어, 상기 복수의 나노와이어 발광구조물과 방열 금속층 상호 간의 측면이 접촉되고, 상기 방열 금속층은 상기 기판의 일면 상에 배치된 복수의 나노와이어 발광구조물을 제외한 기판의 일면 전체와 더불어, 상기 복수의 나노와이어 발광구조물의 외측 전체를 덮어 감싸도록 형성되어, 상기 방열 금속층에 의해 복수의 나노와이어 발광구조물이 밀봉되는 구조를 갖고, 상기 방열 금속층은 1 ~ 500nm의 두께를 가지며, 상기 보호층은 보호 물질인 폴리이미드 수지로 형성되고, 50nm ~ 5㎛의 두께를 가지며, 상기 보호층은 방열 금속층을 덮되, 상기 방열 금속층이 복수의 나노와이어 발광구조물 전체 높이의 1/5 이하의 두께가 외부로 노출되도록 덮는 것에 의해, 상기 제2 전극은 상기 복수의 나노와이어 발광구조물과 대응되는 위치의 방열 금속층과 각각 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 고방열 나노구조 광소자
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제1항에 있어서,상기 마스크층은 SiOx, SiNx, Al, Ni, Ti 및 Mo 중 1종 이상을 포함하는 재질로 형성되며, 0
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노와이어 발광구조물은 상기 기판의 일면으로부터 수직 방향으로 돌출된 복수의 제1 도전형 질화물층; 상기 돌출된 복수의 제1 도전형 질화물층의 노출면 전체를 덮어 감싸도록 각각 적층된 복수의 활성층; 상기 복수의 활성층의 노출면 전체를 덮어 감싸도록 각각 적층된 복수의 제2 도전형 질화물층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 고방열 나노구조 광소자
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제3항에 있어서,상기 복수의 제1 도전형 질화물층과 복수의 제2 도전형 질화물층 각각은 20nm ~ 10㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 고방열 나노구조 광소자
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제1항에 있어서,상기 방열 금속층은 Al, Au, Ag, In, Fe, Mo, Pt, Ni 및 Ti 중 선택된 1종 이상의 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 고방열 나노구조 광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 n-형 금속 전극이고, 상기 제2 전극은 p-형 금속 전극인 것을 특징으로 하는 고방열 나노구조 광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 p-형 금속 전극이고, 상기 제2 전극은 n-형 금속 전극인 것을 특징으로 하는 고방열 나노구조 광소자
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(a) 기판의 일면 상에 기판의 일부를 노출시키는 복수의 나노 홀 패턴을 갖는 마스크층을 형성하는 단계; (b) 상기 복수의 나노 홀 패턴에 의해 노출된 기판의 일면 상에 수직 방향으로 돌출되는 복수의 나노와이어 발광구조물을 형성하는 단계; (c) 상기 기판의 일면 및 복수의 나노와이어 발광구조물의 노출면을 덮는 방열 금속층을 형성하는 단계; (d) 상기 방열 금속층의 일부 두께를 제외하고, 상기 방열 금속층을 덮는 보호층을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 기판의 타면과 방열 금속층에 각각 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 방열 금속층은 상기 기판의 일면 상에 배치된 복수의 나노와이어 발광구조물을 제외한 기판의 일면 전체를 덮도록 형성되어, 상기 복수의 나노와이어 발광구조물과 방열 금속층 상호 간의 측면이 접촉되고, 상기 (c) 단계에서, 상기 방열 금속층은 상기 기판의 일면 상에 배치된 복수의 나노와이어 발광구조물을 제외한 기판의 일면 전체와 더불어, 상기 복수의 나노와이어 발광구조물의 외측 전체를 덮어 감싸도록 형성되어, 상기 방열 금속층에 의해 복수의 나노와이어 발광구조물이 밀봉되는 구조를 갖고, 상기 방열 금속층은 1 ~ 500nm의 두께를 가지며, 상기 (d) 단계는, (d-1) 상기 방열 금속층 및 기판의 일면을 전체에 덮도록 보호 물질을 코팅 또는 증착하여 보호 물질층을 형성하는 단계; (d-2) 상기 보호 물질층이 형성된 기판을 50 ~ 250℃에서 15초 ~ 1시간 동안 소프트 베이킹하는 단계; (d-3) 상기 방열 금속층의 일부 두께만이 외부로 노출되도록 보호 물질층의 일부 두께를 건식 식각 또는 습식 식각으로 제거하는 단계; 및 (d-4) 상기 노출된 방열 금속층, 보호 물질층 및 기판을 100 ~ 400℃에서 5분 ~ 3시간 동안 하드 베이킹하여 보호층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 (d-1) 단계에서, 상기 보호 물질층은 보호 물질인 폴리이미드 수지를 10 ~ 8000rpm의 속도로 스핀 코팅하여 50nm ~ 5㎛의 두께로 형성하고, 상기 보호층은 방열 금속층을 덮되, 상기 방열 금속층이 복수의 나노와이어 발광구조물 전체 높이의 1/5 이하의 두께가 외부로 노출되도록 덮는 것에 의해, 상기 제2 전극은 상기 복수의 나노와이어 발광구조물과 대응되는 위치의 방열 금속층과 각각 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 고방열 나노구조 광소자 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 방열 금속층은 Al, Au, Ag, In, Fe, Mo, Pt, Ni 및 Ti 중 선택된 1종 이상을 포함하는 금속 물질을 분자선 에피턱셜법(Molecular Beam Epitaxy), 유기 금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 수소기상증착법(Hydride vapour phase epitaxy), 열증착장비(Thermal evaporator), 전자빔증착장비(E-beam evaporator), 스퍼터링(Sputtering) 장비 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고방열 나노구조 광소자 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 (e) 단계에서, 상기 제1 및 제2 전극 각각은 Al, Au, Ag, In, Fe, Mo, Pt, Ni 및 Ti 중 선택된 1종 이상의 재질이 이용되는 것을 특징으로 하는 고방열 나노구조 광소자 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극 각각은 단층 구조를 갖거나, 2층 ~ 10층의 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고방열 나노구조 광소자 제조 방법
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