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유기 작용기를 갖는 실리카 입자를 제조하는 제1 단계;상기 제1 단계에서 제조된 유기 작용기를 갖는 실리카 입자를 금속 물질과 혼합하고 열환원시켜 실리콘 카바이드 입자를 제조하는 제2 단계; 및상기 제2 단계에서 제조된 실리콘 카바이드 입자를 산(acid)을 포함하는 에칭 용액으로 에칭하여 상기 실리콘 카바이드 입자의 구조, 크기 및 형태를 제어하는 제3 단계를 포함하고,상기 실리콘 카바이드 입자는 실리콘 카바이드 단일구조, 실리콘 카바이드와 실리콘의 복합체 구조, 또는 실리콘 카바이드와 탄소의 복합체 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기 작용기는 비치환되거나, 말단의 수소가 할로겐 원자, 아민기, 니트로기, 머캡토기, 글리시딜옥시기, 술폰기, 수산기, 알데히드기 또는 카르복실기로 치환된, C1-C4 알킬기, 비닐기 또는 C5-C6 아릴기인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 단계는물, 염기성 촉매, 및 유기 작용기를 갖는 알콕시실란 화합물을 혼합하여 반응혼합물을 제조하는 단계;상기 반응혼합물을 교반하여 가수분해 반응 및 축중합 반응을 수행하여 유기 작용기를 갖는 실리카 입자를 생성시키는 단계; 및생성된 입자를 여과, 세정 및 건조하여 유기 작용기를 갖는 실리카 입자를 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 알콕시실란 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 알콕시실란 화합물은 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 머캡토프로필트리메톡시실란, 머캡토프로필트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란 및 비닐트리에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 반응혼합물은 실리콘 알콕사이드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 염기성 촉매는 트리에틸아민, 암모니아수 및 테트라메틸암모니움하이드록사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 물질은 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 나트륨 및 리튬으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속 물질의 형태는 파우더(powder), 조각(turnings), 액체 및 기체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,유기 작용기를 갖는 실리카 입자와 금속 물질의 혼합비율은 몰비로 0
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제1항에 있어서,상기 열환원은 400~1200 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산(acid)은 염산, 질산, 황산, 인산, 불산 및 염소산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,실리카 입자의 유기 작용기가 알킬기인 경우, 상기 실리콘 카바이드 입자는 실리콘 카바이드와 실리콘의 복합체 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,실리카 입자의 유기 작용기가 알킬기인 경우, 열환원 반응시간을 조절하여 실리콘 카바이드 입자의 형태를 래틀형(rattle)으로 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,실리카 입자의 유기 작용기가 머캡토기인 경우, 열환원 반응시간을 조절하여 실리콘 카바이드 입자의 형태를 중공형(hollow)으로 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 단계에서 제조된 유기 작용기를 갖는 실리카 입자는 금속과 혼합되기 전에 열처리하는 단계를 추가적으로 수행하여, 실리카 입자의 유기 작용기가 부분적으로 제거되어 열환원시 형성된 실리콘 카바이드 내의 실리콘 함량을 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계에서 제조된 실리콘 카바이드 입자는 산 에칭 전에 열처리하는 단계를 추가적으로 수행하여, 입자의 형태 및 구조를 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 입자의 제조방법
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