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화소 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

  • 기술번호 : KST2022006679
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따른 화소는, 제1 노드로 공급되는 구동 전류에 따라 발광하기 위한 유기 발광 다이오드; 게이트의 전압에 기초하여 상기 구동 전류를 제어하기 위한 제1 트랜지스터; 주사 신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트에 전달하기 위한 제2 트랜지스터; 제1 제어 신호에 응답하여 제2 제어 신호를 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트로 전달하기 위한 제3 트랜지스터; 및 상기 데이터 전압을 저장하기 위한 저장 캐패시터를 포함하고, 상기 게이트는, 양측단이 각각 제1 게이트 노드 및 제2 게이트 노드로 정의되는 게이트 저항을 포함하고, 복구 구간동안 상기 주사 신호 및 상기 제1 제어 신호가 공급됨에 따라, 상기 데이터 전압 및 상기 제2 제어 신호는 상기 제1 게이트 노드 및 상기 제2 게이트 노드로 각각 공급되고, 상기 데이터 전압 및 상기 제2 제어 신호 사이의 전압차에 의한 복구 전류가 상기 게이트 저항으로 흐르는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G09G 3/3283 (2016.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210093087 (2021.07.15)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0009360 (2022.01.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200087727   |   2020.07.15
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.07.15)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최병덕 서울특별시 성동구
2 김용덕 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 해움특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *층(반포동, 세영제이타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2021-0819595-37
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 노드로 공급되는 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광 다이오드;게이트의 전압에 기초하여 상기 구동 전류를 제어하는1 트랜지스터;주사 신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트에 전달하는 제2 트랜지스터; 제1 제어 신호에 응답하여 제2 제어 신호를 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트로 전달하는 제3 트랜지스터; 및상기 데이터 전압을 저장하는 저장 캐패시터를 포함하고, 상기 게이트는, 양측단이 각각 제1 게이트 노드 및 제2 게이트 노드로 정의되는 게이트 저항을 포함하고, 복구 구간동안 상기 주사 신호 및 상기 제1 제어 신호가 공급됨에 따라, 상기 데이터 전압 및 상기 제2 제어 신호는 상기 제1 게이트 노드 및 상기 제2 게이트 노드로 각각 공급되고, 상기 데이터 전압 및 상기 제2 제어 신호 사이의 전압차에 의한 복구 전류가 상기 게이트 저항으로 흐르는, 화소
2 2
제1항에 있어서, 상기 복구 구간은, 적어도 한 개 이상의 프레임 단위로 반복하여 진행되는 것을 특징으로 하는, 화소
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 제어 신호 및 상기 제2 제어 신호는 상기 주사 신호와 서로 동일한, 화소
4 4
제1항에 있어서, 제3 제어 신호에 응답하여 제1 노드 및 감지선을 서로 연결시키기 위한 제4 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제3 제어 신호가 상기 제4 트랜지스터의 게이트로 인가되면, 외부의 보상 회로가 상기 감지선을 통해 열화를 감지할 수 있는, 화소
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 제어 신호, 상기 제2 제어 신호 및 상기 제3 제어 신호는, 상기 주사 신호와 동일한, 화소
6 6
제4항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터는, NMOS 트랜지스터인, 화소
7 7
제6항에 있어서, 상기 저장 캐패시터는, 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 제1 전극, 및 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는, 화소
8 8
공급되는 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광 다이오드;게이트의 전압에 기초하여 상기 구동 전류를 제어하는 제1 트랜지스터;현재 주사 신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트에 전달하는 제2 트랜지스터; 상기 현재 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결하는 제3 트랜지스터;이전 주사 신호에 응답하여 초기화 전압을 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트로 전달하는 제4 트랜지스터;상기 이전 주사 신호에 응답하여 상기 초기화 전압을 상기 유기 발광 다이오드의 애노드로 전달하는 제5 트랜지스터;발광 제어 신호에 응답하여 제1 구동 전압 및 상기 제1 트랜지스터의 제1 단자 사이를 연결하는 제6 트랜지스터;상기 발광 제어 신호에 응답하여 상기 유기 발광 다이오드 및 상기 제1 트랜지스터의 제2 단자 사이를 연결하는 제7 트랜지스터;제1 제어 신호에 응답하여 제2 제어 신호를 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트로 전달하는 제8 트랜지스터; 및 상기 데이터 전압을 저장하는 저장 캐패시터를 포함하고, 상기 게이트는, 양측단이 각각 제1 게이트 노드 및 제2 게이트 노드로 정의되는 게이트 저항을 포함하고, 초기화 구간동안, 상기 이전 주사 신호 및 상기 제1 제어 신호가 공급됨에 따라, 상기 초기화 전압 및 상기 제2 제어 신호는 상기 제1 게이트 노드 및 상기 제2 게이트 노드로 각각 공급되고, 상기 초기화 전압 및 상기 제2 제어 신호 사이의 전압차에 의한 복구 전류가 상기 게이트 저항으로 흐르는, 화소
9 9
제8항에 있어서, 발광 제어 신호에 응답하여 제1 구동 전압 및 상기 제1 트랜지스터의 제1 단자 사이를 연결하는 제6 트랜지스터; 및상기 발광 제어 신호에 응답하여 상기 유기 발광 다이오드 및 상기 제1 트랜지스터의 제2 단자 사이를 연결하는 제7 트랜지스터를 더 포함하는, 화소
10 10
공급되는 구동 전류에 따라 발광하기 위한 유기 발광 다이오드;게이트의 전압에 기초하여 상기 구동 전류를 제어하기 위한 제1 트랜지스터;현재 주사 신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트에 전달하기 위한 제2 트랜지스터; 상기 현재 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키기 위한 제3 트랜지스터;이전 주사 신호에 응답하여 초기화 전압을 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트로 전달하기 위한 제4 트랜지스터;상기 이전 주사 신호에 응답하여 상기 초기화 전압을 상기 유기 발광 다이오드의 애노드로 전달하기 위한 제5 트랜지스터;상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트의 전압에 응답하여 제2 제어 신호를 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트로 전달하기 위한 복구 트랜지스터; 및 상기 데이터 전압을 저장하기 위한 저장 캐패시터를 포함하고, 상기 게이트는, 양측단이 각각 제1 게이트 노드 및 제2 게이트 노드로 정의되는 게이트 저항을 포함하고, 초기화 구간동안, 상기 이전 주사 신호가 공급됨에 따라, 상기 초기화 전압 및 상기 제2 제어 신호는 상기 제1 게이트 노드 및 상기 제2 게이트 노드로 각각 공급되고, 상기 초기화 전압 및 상기 제2 제어 신호 사이의 전압차에 의한 복구 전류가 상기 게이트 저항으로 흐르는, 화소
11 11
제10항에 있어서, 발광 제어 신호에 응답하여 제1 구동 전압 및 상기 제1 트랜지스터의 제1 단자 사이를 연결시키기 위한 제6 트랜지스터; 및상기 발광 제어 신호에 응답하여 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드 및 상기 제1 트랜지스터의 제2 단자 사이를 연결시키기 위한 제7 트랜지스터를 더 포함하는, 화소
12 12
공급되는 구동 전류에 따라 발광하기 위한 유기 발광 다이오드;게이트의 전압에 기초하여 상기 구동 전류를 제어하는 제1 트랜지스터;현재 주사 신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트에 전달하는 제2 트랜지스터; 상기 현재 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결하는 제3 트랜지스터;이전 주사 신호에 응답하여 제1 초기화 전압을 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트로 전달하는 제4 트랜지스터;상기 이전 주사 신호에 응답하여 제2 초기화 전압을 상기 유기 발광 다이오드의 애노드로 전달하는 제5 트랜지스터;상기 이전 주사 신호에 응답하여 상기 제2 초기화 전압을 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트로 전달하기 위한 복구 트랜지스터; 및 상기 데이터 전압을 저장하기 위한 저장 캐패시터를 포함하고, 상기 게이트는, 양측단이 각각 제1 게이트 노드 및 제2 게이트 노드로 정의되는 게이트 저항을 포함하고, 초기화 구간동안, 상기 이전 주사 신호가 공급됨에 따라, 상기 제1 초기화 전압 및 상기 제2 초기화 전압은 상기 제1 게이트 노드 및 상기 제2 게이트 노드로 각각 공급되고, 상기 제1 초기화 전압 및 상기 제2 초기화 전압의 전압차에 의한 복구 전류가 상기 게이트 저항으로 흐르는, 화소
13 13
제12항에 있어서, 상기 복구 트랜지스터는, 상기 이전 주사 신호에 응답하여 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드 및 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트 사이를 연결시키는, 화소
14 14
제12항에 있어서, 상기 복구 트랜지스터는, 상기 이전 주사 신호에 응답하여 상기 제2 초기화 전압 및 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트 사이를 연결시키는, 화소
15 15
복수의 화소들을 포함하는 화소부;상기 화소들에 연결된 복수의 데이터선들로 데이터 전압들을 공급하기 위한 데이터 구동부; 및상기 화소들에 연결된 복수의 주사선들로 주사 신호들을 공급하기 위한 주사 구동부를 포함하고, 상기 복수의 화소들 중 적어도 어느 하나는, 제1 노드로 공급되는 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광 다이오드;게이트의 전압에 기초하여 상기 구동 전류를 제어하는 제1 트랜지스터;주사 신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트에 전달하는 제2 트랜지스터; 제1 제어 신호에 응답하여 제2 제어 신호를 상기 제1 트랜지스터의 상기 게이트로 전달하는 제3 트랜지스터; 및상기 데이터 전압을 저장하는 저장 캐패시터를 포함하고, 상기 게이트는, 양측단이 각각 제1 게이트 노드 및 제2 게이트 노드로 정의되는 게이트 저항을 포함하고, 복구 구간동안 상기 주사 신호 및 상기 제1 제어 신호가 공급됨에 따라, 상기 데이터 전압 및 상기 제2 제어 신호는 상기 제1 게이트 노드 및 상기 제2 게이트 노드로 각각 공급되고, 상기 데이터 전압 및 상기 제2 제어 신호 사이의 전압차에 의한 복구 전류가 상기 게이트 저항으로 흐르는, 디스플레이 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한양대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발(R&D) 유연/스트레쳐블 디스플레이를 위한 AMOLED용 곡률반경 0.5mm 이하, 반복 횟수 200,000회 이상, strain 10% 이상의 변형에 대응할 수 있는 TFT 소재, 소자 및 회로 설계 원천 기술 개발