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하부 전극; 상기 하부 전극 위에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 위에 형성된 상부 전극을 포함하는 전자 소자를 구비하며, 상기 활성층에 사용되는 이온의 종류는 금속이온 Mg가 사용되며, 상기 활성층은 절연 특성을 갖는 모든 종류의 물질이 사용되고, 상기 전자 소자의 이온의 농도를 제어하는 방법은 (1) 이온을 포함한 활성층을 이용하는 방법, (2) 상기 활성층에 이온을 doping 또는 diffusion 시키는 방법 중 어느 하나를 사용하며, 상기 활성층은 (1) 이온을 포함한 활성층을 이용하는 방법, (2) 상기 활성층에 이온을 doping 또는 diffusion 시키는 방법을 사용하지 않는 경우, 상부 전극과 활성층 사이에 삽입된 이온 소스층; 또는 상기 하부 전극과 상기 활성층 사이에 삽입된 이온 소스층을 더 포함하며, 상기 상부 전극-활성층-하부 전극 구조에서 상기 활성층에 Mg 이온 또는 Ag 이온이 사용되는 경우, 상기 활성층 내에 사용된 Ag 이온 0% doping시, 상기 활성층에 Ag 이온이 없으면, 활성층에 사용된 금속 이온의 농도에 따른 전자 소자의 상부 전극과 하부 전극에 -4V ~ +4V 전압을 인가하면 100nA 이하의 전류가 흐르므로, 상기 활성층은 절연체 특성을 보이며, 상기 소자의 상부 전극-활성층-하부 전극 구조는 금속-절연체-금속(Metal-Insulator-Metal, MIM) 구조를 가지며, 상기 활성층에 사용된 금속 이온의 농도에 따른 전자 소자의 상부 전극-활성층-하부 전극 구조에서 활성 층 내에 Ag 이온의 농도가 0
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제1항에 있어서, 상기 활성층은 이온이 없으면, 절연체 특성을 가지며, 이 경우, 상기 활성층에 사용된 금속 이온의 농도에 따른 전자소자의 상부 전극-활성층-하부 전극은 금속-절연체-금속(Metal-Insulator-Metal, MIM) 구조를 갖는, 이온 농도에 따른 전자소자
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제1항에 있어서, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극은 금속물질 또는 전도성 특성을 갖는 물질을 사용하는, 이온 농도에 따른 전자소자
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제1항에 있어서, 상기 상부 전극은 Ni, 상기 활성 층은 Al2O3, 그리고 상기 하부 전극은 Ni를 사용하는, 이온 농도에 따른 전자소자
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제1항에 있어서, 상기 활성층에 사용된 금속 이온의 농도에 따른 전자 소자의 상부 전극-활성층-하부 전극 구조에서 상기 활성층 내에 Ag 이온의 농도가 0
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제5항에 있어서, 상기 활성층에 사용된 금속 이온의 농도에 따른 전자 소자의 상부 전극-활성층-하부 전극 구조에서 상기 활성층 내에 Ag 이온의 농도를 0
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