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상호 이격된 제1 실장전극과 제2 실장전극을 포함하는 전극 라인; 및일단부가 상기 제1 실장전극과 접촉하고, 타단부가 상기 제2 실장전극에 접촉하고, 빛의 세기가 0 이상 100 mW/cm2 이하로 조절된 외부 광 조사 및 조립전압 인가에 의해 극성 배열성이 향상된 초소형 LED 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 극성 배열성이 향상된 초소형 LED 전극 어셈블리
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청구항 1에 있어서, 상기 초소형 LED 소자는, 제1 도전성 반도체층, 상기 제1 도전성 반도체층상에 형성된 활성층 및 상기 활성층상에 형성된 제2 도전성 반도체층을 포함하고, 적어도 활성층을 덮는 절연피막을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성 배열성이 향상된 초소형 LED 전극 어셈블리
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청구항 2에 있어서, 상기 제1 도전성 반도체층 및 제2 도전성 반도체층 중 어느 하나의 도전성 반도체층은 n형 반도체층을 적어도 하나 포함하고, 다른 도전성 반도체층은 p형 반도체층을 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 극성 배열성이 향상된 초소형 LED 전극 어셈블리
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청구항 1에 있어서, 상기 초소형 LED 소자의 길이가 100 nm 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 극성 배열성이 향상된 초소형 LED 전극 어셈블리
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청구항 1에 있어서, 상기 초소형 LED 소자는 단위 발광 화소 당 실장된 개수가 1개 이상인 것을 특징으로 하는 극성 배열성이 향상된 초소형 LED 전극어셈블리
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상호 이격된 제1 실장전극과 제2 실장전극을 포함하는 전극 라인; 및제1 도전성 반도체 및 제2 도전성 반도체를 포함하여 일단부가 상기 제1 실장전극과 접촉되고, 타단부가 상기 제2 실장전극에 접촉되고, 빛의 세기가 0 이상 100 mW/cm2 이하로 조절된 외부 광 조사 및 조립전압 인가에 의해 극성 배열성이 향상된 초소형 LED 소자;를 포함하며, 상기 초소형 LED 소자 전체 개수 중 상기 제1 실장전극에 상기 제1 도전성 반도체가 접촉하는 극성 배열된 초소형 LED 소자의 개수가 80% 이상인 것을 특징으로 하는 극성 배열성이 향상된 초소형 LED 전극 어셈블리
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청구항 16에 있어서, 상기 초소형 LED 소자 전체 개수 중 상기 제1 실장전극에 상기 제1 도전성 반도체가 접촉되고, 빛의 세기가 0 이상 100 mW/cm2 이하로 조절된 외부 광 조사 및 조립전압 인가에 의해 극성 배열된 초소형 LED 소자의 개수는 90% 이상인 것을 특징으로 하는 극성 배열성이 향상된 초소형 LED 전극 어셈블리
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청구항 6에 따른 초소형 LED 전극 어셈블리;를 포함하는 광원
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청구항 6에 따른 초소형 LED 전극 어셈블리;를 포함하는 디스플레이
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