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X선의 80 kV 이하의 저에너지 영역을 흡수 및 방출하는 제1 신틸레이터층; X선의 80 kV 초과의 고에너지 영역을 흡수 및 방출하는 제2 신틸레이터층; 및 상기 제1 신틸레이터층과 상기 제2 신틸레이터층의 사이에 형성된 반사투과층을 포함하는 다층 신틸레이터 박막
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X선의 80 kV 이하의 저에너지 영역을 흡수 및 방출하는 제1 신틸레이터층; X선의 80 kV 초과의 고에너지 영역을 흡수 및 방출하는 제2 신틸레이터층;상기 제1 신틸레이터층과 상기 제2 신틸레이터층의 사이에 형성된 분리막; 및상기 제1 신틸레이터층 상에 형성된 반사투과층을 포함하는 다층 신틸레이터 박막
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 신틸레이터층은 망간 화합물에 페닐 포스핀 화합물이 결합된, 망간 페닐 포스핀 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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4
제3항에 있어서,상기 포스핀 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 유기화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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5
제3항에 있어서,상기 포스핀 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 유기화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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6
제3항에 있어서,상기 포스핀 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 유기화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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7
제3항에 있어서,상기 망간 화합물은 브롬화 망간(MnBr4)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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8
제3항에 있어서,상기 페닐 포스핀 화합물의 밴드 갭은 상기 망간 화합물의 밴드 갭 보다 큰 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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9
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 신틸레이터층은 하기 화학식 4로 표시되는 유무기 복합 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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10
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 신틸레이터층은 하기 화학식 5로 표시되는 유무기 복합 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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11
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 신틸레이터층은 하기 화학식 6으로 표시되는 유무기 복합 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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12
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 신틸레이터층은 CsPbX3(X=Cl, Br 또는 I)의 조성을 갖는 페로브스카이트 나노입자; 및 상기 페로브스카이트 나노입자 표면에 결합되며, 페로브스카이트 나노입자의 밴드갭보다 높은 에너지를 가지는 광에 여기되어, 페로브스카이트 나노입자의 밴드갭보다 높은 에너지를 가지는 광을 형성하는 광흡수 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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13
제12항에 있어서,상기 광흡수 화합물은 상기 페로브스카이트 나노입자의 Pb 또는 Cs에 결합하는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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14
제12항에 있어서,상기 광흡수 화합물에서 발생된 전자는 상기 페로브스카이트 나노입자로 이동하고, 상기 이동된 전자가 에너지 준위를 이동하여 발광 동작을 수행하거나, 발생된 2차 전자에 의해 발광 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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15
제12항에 있어서,상기 광흡수 화합물은(1) 2,5-Diphenyloxazole (C15H11NO, 디페닐옥사졸, PPO);(2) 2-(4-biphenylyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole (C24H22N2O); 및(3) 2,-(4-tert-butylphenyl)-5-(4-biphenylyl)-1,3,4,-oxadiazole(C24H22N2O)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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16
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 반사투과층은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 포함하는 금속박막층인 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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17
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 분리막은 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA) 또는 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는 투명 고분자막인 것을 특징으로 하는, 다층 신틸레이터 박막
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페로브스카이트 나노입자 및 광흡수 물질의 복합체를 포함하는 제2 신틸레이터층을 제조하는 단계(S10);상기 제2 신틸레이터층 상에 투명 분리막을 코팅하는 단계(S20);상기 투명 분리막 상에 망간 페닐 포스핀 화합물을 포함하는 제1 신틸레이터층을 형성하는 단계(S30); 및상기 제1 신틸레이터층 상에 반사투과층을 형성하는 단계(S40)를 포함하는,다층 신틸레이터 박막의 제조방법
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페로브스카이트 나노입자 및 광흡수 물질의 복합체를 포함하는 제2 신틸레이터층을 제조하는 단계(S10);상기 제2 신틸레이터층 상에 반사투과층을 형성하는 단계(S21); 및상기 반사투과층 상에 망간 페닐 포스핀 화합물을 포함하는 제1 신틸레이터층을 형성하는 단계(S31)를 포함하는,다층 신틸레이터 박막의 제조방법
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