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염화물계 고체전해질, 전고체전지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022007315
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리튬이온전도도를 향상시킬 수 있는 염화물계 고체전해질 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 염화물계 고체전해질의 원료물질과, 이종원소로 하프늄(Hf)를 함유하는 이종물질을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계, 혼합물을 펠렛타이징하는 단계, 및 펠렛타이징된 혼합물을 열처리하여 하프늄(Hf)이 포함된 염화물계 고체전해질을 제조하는 단계를 포함하는 염화물계 고체전해질의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 염화물계 고체전해질은 Li6-xY1-xHfxCl6 (0003c#x≤0.7)으로 표시된다.
Int. CL H01M 10/0562 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 50/409 (2021.01.01) C01G 27/00 (2006.01.01)
CPC H01M 10/0562(2013.01) H01M 4/62(2013.01) H01M 50/409(2013.01) C01G 27/006(2013.01) H01M 2300/0068(2013.01)
출원번호/일자 1020200158864 (2020.11.24)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0072088 (2022.06.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박건호 경기도 성남시 분당구
2 김경수 경기도 용인시 수지구
3 조우석 경기도 성남시 분당구
4 유지상 경기도 성남시 분당구
5 정구진 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-1263897-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0089972-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0394628-35
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번호 청구항
1 1
염화물계 고체전해질의 원료물질과, 이종원소로 하프늄(Hf)을 함유하는 이종물질을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;상기 혼합물을 펠렛타이징하는 단계; 및펠렛타이징된 혼합물을 열처리하여 상기 하프늄(Hf)가 포함된 염화물계 고체전해질을 제조하는 단계;를 포함하는 염화물계 고체전해질의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 이종물질은 HfCl4 을 포함하는 특징으로 하는 염화물계 고체전해질의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 원료물질은 LiCl 및 YCl3 을 포함하는 것을 특징으로 하는 염화물계 고체전해질의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 염화물계 고체전해질은 Li6-xY1-xHfxCl6 (0003c#x≤0
5 5
제1항에 있어서,상기 혼합물을 제조하는 단계, 상기 펠렛타이징하는 단계, 및 상기 염화물계 고체전해질을 제조하는 단계는 각각,수분과 산소에 노출되지 않는 글로브박스 또는 드라이룸 내에서 수행되거나, 불활성가스 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 염화물계 고체전해질의 제조 방법
6 6
Li6-xY1-xHfxCl6 (0003c#x≤0
7 7
Li6YCl6으로 표시되는 염화물계 고체전해질에서, 이트륨(Y)의 일부를 하프늄(Hf)으로 치환한 염화물계 고체전해질
8 8
제7항에 있어서,상기 염화물계 고체전해질은 Li6-xY1-xHfxCl6 (0003c#x≤0
9 9
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 제조된 염화물계 고체전해질을 포함하는 전고체전지
10 10
제9항에 있어서,상기 전고체전지는 고체전해질막, 양극, 음극 및 분리막을 포함하고,상기 염화물계 고체전해질은 상기 고체전해질막, 상기 양극, 상기 음극 및 상기 분리막 중에 적어도 하나에 포함되는 것을 특징으로 하는 전고체전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자기술연구원 원천기술개발사업 (C)양자알케미 설계 신규 구조 inorganic superionic conductor 소재 엔지니어링