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기판;상기 기판 상에 위치하고, 수소 가스와 반응하여 전기적 특성이 변하는 팔라듐을 포함하는 금속 전극패턴; 및 상기 금속 전극패턴이 형성된 기판 상에 위치하고, 수소 가스와 반응하여 전기적 특성이 변하는 황화납-양자점을 포함하는 양자점 복합층; 을 포함하는 전기식 수소 가스 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 황화납-양자점은 아미노기(-NH2) 리간드를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 양자점 복합층은 전도성 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서
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제 3 항에 있어서, 상기 전도성 채널은 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 양자점 복합층은 AuS, AuSe, AuTe, AgS, AgSe, AgTe, AgO, CuS, CuSe, CuTe, CuO, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, AuSeS, AuSeTe, AuSTe, AgSeS, AgSeTe, AgSTe, CuSeS, CuSeTe, CuSTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, AuAgS, AuAgSe, AuAgTe, AuCuS, AuCuSe, AuCuTe, AuZnS, AuZnSe, AuZnTe, AuCdS, AuCdSe, AuCdTe, AuHgS, AuHgSe, AuHgTe, AgZnS, AgZnSe, AgZnTe, AgCuS, AgCuSe, AgCuTe, AgCdS, AgCdSe, AgCdTe, AgHgS, AgHgSe, AgHgTe, CuZnS, CuZnSe, CuZnTe, CuCdS, CuCdSe, CuCdTe, CuHgS, CuHgSe, CuHgTe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnCdTe, ZnHgS, ZnHgSe, ZnHgTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, CdHgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe; GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, Si, Ge, SiC, 및 SiGe로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 양자점을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 유리, 금속, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리우레탄(PU), 폴리아릴레이트(PA), 폴리에테르설폰(PES), 플루오렌 폴리에스터(FPE), 사이클로 올레핀 수지, 에폭시 수지 및 에스테르 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 전극패턴은 깍지 낀 손가락 형상(inter-digitated shape)으로 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기식 수소가스 센서
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기판 상에 수소 가스와 반응하여 전기적 특성이 변하는 팔라듐을 포함하는 금속 전극패턴을 형성하는 단계; 및상기 금속 전극패턴이 형성된 기판 상에 수소 가스와 반응하여 전기적 특성이 변하는 황화납-양자점을 포함하는 양자점 복합층을 형성하는 단계; 를 포함하는 전기식 수소 가스 센서의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 황화납-양자점은 아미노기(-NH2) 리간드를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 양자점 복합층은 전도성 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 전도성 채널은 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 양자점 복합층은 AuS, AuSe, AuTe, AgS, AgSe, AgTe, AgO, CuS, CuSe, CuTe, CuO, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, AuSeS, AuSeTe, AuSTe, AgSeS, AgSeTe, AgSTe, CuSeS, CuSeTe, CuSTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, AuAgS, AuAgSe, AuAgTe, AuCuS, AuCuSe, AuCuTe, AuZnS, AuZnSe, AuZnTe, AuCdS, AuCdSe, AuCdTe, AuHgS, AuHgSe, AuHgTe, AgZnS, AgZnSe, AgZnTe, AgCuS, AgCuSe, AgCuTe, AgCdS, AgCdSe, AgCdTe, AgHgS, AgHgSe, AgHgTe, CuZnS, CuZnSe, CuZnTe, CuCdS, CuCdSe, CuCdTe, CuHgS, CuHgSe, CuHgTe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnCdTe, ZnHgS, ZnHgSe, ZnHgTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, CdHgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe; GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, Si, Ge, SiC, 및 SiGe로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 양자점을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 유리, 금속, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리우레탄(PU), 폴리아릴레이트(PA), 폴리에테르설폰(PES), 플루오렌 폴리에스터(FPE), 사이클로 올레핀 수지, 에폭시 수지 및 에스테르 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 양자점 복합층을 형성하는 단계는, 스프레이 코팅, 잉크젯 도포, 메니스커스 코팅, 파운딩 코팅, 딥 코팅, 회전 도포, 롤 도포, 와이어바 도포, 에어 나이프 도포, 블레이드 도포 및 커튼 도포 중 어느 하나의 용액 공정을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 양자점 복합층을 형성하는 단계 이후, 상기 양자점 복합층이 형성된 기판을 열처리 하여 상기 양자점 복합층에 포함된 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기식 수소 가스 센서의 제조방법
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